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運(yùn)算放大器:模擬電路的“基礎(chǔ)積木”
所謂模擬芯片，是處理外界信號(hào)的第一關(guān)，所有數(shù)據(jù)的源頭是模擬信號(hào)，模擬芯片是集成的模擬電路，用于處理模擬信號(hào)。模擬信號(hào)是在時(shí)間和幅值上都連續(xù)的信號(hào)，數(shù)字信號(hào)則是時(shí)間和幅值上都不連續(xù)的信號(hào)。外界信號(hào)經(jīng)傳感器轉(zhuǎn)化為電信號(hào)后，是模擬信號(hào)，在模擬芯片構(gòu)成的系統(tǒng)里進(jìn)行進(jìn)一步的放大、濾波等...
2022-10-18
運(yùn)算放大器 模擬電路
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善用可靠且性價(jià)比高的隔離技術(shù)來應(yīng)對(duì)高電壓設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)
本文將概述電隔離，解釋高壓系統(tǒng)的常用隔離方法，并展示德州儀器 (TI) 隔離集成電路 (IC) 如何幫助設(shè)計(jì)人員可靠地滿足隔離需求，同時(shí)縮小解決方案尺寸并降低成本。
2022-10-17
隔離技術(shù) 高電壓
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安全芯片如何增強(qiáng)數(shù)字密鑰
隨著車聯(lián)網(wǎng)聯(lián)盟（CCC）3.0版數(shù)字密鑰規(guī)范的推出，智能手機(jī)專享門禁已成為歷史。這一規(guī)范是全球性的跨行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，采用超寬帶（UWB）、低功耗（BLE）藍(lán)牙、近場(chǎng)通信（NFC）和安全芯片等技術(shù)，開啟了基于智能手機(jī)的標(biāo)準(zhǔn)化汽車門禁趨勢(shì)。
2022-10-14
安全芯片 數(shù)字密鑰
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使用功率mos管設(shè)計(jì)的100W直流伺服放大電路方案
給大家分享的是使用功率 mos 管的 100W 直流伺服放大電路。如果你正好需要直流放大器電路，就可以直接參考了。直流伺服放大器電路使用 MOSFET 2SJ162 + 2SK1058 或 MOSFET 2SK134 + 2SJ49 (To-3)。
2022-10-14
功率mos管 直流伺服放大電路
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短型熱電偶測(cè)溫裝置的整體檢定
為解決短型熱電偶示值檢定中，因參考端溫度補(bǔ)償難以準(zhǔn)確測(cè)量，給檢定結(jié)果帶來的誤差，周愛民工程師將短型熱電偶測(cè)溫裝置進(jìn)行整體檢定，從而解決了短型的示值檢定問題。
2022-10-14
熱電偶 測(cè)溫裝置
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鎖相環(huán)環(huán)路計(jì)算中用到的波特圖
波特圖也是根據(jù)人名命名的，它是出自貝爾實(shí)驗(yàn)室，由荷蘭裔科學(xué)家 Hendrik Wade Bode在1930年發(fā)明的。Bode當(dāng)時(shí)需要設(shè)計(jì)用于電話網(wǎng)絡(luò)的放大器，放大器帶有負(fù)反饋。為了能夠快速了解放大器保持絕對(duì)穩(wěn)定所需的增益裕度和相位裕度，Bode開發(fā)了波特圖。
2022-10-09
鎖相環(huán)環(huán)路 波特圖
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SPARC：用于先進(jìn)邏輯和 DRAM 的全新沉積技術(shù)
泛林集團(tuán)發(fā)明了一種名為 SPARC 的全新沉積技術(shù)，用于制造具有改進(jìn)電絕緣性能的新型碳化硅薄膜。重要的是，它可以沉積超薄層，并且在高深寬比的結(jié)構(gòu)中保持性能，還不受工藝集成的影響，可以經(jīng)受進(jìn)一步處理。SPARC 將泛林無與倫比的等離子技術(shù)與化學(xué)和工藝工程相結(jié)合，實(shí)現(xiàn)了先進(jìn)邏輯和 DRAM 集成設(shè)計(jì)...
2022-10-09
SPARC DRAM 沉積技術(shù)
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利用ADP1055數(shù)字開關(guān)穩(wěn)壓器改善動(dòng)態(tài)環(huán)路響應(yīng)
DC-DC轉(zhuǎn)換器通過反饋控制系統(tǒng)，將不斷變化的輸入電壓轉(zhuǎn)換為（通常）固定的輸出電壓。反饋控制系統(tǒng)應(yīng)盡量保持穩(wěn)定，以避免出現(xiàn)振蕩，或者發(fā)生最糟糕的情況：輸出未經(jīng)調(diào)節(jié)的輸出電壓?？刂葡到y(tǒng)的速度應(yīng)盡可能快，以響應(yīng)動(dòng)態(tài)變化，例如快速輸入電壓變化或輸出端的負(fù)載瞬態(tài)，并最大程度地減少調(diào)節(jié)后的輸...
2022-10-08
ADP1055 數(shù)字開關(guān)穩(wěn)壓器 動(dòng)態(tài)環(huán)路響應(yīng)
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紅外熱成像儀對(duì)放大器的芯片結(jié)溫的仿真測(cè)試
隨著 GaN 功率放大器向小型化、大功率發(fā)展，其熱耗不斷增加，散熱問題已成為制約功率器件性能提升的重要因素。金剛石熱導(dǎo)率高達(dá) 2000 Ｗ/(m?K)，是一種極具競(jìng)爭(zhēng)力的新型散熱材料，可用作大功率器件的封裝載片。
2022-10-08
紅外熱成像儀 放大器 芯片結(jié)溫
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