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LED散熱基板的設(shè)計(jì)及分類

發(fā)布時(shí)間:2010-10-13 來(lái)源:電子發(fā)燒友

中心議題:
  • 散熱基板對(duì)于LED模組的影響
  • 散熱基板的對(duì)比選擇
解決方案:
  • 厚膜印刷陶瓷基版
  • 薄膜工藝陶瓷基板 
  • 氧化鋁陶瓷基板
  • 氮化鋁陶瓷基板

1、簡(jiǎn)介  
LED模組現(xiàn)今大量使用在電子相關(guān)產(chǎn)品上,隨著應(yīng)用范圍擴(kuò)大以及照明系統(tǒng)的不斷提升,約從1990年開(kāi)始高功率化的要求急速上升,尤其是以白光高功率型式的需求最大,現(xiàn)在的照明系統(tǒng)上所使用之LED功率已經(jīng)不只1W、3W、5W甚至到達(dá)10W以上,所以散熱基板的散熱效能儼然成為最重要的議題。影響LED散熱的主要因素包含了LED芯片、芯片載板、芯片封裝及模組的材質(zhì)與設(shè)計(jì),而LED及其封裝的材料所累積的熱能多半都是以傳導(dǎo)方式散出,所以LED芯片基板及LED芯片封裝的設(shè)計(jì)及材質(zhì)就成為了主要的關(guān)鍵。

2、散熱基板對(duì)于LED模組的影響

LED從1970年以后開(kāi)始出現(xiàn)紅光的LED,之后很快的演進(jìn)到了藍(lán)光及綠光,初期的運(yùn)用多半是在一些標(biāo)示上,如家電用品上的指示,到了2000年開(kāi)始,白光高功率LED的出現(xiàn),讓LED的運(yùn)用開(kāi)始進(jìn)入另一階段,像是戶外大型看版、小型顯示器的背光源等(如圖一),但隨著高功率的快速演進(jìn),預(yù)計(jì)從2010年之后,車(chē)用照明、室內(nèi)及特殊照明的需求量日增,但是這些高功率的照明設(shè)備,其散熱效能的要求也越益嚴(yán)苛,因陶瓷基板具有較高的散熱能力與較高的耐熱、氣密性,因此,陶瓷基板為目前高功率LED最常使用的基板材料之一。

然而,目前市面上較常見(jiàn)的陶瓷基板多為L(zhǎng)TCC或厚膜技術(shù)制成的陶瓷散熱基板,此類型產(chǎn)品受網(wǎng)版印刷技術(shù)的準(zhǔn)備瓶頸,使得其對(duì)位精準(zhǔn)度上無(wú)法配合更高階的焊接,共晶(Eutectic)或覆晶(Flipchip)封裝方式,而利用薄膜工藝技術(shù)所開(kāi)發(fā)的陶瓷散熱基板則提供了高對(duì)位精準(zhǔn)度的產(chǎn)品,以因應(yīng)封裝技術(shù)的發(fā)展。

2.1、散熱基板的選擇
  
就LED芯片承載基板的發(fā)展上,以承載芯片而言,傳統(tǒng)PCB的基板材質(zhì)具有高度商業(yè)化的特色,在LED發(fā)展初期有著相當(dāng)?shù)挠绊懥?。然而,隨著LED功率的提升,LED基板的散熱能力,便成為其重要的材料特性之一,為此,陶瓷基板逐漸成為高效能LED的主要散熱基板材料(如表一所示),并逐漸被市場(chǎng)接受進(jìn)而廣泛使用。近年來(lái),除了陶瓷基板本身的材料特性問(wèn)題須考慮之外,對(duì)基板上金屬線路之線寬、線徑、金屬表面平整度與附著力之要求日增,使得以傳統(tǒng)厚膜工藝備制的陶瓷基板逐漸不敷使用,因而發(fā)展出了薄膜型陶瓷散熱基板,本文將針對(duì)陶瓷散熱基板在厚膜與薄膜工藝及其產(chǎn)品特性上的差異做出分析。



3、陶瓷散熱基板

從傳統(tǒng)的PCB(FR4)板,到現(xiàn)在的陶瓷基板,LED不斷往更高功率的需求發(fā)展,現(xiàn)階段陶瓷基板之金屬線路多以厚膜技術(shù)成型,然而厚膜印刷的對(duì)位精準(zhǔn)度使得其無(wú)法跟上LED封裝技術(shù)之進(jìn)步,其主要因素為在更高功率LED元件的散熱設(shè)計(jì)中,使用了共晶以及覆晶兩種封裝技術(shù),這些技術(shù)的導(dǎo)入不但可以使用高發(fā)光效率的LED芯片,更可以大幅降低其熱阻值并且讓接合度更加完善,讓整體運(yùn)作的功率都相對(duì)的提昇。但是這兩種接合方式的應(yīng)用都需要擁有精確金屬線路設(shè)計(jì)的基礎(chǔ),因此以曝光微影為對(duì)位方式的薄膜型陶瓷散熱基板就變成為精準(zhǔn)線路設(shè)計(jì)主流。
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3-1、厚膜印刷陶瓷基版

厚膜工藝大多使用網(wǎng)版印刷方式形成線路與圖形,因此,其線路圖形的完整度與線路對(duì)位的精確度往往隨著印刷次數(shù)增加與網(wǎng)版張力變化而出現(xiàn)明顯的累進(jìn)差異,此結(jié)果將影響后續(xù)封裝工藝上對(duì)位的精準(zhǔn)度;再者,隨著元件尺寸不斷縮小,網(wǎng)版印刷的圖形尺寸與解析度亦有其限制,隨著尺寸縮小,網(wǎng)版印刷所呈現(xiàn)之各單元圖形尺寸差異(均勻性)與金屬厚度差異亦將越發(fā)明顯。為了線路尺寸能夠不斷縮小與精準(zhǔn)度的嚴(yán)格要求下,LED散熱基板的生產(chǎn)技術(shù)勢(shì)必要繼續(xù)提升。因而薄膜工藝的導(dǎo)入就成為了改善方法之一,然而國(guó)內(nèi)擁有成熟的陶瓷基板薄膜金屬化工藝技術(shù)的廠家卻屈指可數(shù)。為此,以薄膜元件起家的璦司柏電子(ICP),即針對(duì)自家開(kāi)發(fā)之薄膜基板與傳統(tǒng)厚膜基板進(jìn)行其工藝與產(chǎn)品特性差異分析(如下表二所示)。


3-2、薄膜工藝應(yīng)用于陶瓷基板

薄膜技術(shù)的導(dǎo)入正可解決上述線路尺寸縮小的工藝瓶頸,結(jié)合高真空鍍膜技術(shù)與黃光微影技術(shù),能將線路圖形尺寸大幅縮小,并且可同時(shí)符合精準(zhǔn)的線路對(duì)位要求,其各單元的圖形尺寸的低差異性(高均勻性)更是傳統(tǒng)網(wǎng)版印刷所不易達(dá)到的結(jié)果。在高熱導(dǎo)的要求下,目前璦司柏(ICP)的薄膜工藝技術(shù)已能克服現(xiàn)階段厚膜工藝在對(duì)位精準(zhǔn)度的瓶頸,圖(二)即為薄膜工藝之簡(jiǎn)易流程圖,在空白陶瓷基板上(氧化鋁/氮化鋁)經(jīng)過(guò)前處理之后,鍍上種子層(sputtering),經(jīng)過(guò)光阻披覆、曝光顯影,再將所需之線路增厚(電鍍/化學(xué)鍍),最后經(jīng)過(guò)去膜、蝕刻步驟使線路成形,此工藝所備制之產(chǎn)品具有較高的線路精確度與較佳的金屬鍍層表面平整度。

圖(三)即為璦司柏薄膜基板產(chǎn)品與傳統(tǒng)厚膜產(chǎn)品的金屬線路光學(xué)顯微圖像。可明顯看出厚膜印刷之線路,其表面具有明顯的坑洞且線條的平整度不佳,反觀以薄膜工藝制備之金屬線路,不但色澤清晰且線條筆直平整。
由以上厚/薄膜這些金屬線路上的幾何精準(zhǔn)度差異,再加上厚膜線路易因網(wǎng)版張網(wǎng)問(wèn)題造成陣列圖形的累進(jìn)公差加劇,使得厚膜印刷產(chǎn)品在后續(xù)芯片置件上,較容易造成置件偏移或是尋邊異常等困擾。換句話說(shuō)厚膜印刷產(chǎn)品的對(duì)位及線路的精準(zhǔn)度不夠精確,使其限制了芯片封裝工藝的工藝裕度(window)。然而,薄膜工藝產(chǎn)品則能大幅改善其現(xiàn)象。

但從產(chǎn)品成本結(jié)構(gòu)來(lái)看,如表二所示薄膜產(chǎn)品的工藝設(shè)備(黃光微影)與生產(chǎn)環(huán)境(無(wú)塵或潔凈室)相較于厚膜產(chǎn)品其成本較高,然而薄膜工藝的金屬線路多以厚銅材料為主,相較于厚膜印刷之厚銀而言,材料成本卻相對(duì)較低,因此,可預(yù)期的當(dāng)利用薄膜工藝將陶瓷基板金屬化的產(chǎn)品,日漸達(dá)到經(jīng)濟(jì)規(guī)模時(shí),其成本將逐漸趨近于厚膜產(chǎn)品。




3-2-1、氧化鋁陶瓷基板
  
上述部分是針對(duì)工藝不同部份所做的闡述,另一項(xiàng)與散熱息息相關(guān)的則是基板材質(zhì),LED散熱基板所使用之材質(zhì)現(xiàn)階段以陶瓷為主,而氧化鋁陶瓷基板應(yīng)是較易取得且成本較低之材料,是目前運(yùn)用在元件上的主要材料,然而厚膜技術(shù)或薄膜技術(shù)在氧化鋁陶瓷基板上制備金屬線路,其金屬線路與基版的接著度或是特性上并無(wú)顯著的差異,而兩種工藝顯現(xiàn)出最主要的差異則是在線路尺寸縮小的要求下,薄膜工藝能提供厚膜技術(shù)無(wú)法達(dá)到的較小線路尺寸與較高的圖形精準(zhǔn)度。

3-2-2、氮化鋁陶瓷基板

而在更高功率LED應(yīng)用的前提下,具高導(dǎo)熱係數(shù)的氮化鋁(170-230W/mK)將是散熱基板的首選材質(zhì),但厚膜印刷之金屬層(如高溫銀膠)多需經(jīng)過(guò)高溫(高于800oC)燒結(jié)工藝,此高溫?zé)Y(jié)工藝于大氣環(huán)境下執(zhí)行易導(dǎo)致金屬線路與氮化鋁基板間產(chǎn)生氧化層,進(jìn)而影響線路與基板之間的附著性;然而,薄膜工藝則在300℃以下工藝之條件下備制,無(wú)氧化物生成與附著性不佳之疑慮,更可兼具線路尺寸與高精準(zhǔn)度之優(yōu)勢(shì)。薄膜工藝為高功率氮化鋁陶瓷LED散熱基板創(chuàng)造更多應(yīng)用空間。

以上我們已將LED散熱基板在兩種不同工藝上做出差異分析,以薄膜工藝備制陶瓷散熱基板具有較高的設(shè)備與技術(shù),需整合材料開(kāi)發(fā)門(mén)檻,如曝光、真空沉積、顯影、蒸鍍(Evaporation)、濺鍍(Sputtering)電鍍與無(wú)電鍍等技術(shù),以目前的市場(chǎng)規(guī)模,薄膜產(chǎn)品的相對(duì)成本較高,但是一旦市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到一定程度時(shí),必定會(huì)反映在成本結(jié)構(gòu)上,相對(duì)的在價(jià)格上與厚膜工藝的差異將會(huì)有大幅度的縮短。

在高效能、高產(chǎn)品品質(zhì)要求與高生產(chǎn)架動(dòng)的高功率LED陶瓷基板的發(fā)展趨勢(shì)之下,高散熱效果、高精準(zhǔn)度之薄膜工藝陶瓷基板的選擇,將成為趨勢(shì),以克服目前厚膜工藝產(chǎn)品所無(wú)法突破的瓶頸。因此,可預(yù)期的薄膜陶瓷基板將逐漸應(yīng)用在高功率LED上,并隨著高功率LED的快速發(fā)展而達(dá)經(jīng)濟(jì)規(guī)模,此時(shí)不論高功率LED芯片、薄膜型陶瓷散熱基板、封裝工藝成本等都將大幅降低,進(jìn)而更加速高功率LED產(chǎn)品的量化。

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