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泰科電子推出雙向硅ESD保護(hù)器件幫助減少組裝挑戰(zhàn)

發(fā)布時(shí)間:2011-02-16 來(lái)源:華興萬(wàn)邦

產(chǎn)品特性:ChipSESD
  • 在8x20µs浪涌下的額定浪涌電流為2A
  • 具備10kV的接觸放電ESD保護(hù)等級(jí)
應(yīng)用范圍:
  • 手機(jī)和便攜電子產(chǎn)品、數(shù)碼相機(jī)和攝像機(jī)、計(jì)算機(jī)I/O端口
  • 鍵盤、低壓DC線、揚(yáng)聲器、耳機(jī)和麥克風(fēng)


泰科電子(TE)日前宣布推出比傳統(tǒng)半導(dǎo)體封裝更易安裝和返修的0201和0402尺寸的靜電放電(ESD)器件,以擴(kuò)展其硅ESD保護(hù)產(chǎn)品系列。該ChipSESD封裝將一個(gè)硅器件和一個(gè)傳統(tǒng)表面貼裝技術(shù)(SMT)被動(dòng)封裝配置的各種優(yōu)勢(shì)結(jié)合在一起。

產(chǎn)品編號(hào)分別為SESD0201P1BN-0400-090 (0201 封裝) 和 SESD0402P1BN-0450-090 (0402 封裝)的兩種器件的雙向操作,可方便地在印刷電路板(PCB)上實(shí)現(xiàn)無(wú)定向約束安裝,并免去了對(duì)極性檢查的需要。不同于采用焊墊位于器件底部的傳統(tǒng)ESD二極管封裝,在器件已被安裝到PCB上之后,該ChipSESD器件的被動(dòng)封裝還能允許方便的焊接檢查。

該ChipSESD器件在8x20µs浪涌下的額定浪涌電流為2A,并具備10kV的接觸放電ESD保護(hù)等級(jí)。該器件的低漏電電流(最大1.0µA)降低了功耗,快速響應(yīng)時(shí)間(<1ns)有助于幫助設(shè)備通過(guò)IEC61000-4-2等級(jí) 4測(cè)試。 4.0pF (0201 封裝) 和 4.5pF (0402 封裝)的輸入電容使得它們適合為以下應(yīng)用提供保護(hù)。

“分立器件不斷小型化的趨勢(shì)常常會(huì)使設(shè)計(jì)師們的工程樣機(jī)制作變得困難而費(fèi)時(shí),并帶來(lái)返修方面的挑戰(zhàn),以及制造工藝控制等問題。”產(chǎn)品經(jīng)理Nicole Palma說(shuō):“泰科電子的新型ChipSESD器件有助于消除裝配和制造挑戰(zhàn),并加快產(chǎn)品上市時(shí)間。它們表明泰科電子致力于向消費(fèi)電子產(chǎn)業(yè)提供多種多樣的、更小尺寸和更高性能的SMT解決方案系列。”
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