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光耦的參數的理解

發(fā)布時間:2019-10-18 責任編輯:wenwei

【導讀】光耦作為一個隔離器件已經得到廣泛應用,無處不在。一般大家在初次接觸到光耦時往往感到無從下手,不知設計對與錯,隨著遇到越來越多的問題,才會慢慢有所體會。
 
光耦是否可以近似看做成一個帶隔離功能的三級管呢?
 
槽型光耦也被工程技術人員稱作槽型光電開關或者對射式光電開關,也是以光為媒體,由發(fā)光體與受光體間的光路遮擋或由反射光的光亮變化為信號,檢測物體的位置、有無等的裝置。槽型光耦也是由一個紅外線發(fā)射管與一個紅外線接收管組合而成。它與接近開關同樣是無接觸式的,受檢測體的制約少,且檢測距離長,應用廣泛。
 
引言
 
光耦作為一個隔離器件已經得到廣泛應用,無處不在。一般大家在初次接觸到光耦時往往感到無從下手,不知設計對與錯,隨著遇到越來越多的問題,才會慢慢有所體會。
 
本文就三個方面對光耦做討論:光耦工作原理;光耦的CTR 概念;光耦的延時。本討論也有認識上的局限性,但希望能幫助到初次使用光耦的同事。
 
1 、理解光耦
 
光耦是隔離傳輸器件,原邊給定信號,副邊回路就會輸出經過隔離的信號。對于光耦的隔離容易理解,此處不做討論。以一個簡單的圖(圖.1)說明光耦的工作:原邊輸入信號Vin,施加到原邊的發(fā)光二極管和Ri 上產生光耦的輸入電流If,If驅動發(fā)光二極管,使得副邊的光敏三極管導通,回路VCC、RL 產生Ic,Ic經過RL產生Vout,達到傳遞信號的目的。原邊副邊直接的驅動關聯是CTR(電流傳輸比),要滿足Ic≤If*CTR。
 
光耦的參數的理解
圖.1
 
光耦一般會有兩個用途:線性光耦和邏輯光耦,如果理解?
 
工作在開關狀態(tài)的光耦副邊三極管飽和導通,管壓降<0.4V,Vout約等于Vcc(Vcc-0.4V左右),Vout 大小只受Vcc大小影響。此時Ic<If*CTR,此工作狀態(tài)用于傳遞邏輯開關信號。工作在線性狀態(tài)的光耦,Ic=If*CTR,副邊三極管壓降的大小等于Vcc-Ic*RL,Vout= Ic*RL=(Vin-1.6V)/Ri * CTR*RL,Vout 大小直接與Vin 成比例,一般用于反饋環(huán)路里面 (1.6V 是粗略估計,實際要按器件資料,后續(xù)1.6V同) 。
 
對于光耦開關和線性狀態(tài)可以類比為普通三極管的飽和放大兩個狀態(tài)。
 
光耦的參數的理解
 
所以通過分析實際的電路,除去隔離因素,用分析三極管的方法來分析光耦是一個很有效的方法。此方法對于后續(xù)分析光耦的CTR 參數,還有延遲參數都有助于理解。
 
2、光耦CTR
 
概要:
 
1)對于工作在線性狀態(tài)的光耦要根據實際情況分析;
 
2)對于工作在開關狀態(tài)的光耦要保證光耦導通時CTR 有一定余量;
 
3)CTR受多個因素影響。
 
2.1 光耦能否可靠導通實際計算
 
舉例分析,例如圖.1中的光耦電路,假設 Ri = 1k,Ro = 1k,光耦CTR= 50%,光耦導通時假設二極管壓降為1.6V,副邊三極管飽和導通壓降Vce=0.4V。輸入信號Vi 是5V的方波,輸出Vcc 是3.3V。Vout 能得到3.3V 的方波嗎?
 
我們來算算:If = (Vi-1.6V)/Ri = 3.4mA
 
副邊的電流限制:Ic’ ≤ CTR*If = 1.7mA
 
假設副邊要飽和導通,那么需要Ic’ = (3.3V – 0.4V)/1k = 2.9mA,大于電流通道限制,所以導通時,Ic會被光耦限制到1.7mA, Vout = Ro*1.7mA = 1.7V
 
所以副邊得到的是1.7V 的方波。
 
為什么得不到3.3V 的方波,可以理解為圖.1 光耦電路的電流驅動能力小,只能驅動1.7mA 的電流,所以光耦會增大副邊三極管的導通壓降來限制副邊的電流到1.7mA。
 
解決措施:增大If;增大CTR;減小Ic。對應措施為:減小Ri 阻值;更換大CTR 光耦;增大Ro 阻值。
 
將上述參數稍加優(yōu)化,假設增大Ri 到200歐姆,其他一切條件都不變,Vout能得到3.3V的方波嗎?
 
重新計算:If = (Vi – 1.6V)/Ri = 17mA;副邊電流限制Ic’ ≤ CTR*If = 8.5mA,遠大于副邊飽和導通需要的電流(2.9mA),所以實際Ic = 2.9mA。
 
所以,更改Ri 后,Vout 輸出3.3V 的方波。
 
開關狀態(tài)的光耦,實際計算時,一般將電路能正常工作需要的最大Ic 與原邊能提供的最小If 之間Ic/If 的比值與光耦的CTR 參數做比較,如果Ic/If ≤CTR,說明光耦能可靠導通。一般會預留一點余量(建議小于CTR 的90%)。
 
工作在線性狀態(tài)令當別論。
 
2.2 CTR受那些因素影響
 
上一節(jié)說到設計時要保證一定CTR 余量。就是因為CTR的大小受眾多因素影響,這些因素之中既有導致CTR只離散的因素(不同光耦),又有與CTR 有一致性的參數(殼溫/If)。
 
1)光耦本身:
 
以8701為例,CTR 在Ta=25℃/If=16mA時,范圍是(15%~35%)說明 8701 這個型號的光耦,不論何時/何地,任何批次里的一個樣品,只要在Ta=25℃
 
/If=16mA 這個條件下,CTR 是一個確定的值,都能確定在15%~35%以內。計算導通時,要以下限進行計算,并且保證有余量。計算關斷時要以上限。
 
2)殼溫影響:
 
Ta=25℃條件下的CTR 下限確定了,但往往產品里面溫度范圍比較大,比如光耦會工作在(-5~75℃)下,此種情況下CTR 怎么確定?還是看8701 的手冊:有Ta-CTR關系圖:
 
從圖中看出,以25 度的為基準,在其他條件不變的情況下,-5 度下的CTR 是25 度下的0.9 倍左右,75 度下最小與25 度下的CTR 持平。
所以在 16mA/(-5~75℃)條件下,8701的CTR 最小值是15%*0.9 = 13.5%
 
3) 受If 影響。
 
假設如果實際的If是3.4mA,那么如何確定CTR在If=3.4mA / Ta=(-5~75℃)條件下的最小CTR 值。
 
查看 8701 的If-CTR 曲線。圖中給出了三條曲線,代表抽取了三個樣品做測試得到的If-CTR 曲線,實際只需要一個樣品的曲線即可。
 
注:此圖容易理解為下限/典型/上限三個曲線,其實不然。大部分圖表曲線只是一個相對關系圖,不能圖中讀出絕對的參數值。
 
計算:選用最上面一條樣品曲線,由圖中查出,If=16mA 時CTR 大概28%,在If=3.4mA時CTR 大概在46%。3.4mA 是16mA 時的46%/28% = 1.64倍;
 
所以,在 If=3.4mA / (-5~75℃),CTR下限為13.5% * 1.64 = 22.2%
 
以上所有分析都是基于8701 的,其他光耦的特性曲線需要查用戶手冊,分析方法一樣。
 
3、光耦延時
 
上述CTR 影響到信號能不能傳過去的問題,類似于直流特性。下面主要分析光耦的延時特性,即光耦能傳送多快信號。
 
涉及到兩個參數:光耦導通延時tplh 和光耦關斷延時tphl,以8701 為例:在If=16mA/Ic=2mA 時候,關斷延時最大0.8uS,導通延時最大1.2uS。所以用8701 傳遞500k以上的開關信號就需要不能滿足。
 
 
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