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選擇合適的ESD保護(hù)元件有多重要?
為防止ESD(靜電放電)導(dǎo)致電子設(shè)備失靈或故障,需要采取適當(dāng)?shù)姆漓o電措施。對(duì)于線路應(yīng)用,通常采用直接貼裝元件,如果未選擇合適的防靜電配件,正常運(yùn)行期間的線路信號(hào)會(huì)受到干擾,其中包括各種具有高速和差分信號(hào)的通信線路,比如車載通信CAN(控制器局域網(wǎng))、車載以太網(wǎng)等。靜電放電通常會(huì)對(duì)上...
2024-04-10
ESD保護(hù)元件
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電壓比較器的工作區(qū)域及工作原理
電壓比較器通常由集成運(yùn)放構(gòu)成,與普通運(yùn)放電路不同的是,比較器中的集成運(yùn)放大多處于開環(huán)或正反饋的狀態(tài)。只要在兩個(gè)輸入端加一個(gè)很小的信號(hào),運(yùn)放就會(huì)進(jìn)入非線性區(qū),屬于集成運(yùn)放的非線性應(yīng)用范圍。在分析比較器時(shí),虛斷路原則仍成立,虛短及虛地等概念僅在判斷臨界情況時(shí)才適應(yīng)。
2024-04-10
電壓比較器
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【做信號(hào)鏈,你需要了解的高速信號(hào)知識(shí)(三)】高速的挑戰(zhàn) – 傳輸鏈路的損耗和均衡
高速總線升級(jí)迭代的矛盾在于,消費(fèi)者對(duì)性能的需求驅(qū)動(dòng)著信號(hào)速率成倍的增長(zhǎng),消費(fèi)者對(duì)便捷性的需求使得傳輸線無(wú)法縮短,消費(fèi)者對(duì)低成本的追求要求PCB板材和傳輸線不能太貴,這就導(dǎo)致ISI抖動(dòng)變得越來(lái)越嚴(yán)重。均衡(Equalization)就是為了應(yīng)對(duì)ISI抖動(dòng),而被廣泛應(yīng)用的黑科技。既然ISI抖動(dòng)的根源,是傳...
2024-04-08
信號(hào)鏈 高速信號(hào) 傳輸鏈路
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軟件可配置模擬I/O的設(shè)計(jì)理念
在快速發(fā)展的工業(yè)電子領(lǐng)域,軟件可配置模擬 I/O 器件的開發(fā)為系統(tǒng)設(shè)計(jì)和運(yùn)行帶來(lái)了前所未有的多功能性和效率。Analog Devices 的 MAX22000 就是一個(gè)很好的實(shí)例,它提供了一個(gè)多面的模擬信號(hào)處理方法,可按需重新配置,以適應(yīng)各種應(yīng)用。
2024-04-07
軟件 模擬I/O
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測(cè)試共源共柵氮化鎵 FET
Cascode GaN FET 比其他類型的 GaN 功率器件更早進(jìn)入市場(chǎng),因?yàn)樗梢蕴峁┏jP(guān)操作并具有更寬的柵極驅(qū)動(dòng)電壓范圍。然而,電路設(shè)計(jì)人員發(fā)現(xiàn)該器件在實(shí)際電路中使用起來(lái)并不那么容易,因?yàn)樗苋菀装l(fā)生振蕩,并且其器件特性很難測(cè)量并獲得可重復(fù)的提取。許多設(shè)計(jì)人員在電路中使用大柵極電阻時(shí)必須減慢...
2024-04-07
測(cè)試共源 氮化鎵 FET
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P溝道功率MOSFETs及其應(yīng)用
Littelfuse P溝道功率MOSFETs,雖不及廣泛使用的N溝道MOSFETs出名,在傳統(tǒng)的應(yīng)用范圍也較有限,然而,隨著低壓(LV)應(yīng)用需求的增加, P溝道功率MOSFET的應(yīng)用范圍得到拓展。高端側(cè)(HS)應(yīng)用P溝道的簡(jiǎn)易性使其對(duì)低壓變換器(<120V)和非隔離的負(fù)載點(diǎn)更具吸引力。
2024-04-07
功率MOSFETs
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關(guān)于高速電路中的AC耦合電容
在很多高速串行信號(hào)中,都會(huì)使用到AC耦合電容,既然在設(shè)計(jì)高速串行電路時(shí),任何一個(gè)小小的不同都會(huì)引起信號(hào)完整性問(wèn)題,為什么要在串行鏈路中加入一個(gè)AC耦合電容呢?這個(gè)電容不僅會(huì)導(dǎo)致信號(hào)邊沿變得緩慢,還有可能會(huì)引起阻抗不連續(xù)。
2024-04-04
高速電路 AC耦合電容
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汽車區(qū)域控制器架構(gòu)趨勢(shì)下,這三類的典型電路設(shè)計(jì)正在改變
汽車市場(chǎng)正在轉(zhuǎn)向區(qū)域控制器架構(gòu)的趨勢(shì)方向,而汽車區(qū)域控制器架構(gòu)正朝著分布式、集成化、智能化的方向發(fā)展,以實(shí)現(xiàn)更高效的數(shù)據(jù)處理、功能整合與自動(dòng)駕駛支持?;趨^(qū)域控制器架構(gòu)帶來(lái)很多設(shè)計(jì)的機(jī)會(huì)與挑戰(zhàn),例如SmartFET正越來(lái)越多替代傳統(tǒng)的MOSFET器件。
2024-04-04
汽車 控制器 電路設(shè)計(jì)
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意法半導(dǎo)體公布了新系列100V溝槽肖特基整流二極管以提高效率和功率密度
隨著低開關(guān)損耗的寬禁帶半導(dǎo)體等技術(shù)的廣泛應(yīng)用,設(shè)計(jì)人員開始提高功率轉(zhuǎn)換器的工作頻率,不斷刷新功率密度。不過(guò),當(dāng)開關(guān)頻率變得更高時(shí),用作整流器的傳統(tǒng)平面二極管(包括硅肖特基器件)的能量損耗也會(huì)隨之變大,嚴(yán)重限制了轉(zhuǎn)換能效的改進(jìn)。意法半導(dǎo)體推出可提升高開關(guān)頻率功率轉(zhuǎn)換器能效的100V溝...
2024-04-03
意法半導(dǎo)體 肖特基整流二極管
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