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增強DC/DC變換器動態(tài)響應的新方法
DRC電路可以大幅降低DC/DC變換器負載瞬變失真的幅度和持續(xù)時間。DRC電路參數(shù)必須與DC/DC變換器的特性以及負載電流瞬變的最大幅度相匹配。應小心選擇輔助充電電壓和儲能電容器,以便與DC/DC輸出電流轉(zhuǎn)換速率和負載電流階躍的振幅相匹配。
2008-10-04
DC/DC 負載動態(tài)響應 DRC ESR
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開關電源電磁干擾濾波器
隨著開關電源的發(fā)展，其中的電磁干擾問題倍受重視，開關電源電磁干擾濾波器也就隨之產(chǎn)生。本文介紹了開關電源電磁干擾(EMI)的特點，電磁干擾濾波器設計原則和電磁干擾濾波器的電路結構與參數(shù)選擇，以及電磁干擾濾波器的安裝。
2008-10-04
開關電源 電磁干擾 濾波器
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用于有源電力濾波器的IGBT驅(qū)動及保護研究
絕緣柵場效應晶體管(IGBT)作為一種復合型器件，集成了MOSFET的電壓驅(qū)動和高開關頻率及功率管低損耗、大功率的特點，在電機控制、開關電源、變流裝置及許多要求快速、低損耗的領域中有著廣泛的應用。本文對應用于有源電力濾波器的IGBT的特性及其專有EXB84l型驅(qū)動器的設計進行討論，并提出一種具有完...
2008-10-02
IGBT 門極電阻 EXB841 驅(qū)動電路
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南方芯源推出全新A系列MOSFET
南方芯源(Samwin)開始向市場推廣全新A系列MOSFET。Samwin A系列采用先進的6寸片0.6um生產(chǎn)線，產(chǎn)品的品質(zhì)因子處于國內(nèi)領先地位，與Fairchild uniFET產(chǎn)品一致。在民用級開關電源產(chǎn)品上完全可替代國外品牌。
2008-10-01
A系列MOSFET 開關電源
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用于功率變換器的IGBT驅(qū)動核心電路
用于IGBT功率模塊上的驅(qū)動電路必須能夠完成門極驅(qū)動和模塊保護功能。它們還必須能為控制部分和功率半導體之間提供電氣隔離，并滿足多種不同型號IGBT的驅(qū)動要求。為了滿足上述要求，必須對現(xiàn)有的門極驅(qū)動電路進行優(yōu)化。具體地說，就是必須在諸多因素如功能，靈活性以及性價比之間尋求最優(yōu)平衡，所幸...
2008-10-01
IGBT SKYPER 電源隔離 dv/dt
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選擇正確的DC/DC轉(zhuǎn)換器拓撲
基于電子設備的處理器系統(tǒng)設計人員經(jīng)常會在為他們的應用選擇最佳電源架構時遇到困難。有時最佳的解決方案是插入式電源。而有時采用由分立的元件組成的電源才是最佳的解決方案。選擇插入式電源解決方案相對來說比較直接,但對于缺乏電源設計經(jīng)驗的數(shù)字設計人員來說,設計一個分立電源解決方案可能會使...
2008-10-01
DC/DC 轉(zhuǎn)換器 感應器 IC
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低功耗電源的電感選擇
對于低功耗開關電源的電感選取有許多特殊注意之處。對于低功耗、高效率的開關電源設計，一般的器件資料或者選型表提供的參數(shù)是遠遠不夠的。通常的電感都是鐵氧體磁芯(非低損耗材料)，必將逐步在低功率、高效率的應用中淘汰。一種相對簡單的電感損耗測試設備可以在設計的頻點測試電感的損耗，對比不...
2008-10-01
BUCK 趨膚效應 磁芯損耗 電感
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傳導式EMI的測量技術
EMI是指部分的電磁（射頻）能量透過外部纜線、電源線、I/O互連介面，形成傳導波被傳送出去。本文將說明射頻能量經(jīng)由電源線傳送時，所產(chǎn)生的傳導式雜訊對PCB的影響，以及如何測量傳導式EMI和FCC、CISPR的EMI限制規(guī)定。
2008-09-30
EMI FCC 雜訊電流 返回路徑
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傳感器和檢測儀表的現(xiàn)狀與發(fā)展趨勢
我國傳感器產(chǎn)業(yè)要適應技術潮流，根據(jù)市場需求，做到“新苗交替、遠近結合、品種齊全、滿足需求”，做到“大、中、小并舉”，“集團化和專業(yè)化生產(chǎn)并存”，向國內(nèi)外兩個市場相結合的國際化方向發(fā)展，讓傳感器和檢測儀表抓住信息化的發(fā)展機遇。本文傳感器和檢測儀表的現(xiàn)狀，并預測了今后的發(fā)展趨勢。
2008-09-30
傳感器 儀表檢測 微型化
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