產(chǎn)品特性：

• 2 mm x 2 mm
• 包括26款FET-KY、雙P通道MOSFET、低VCesat晶體管和肖特基整流器
• 最高功耗Ptot 2.1 W
• 不含鹵素與氧化銻
• 符合耐燃性等級UL 94V-0和RoHS標(biāo)準(zhǔn)

應(yīng)用范圍：

• 移動(dòng)設(shè)備、智能手機(jī)和掌上電腦等應(yīng)用

恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors）日前宣布推出兩種擁有0.65 mm的行業(yè)最低高度新2 mm x 2 mm小信號分立無鉛封裝。通過具有良好的熱性能和導(dǎo)電性的無遮蔽散熱片，塑料SMD（表面封裝器件）封裝的使用壽命得到了提高，并提供3引線（SOT1061）和6引線（SOT1118）兩個(gè)版本。新產(chǎn)品包括26款FET-KY、雙P通道MOSFET、低VCesat晶體管和肖特基整流器 ，最高功耗Ptot 2.1 W。該性能大致與行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝SOT89（SC-62）相當(dāng)，但是只占用一半的電路板空間。

恩智浦半導(dǎo)體小信號分立器件產(chǎn)品市場經(jīng)理Ralf Euler表示：“電路板空間以及功率耗散是當(dāng)前纖薄緊湊型電池供電設(shè)備設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵因素，恩智浦提供了一系列廣泛的小型封裝組合來支持業(yè)界實(shí)現(xiàn)更小尺寸的終端設(shè)備。新的產(chǎn)品線是移動(dòng)設(shè)備、智能手機(jī)和掌上電腦中高性能充電電路、負(fù)載開關(guān)以及開關(guān)電源（SMPS）等應(yīng)用的理想選擇。”

SOT1061和SOT1118封裝中不含鹵素與氧化銻，并符合耐燃性等級UL 94V-0和RoHS標(biāo)準(zhǔn)。

采用SOT1118封裝的雙P通道MOSFET/ FET-KY（PMFPB6532UP, PMFPB6545UP, PMDPB65UP）

• 全新SOT1118封裝的兩款20V/3A FET-KY（集成了低VF的肖特基二極管）和一款20 V雙P溝道MOSFET將于六月底發(fā)布。
• 提供額外的1 kV（HBM）防靜電（ESD）保護(hù)，提高了ESD強(qiáng)健性。
• 在帶有ESD保護(hù)的20V級別的產(chǎn)品中，新的FET-KY（PMFPB6532UP和PMFPB6545UP）導(dǎo)通電阻為業(yè)界最低，柵極電壓（VGS）4.5 V下額定電阻為80毫歐。而為了提高能效，在電流1A時(shí)其正向?qū)妷海╒F）也同樣為業(yè)界最低，分別為365 mV和520 mV。雙P溝道MOSFETPMDPB65UP在4.5V的VGS 下?lián)碛械椭?0毫歐的導(dǎo)通電阻，是高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。
• 全新SOT1061封裝的14款高效低VCEsat晶體管符合其作為突破性小信號（BISS）晶體管的稱號：6A電流下的超低飽和電壓低至200mV，相當(dāng)于只有33毫歐的RCEsat。
• 涵蓋了12V～100V的全部電壓范圍，新的PBSS*PA系列集電極電流（ICM）峰值高達(dá)7A。
• 便于客戶采用SOT1061封裝產(chǎn)品代替大尺寸封裝的晶體管，從而在更小的占位面積上達(dá)到相同的性能。

采用SOT1061封裝的低VF肖特基整流器（PMEG*EPA系列）

• 恩智浦半導(dǎo)體公司的PMEG*EPA肖特基整流器，不僅具備低正向壓降，而且擁有高正向電流，是該類器件中第一款置于無鉛中功率SOT1061封裝中的產(chǎn)品。
• 五個(gè)符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的的單一類型，平均正向電流高達(dá)2A，反向電流在 20V和60V之間。并將在今年六月新增四個(gè)1A和2A的雙整流器。
• 集成的保護(hù)環(huán)用于應(yīng)力保護(hù)，與市場上其他同類產(chǎn)品相比，擁有更高的性能和效率。

上市時(shí)間

SOT1061和SOT1118中所有新的分立器件樣品可立即用于應(yīng)用設(shè)計(jì)。SOT1061中的低VCesat（BISS）晶體管和低VF單肖特基整流器已經(jīng)可以接受訂購。SOT1118封裝的恩智浦 P溝道MOSFET和FET-KY產(chǎn)品線以及SOT1061封裝的雙肖特基整流器將在今年六月底批量供貨。