產(chǎn)品特性：

• 額定峰值電壓為600 V
• 在單一封裝中結(jié)合了多個(gè)碳化硅二極管和多個(gè)功率晶體管
• 有助于家電和電力電子設(shè)備提高電源效率并實(shí)現(xiàn)更緊湊的設(shè)計(jì)

應(yīng)用范圍：

• 用于家電（如空調(diào)）、PC服務(wù)器和太陽能發(fā)電系統(tǒng)等電力電子產(chǎn)品

瑞薩電子碳化硅（SiC）功率器件系列

全球領(lǐng)先的高級(jí)半導(dǎo)體和解決方案的供應(yīng)商瑞薩電子株式會(huì)社（TSE：6723，以下簡稱“瑞薩電子”）宣布推出三款碳化硅（SiC）復(fù)合功率器件，它們是RJQ6020DPM、RJQ6021DPM和RJQ6022DPM。三款產(chǎn)品在單一封裝中結(jié)合了多個(gè)碳化硅二極管和多個(gè)功率晶體管，組成電源轉(zhuǎn)換電路。這些功率器件是瑞薩電子推出的采用碳化硅的第二個(gè)功率半導(dǎo)體產(chǎn)品系列。碳化硅是一種能有效降低損耗的新材料。全新功率器件旨在用于家電（如空調(diào)）、PC服務(wù)器和太陽能發(fā)電系統(tǒng)等電力電子產(chǎn)品。

最近，為了應(yīng)對(duì)環(huán)保問題，降低電氣設(shè)備功耗，提高電氣產(chǎn)品效率的需求不斷提高。特別是提高電源轉(zhuǎn)換效率，以降低空調(diào)、通信基站、PC服務(wù)器和太陽能發(fā)電系統(tǒng)等產(chǎn)品的電源轉(zhuǎn)換電路的功耗，以及電機(jī)和工業(yè)設(shè)備等應(yīng)用的逆變電路的功耗的趨勢(shì)日漸增強(qiáng)。這刺激了對(duì)具備更高效率和更低損耗特性的功率器件的巨大需求。為此，瑞薩電子推出了低損耗碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管（SiC-SBD）產(chǎn)品。緊隨其后推出的是全新碳化硅復(fù)合功率器件系列，這可通過結(jié)合SiC-SBD和大功率MOSFET或IGBT在單一封裝中實(shí)現(xiàn)電路（開關(guān)、電源轉(zhuǎn)換等）設(shè)計(jì)。

這些新產(chǎn)品的額定峰值電壓為600 V，并使用基于日立株式會(huì)社與瑞薩電子聯(lián)手開發(fā)的低漏電流SiC-SBD技術(shù)的碳化硅二極管。它們將低損耗與緊湊設(shè)計(jì)加以完美結(jié)合，并采用5針TO-3P封裝，而引腳分配則針對(duì)具體應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，因而很容易在配置電路單元時(shí)使用這些器件。

三款全新SiC功率器件的主要特性：

• (1) 面向臨界導(dǎo)通模式PFC應(yīng)用的RJQ6020DPM器件RJQ6020DPM器件在單一封裝中融合了一個(gè)SiC-SBD和兩個(gè)高壓功率MOSFET，適用于空調(diào)或平板電視電源開關(guān)電路等臨界導(dǎo)通模式PFC應(yīng)用。SiC-SBD的反向恢復(fù)時(shí)間（trr）僅為15納秒（ns），高壓功率MOSFET是采用深溝槽配置實(shí)現(xiàn)100 m?低導(dǎo)通電阻的高效超結(jié)（SJ-MOS）晶體管。全新RJQ6020DPM器件也可與瑞薩電子提供的R2A20112A/132臨界導(dǎo)通模式PFC-IC結(jié)合應(yīng)用，因而很容易實(shí)現(xiàn)交錯(cuò)控制。

• (2) 面向連續(xù)導(dǎo)通模式PFC應(yīng)用的RJQ6021DPM器件RJQ6021DPM器件在單一封裝中結(jié)合了一個(gè)SiC-SBD和兩個(gè)IGBT，適用于通信設(shè)備和PC服務(wù)器中的AC/DC整流器等PFC應(yīng)用。SiC-SBD的反向恢復(fù)時(shí)間（trr）僅15納秒（ns），超薄晶圓IGBT可提供1.5 V的低導(dǎo)通電壓，這適用于連續(xù)導(dǎo)通模式PFC應(yīng)用。全新RJQ6021DPM器件也可于瑞薩電子推出的R2A20114A連續(xù)導(dǎo)通模式PFC-IC結(jié)合應(yīng)用，因而很容易實(shí)現(xiàn)交錯(cuò)控制。

• (3) 面向半橋式逆變電路的RJQ6022DPM器件RJQ6022DPM器件在單一封裝中結(jié)合了兩個(gè)SiC-SBD和兩個(gè)IGBT，適用于空調(diào)和工業(yè)機(jī)械中電機(jī)驅(qū)動(dòng)半橋式逆變電路應(yīng)用。SiC-SBD的反向恢復(fù)時(shí)間（trr）僅15納秒（ns），超薄晶圓IGBT可提供1.5 V的低導(dǎo)通電壓和6微秒（μsec.）的短路時(shí)間（tsc），這適用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。一個(gè)RJQ6022DPM器件足以實(shí)現(xiàn)一個(gè)半橋式電路設(shè)計(jì)，而兩個(gè)則可以用于實(shí)現(xiàn)全橋配置，三個(gè)可用于實(shí)現(xiàn)三相橋電路設(shè)計(jì)。除簡化電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)外，RJQ6022DPM器件將作為套件解決方案的一部分，與RX600系列等瑞薩微控制器一起提供。

聚焦全新系列的高壓碳化硅復(fù)合功率器件，其開發(fā)是為了帶給客戶由微控制器及模擬和功率器件組成的整體解決方案，同時(shí)讓瑞薩電子躋身全球功率器件領(lǐng)袖行列。瑞薩電子計(jì)劃推出將全新碳化硅復(fù)合功率器件與微控制器、電源控制IC及其他器件相結(jié)合的套件解決方案。目前正在規(guī)劃裝有全新碳化硅復(fù)合功率器件、PFC-IC、RX600系列微控制器等的參考板，幫助客戶進(jìn)行套件評(píng)估和產(chǎn)品設(shè)計(jì)。