你的位置:首頁 > 測試測量 > 正文

Spansion推出40nm級浮柵工藝的3.0V單層單元NAND閃存樣品

發(fā)布時間:2012-06-11

產(chǎn)品特性:
  • 存儲容量在1Gb-8Gb
  • 工作溫度范圍在-40℃至85℃
  • 48引腳TSOP封裝
  • 標(biāo)準(zhǔn)NAND信號接口和指令集
  • 10年使用壽命
應(yīng)用范圍:
  • 車載信息娛樂
  • 機(jī)頂盒/電視
  • 無線通信基站

Spansion近日宣布,開始提供采用40nm級浮柵工藝的3.0V單層單元(SLC) 1Gb、2Gb和4Gb NAND閃存系列樣品,相應(yīng)的1.8V系列樣品將于2012年底出貨。與多層單元(MLC)的通用存儲SSD相比,SLC適于車載信息娛樂、機(jī)頂盒/電視等及無線通信基站的嵌入式數(shù)據(jù)存儲。

SLC NAND的主要特點為:存儲容量在1Gb-8Gb;25μs隨機(jī)存取,25ns順序存取,200μs編程速度,10萬次寫入周期;1位錯誤校正碼(ECC);工作溫度范圍在-40℃至85℃;10年使用壽命。

其他特點還有:48引腳TSOP封裝;標(biāo)準(zhǔn)NAND信號接口和指令集;FFS閃存文件系統(tǒng)軟件。

Spansion市場總監(jiān)曾子干解釋稱:“無線通信基站經(jīng)過1年左右就將對1.8 V的SLC NAND閃存有市場需求,而汽車電子由于嚴(yán)的苛可靠性要求,1-3年后才會有此類需求。從容量看,1Gb是目前汽車電子市場的主流需求。”

他還透露了2017年前的SLC NAND產(chǎn)品規(guī)劃,出于降低成本考慮,現(xiàn)在采用40nm級浮柵工藝的1Gb-8Gb SLC NAND,將在2012年底發(fā)展至30nm級工藝,并在2014年進(jìn)一步升級至20nm級。
特別推薦
技術(shù)文章更多>>
技術(shù)白皮書下載更多>>
熱門搜索
?

關(guān)閉

?

關(guān)閉