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電源技術(shù)的創(chuàng)新與發(fā)展
電源是位于市電（單相或三相）與負(fù)載之間，向負(fù)載提供優(yōu)質(zhì)電能的供電設(shè)備，是工業(yè)的基礎(chǔ)。本文描述了電源技術(shù)的創(chuàng)新以及發(fā)展。
2008-10-05
電源 技術(shù) 創(chuàng)新
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開關(guān)電源電磁干擾濾波器
隨著開關(guān)電源的發(fā)展，其中的電磁干擾問(wèn)題倍受重視，開關(guān)電源電磁干擾濾波器也就隨之產(chǎn)生。本文介紹了開關(guān)電源電磁干擾(EMI)的特點(diǎn)，電磁干擾濾波器設(shè)計(jì)原則和電磁干擾濾波器的電路結(jié)構(gòu)與參數(shù)選擇，以及電磁干擾濾波器的安裝。
2008-10-04
開關(guān)電源 電磁干擾 濾波器
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南方芯源推出全新A系列MOSFET
南方芯源(Samwin)開始向市場(chǎng)推廣全新A系列MOSFET。Samwin A系列采用先進(jìn)的6寸片0.6um生產(chǎn)線，產(chǎn)品的品質(zhì)因子處于國(guó)內(nèi)領(lǐng)先地位，與Fairchild uniFET產(chǎn)品一致。在民用級(jí)開關(guān)電源產(chǎn)品上完全可替代國(guó)外品牌。
2008-10-01
A系列MOSFET 開關(guān)電源
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AIS326DQ：ST針對(duì)汽車系統(tǒng)和工業(yè)應(yīng)用MEMS加速度傳感器
意法半導(dǎo)體推出旗下首款的汽車質(zhì)量級(jí)三軸MEMS加速度傳感器。新產(chǎn)品AIS326DQ符合AEC-Q100汽車產(chǎn)品質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)。意法半導(dǎo)體充分發(fā)揮成功的MEMS八寸晶圓廠制造能力，以具有競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格為系統(tǒng)集成商提供MEMS前沿技術(shù)。
2008-10-01
AIS326DQ MEMS加速度傳感器
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傳感器無(wú)線互聯(lián)標(biāo)準(zhǔn)及實(shí)現(xiàn)
本文介紹了IEEE802.15.4標(biāo)準(zhǔn)的概念、產(chǎn)生背景、特點(diǎn)、構(gòu)件及體系結(jié)構(gòu)、發(fā)展前景,并探討了基于IEEE802.15.4標(biāo)準(zhǔn)傳感器的實(shí)現(xiàn),對(duì)其實(shí)現(xiàn)中的問(wèn)題給出了解決方法。
2008-09-30
IEEE802.15.4 Zigbee協(xié)議 傳感器
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基于霍爾傳感器的直流電機(jī)轉(zhuǎn)速測(cè)量系統(tǒng)設(shè)計(jì)
本文介紹了一種由單片機(jī)C8051F060作為主控制器，使用霍爾傳感器進(jìn)行測(cè)量的直流電機(jī)轉(zhuǎn)速測(cè)量系統(tǒng)。文中詳細(xì)描述了這個(gè)系統(tǒng)的基本原理，軟硬件設(shè)計(jì)等，并用實(shí)驗(yàn)測(cè)試該系統(tǒng)得出結(jié)論。
2008-09-30
單片機(jī)C8051F060 霍爾傳感器 直流電機(jī)轉(zhuǎn)速測(cè)量系統(tǒng)
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UPS在EMC傳導(dǎo)干擾測(cè)試中的幾個(gè)問(wèn)題
本文介紹了UPS用濾波器扣制電源線在傳導(dǎo)干擾測(cè)試中遇到的濾波器選擇、安裝等問(wèn)題，給出了在不同條件下的測(cè)試結(jié)果，并對(duì)其產(chǎn)生原因和防護(hù)措施作了討論。
2008-09-30
UPS不間斷電源 EMC電磁兼容 濾波器
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高速CMOS 模擬集成電路中的靜電保護(hù)電路設(shè)計(jì)
本文分析了靜電放電( ESD) 保護(hù)的基本原理，指出了傳統(tǒng)的用于模擬電路的ESD 保護(hù)電路在高速電路應(yīng)用中的局限性。 提出了在端口的柵極接地NMOS 管和柵極接電源PMOS 管的基礎(chǔ)上，加上電源與地之間的高速靜電瀉放回路(片上保護(hù)) 的新電路結(jié)構(gòu)。 仿真結(jié)果表明，該電路滿足USB2.0 高速接口電路的ESD 保護(hù)...
2008-09-30
靜電放電保護(hù) 人體模型 片上保護(hù) 柵極接地的NMOS
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等離子體荷電噴霧逆變電源的研究
本文依據(jù)等離子體荷電噴霧的特點(diǎn)，以IGBT為核心器件，設(shè)計(jì)了脈寬調(diào)制型（PWM）15kHz高壓逆變電源，介紹了逆變電源主回路、PWM控制電路及過(guò)流保護(hù)回路。試驗(yàn)結(jié)果表明：在噴霧中使用等離子體技術(shù)，不僅噴霧的特性達(dá)到了改善，而且還增加了霧滴的荷電數(shù)量。
2008-09-30
物理 等離子體 逆變電源 IGBT 噴霧
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