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MM8202/MM8102：IDT推出全硅CMOS振蕩器
IDT推出全硅 CMOS 振蕩器 MM8202 和 MM8102。這些集成電路滿足小型化要求，在消費(fèi)、計(jì)算和存儲(chǔ)應(yīng)用中無(wú)需使用石英諧振器和振蕩器，為所有常見(jiàn)串行有線接口提供優(yōu)異的鏈接性能。
2010-05-07
MM8202 MM8102 IDT CMOS 振蕩器
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Lumex推出承受105℃高溫的7段LED
Lumex推出承受105℃高溫的7段LED ，QuasarBrite7段數(shù)字LED顯示器工作溫度高達(dá)105°C，用于高發(fā)熱環(huán)境中。0.25W顯示器采用0.28” ~ 4”字符高度，與標(biāo)準(zhǔn)驅(qū)動(dòng)器兼容。
2010-05-07
Lumex LED QuasarBrite CPS
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未來(lái)三年電子書將成為手持裝置成長(zhǎng)冠軍
工研院IEK提出預(yù)測(cè)，全球電子書出貨量將從2010年的720萬(wàn)臺(tái)增長(zhǎng)至2013年的2200萬(wàn)臺(tái)；成長(zhǎng)率高達(dá)208%，是手持式裝置中成長(zhǎng)幅度最高的。
2010-05-07
電子書 液晶 ICT
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針對(duì)LED照明燈具的能源之星標(biāo)準(zhǔn)發(fā)布最終版本
能源之星標(biāo)準(zhǔn)在經(jīng)過(guò)了三次草案的發(fā)布后，美國(guó)能源部（DOE）終于對(duì)LED光源燈具的能源之星標(biāo)準(zhǔn)發(fā)布了最后的確認(rèn)版本，并要求于2010年8月31日生效。
2010-05-07
能源之星 標(biāo)準(zhǔn) LED
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針對(duì)LED照明燈具的能源之星標(biāo)準(zhǔn)發(fā)布最終版本
能源之星標(biāo)準(zhǔn)在經(jīng)過(guò)了三次草案的發(fā)布后，美國(guó)能源部（DOE）終于對(duì)LED光源燈具的能源之星標(biāo)準(zhǔn)發(fā)布了最后的確認(rèn)版本，并要求于2010年8月31日生效。
2010-05-07
能源之星 標(biāo)準(zhǔn) LED
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針對(duì)LED照明燈具的能源之星標(biāo)準(zhǔn)發(fā)布最終版本
能源之星標(biāo)準(zhǔn)在經(jīng)過(guò)了三次草案的發(fā)布后，美國(guó)能源部（DOE）終于對(duì)LED光源燈具的能源之星標(biāo)準(zhǔn)發(fā)布了最后的確認(rèn)版本，并要求于2010年8月31日生效。
2010-05-07
能源之星 標(biāo)準(zhǔn) LED
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Si7625DN：Vishay推出30V P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET
日前，Vishay推出首款采用PowerPAK? 1212-8封裝的30V P溝道第三代TrenchFET?功率MOSFET --- Si7625DN，用于筆記本電腦、上網(wǎng)本和工業(yè)/通用系統(tǒng)中的適配器、負(fù)載和電池開(kāi)關(guān)，該器件的導(dǎo)通電阻是最低的還可以減小電壓降。
2010-05-07
Vishay TrenchFET MOSFET
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Si7625DN：Vishay推出30V P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET
日前，Vishay推出首款采用PowerPAK? 1212-8封裝的30V P溝道第三代TrenchFET?功率MOSFET --- Si7625DN，用于筆記本電腦、上網(wǎng)本和工業(yè)/通用系統(tǒng)中的適配器、負(fù)載和電池開(kāi)關(guān)，該器件的導(dǎo)通電阻是最低的還可以減小電壓降。
2010-05-07
Vishay TrenchFET MOSFET
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Li電池充電器CC-CV充電測(cè)試
由于鋰離子電池充電過(guò)程需要一小時(shí)或更長(zhǎng)時(shí)間，利用實(shí)際負(fù)載測(cè)試鋰電池充電器將非常耗時(shí)，而且往往不切實(shí)際。為了加快電池充電器測(cè)試，本文介紹了一個(gè)簡(jiǎn)單電路，用來(lái)模擬鋰離子電池。該電路提供了一個(gè)不使用實(shí)際電池對(duì)鋰電池充電器進(jìn)行測(cè)試的有效手段。
2010-05-06
Li電池 充電測(cè)試 CC-CV充電
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