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中芯國(guó)際推出0.11μm圖像傳感器制造技術(shù)
中國(guó)的中芯國(guó)際（SMIC）開(kāi)發(fā)出了生產(chǎn)0.11μm CMOS圖像傳感器的工藝技術(shù)。其0.11μm工藝技術(shù)的布線層所用金屬材料既可使用鋁（Al）也可使用銅（Cu）。該公司已開(kāi)始了0.11μm工藝技術(shù)的試生產(chǎn)，可采用200mm或300mm晶圓生產(chǎn)。
2008-10-30
CMOS圖像傳感器
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中芯國(guó)際推出0.11μm圖像傳感器制造技術(shù)
中國(guó)的中芯國(guó)際（SMIC）開(kāi)發(fā)出了生產(chǎn)0.11μm CMOS圖像傳感器的工藝技術(shù)。其0.11μm工藝技術(shù)的布線層所用金屬材料既可使用鋁（Al）也可使用銅（Cu）。該公司已開(kāi)始了0.11μm工藝技術(shù)的試生產(chǎn)，可采用200mm或300mm晶圓生產(chǎn)。
2008-10-30
CMOS圖像傳感器
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中芯國(guó)際推出0.11μm圖像傳感器制造技術(shù)
中國(guó)的中芯國(guó)際（SMIC）開(kāi)發(fā)出了生產(chǎn)0.11μm CMOS圖像傳感器的工藝技術(shù)。其0.11μm工藝技術(shù)的布線層所用金屬材料既可使用鋁（Al）也可使用銅（Cu）。該公司已開(kāi)始了0.11μm工藝技術(shù)的試生產(chǎn)，可采用200mm或300mm晶圓生產(chǎn)。
2008-10-30
CMOS圖像傳感器
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什么使連接器市場(chǎng)需求大增
2007年3G開(kāi)始進(jìn)入人們的視線，從而引發(fā)了一次連接器的大變革，“高溫”之下的手機(jī)連接器市場(chǎng)已經(jīng)出現(xiàn)飽和，利潤(rùn)逐漸降低，不少大連接器廠商及經(jīng)銷商開(kāi)始把目光集中在汽車(chē)行業(yè)，而迅速升溫的汽車(chē)行業(yè)，能使連接器行業(yè)達(dá)到新的頂峰呢？
2008-10-30
汽車(chē)連接器 手機(jī)連接器
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基于LLC的半橋零電壓開(kāi)關(guān)諧振變換器
講述了LLC諧振電路的工作原理和特點(diǎn)及其與其它一些諧振電路的比較，并且用Matlab對(duì)LLC諧振進(jìn)行了建模和仿真，分析了其工作區(qū)域。在此基礎(chǔ)上，用Philips公司的零電壓諧振控制器TEA1610構(gòu)建了一個(gè)200W的全諧振變換器。
2008-10-30
全諧振變換器 LLC 半橋 TEA1610
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系統(tǒng)時(shí)鐘源的比較選擇及高性能PLL的發(fā)展趨勢(shì)
本文分析了晶振模塊和PLL合成器這兩種主要的系統(tǒng)時(shí)鐘源的特點(diǎn)，并重點(diǎn)闡述了PLL合成器相對(duì)于晶振模塊的替代優(yōu)勢(shì)。此外，本文還結(jié)合安森美半導(dǎo)體新近推出的多款PLL時(shí)鐘器件，探討了高性能PLL的發(fā)展趨勢(shì)，如擴(kuò)展的頻率范圍、更低的相位噪聲，以及適合特定應(yīng)用的更寬的工作溫度范圍、可配置的多協(xié)議支...
2008-10-30
時(shí)鐘源 PLL 晶振
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系統(tǒng)時(shí)鐘源的比較選擇及高性能PLL的發(fā)展趨勢(shì)
本文分析了晶振模塊和PLL合成器這兩種主要的系統(tǒng)時(shí)鐘源的特點(diǎn)，并重點(diǎn)闡述了PLL合成器相對(duì)于晶振模塊的替代優(yōu)勢(shì)。此外，本文還結(jié)合安森美半導(dǎo)體新近推出的多款PLL時(shí)鐘器件，探討了高性能PLL的發(fā)展趨勢(shì)，如擴(kuò)展的頻率范圍、更低的相位噪聲，以及適合特定應(yīng)用的更寬的工作溫度范圍、可配置的多協(xié)議支...
2008-10-30
時(shí)鐘源 PLL 晶振
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論音頻輸出變壓器
本文主要討論了音頻變壓器的頻響以及音頻變壓器的繞制。
2008-10-30
音頻變壓器 頻響 繞制
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連接器選擇以及電鍍
用戶在選擇連接器時(shí)，既要考慮性能要求又要考慮因素。性能上必須滿足系統(tǒng)電氣設(shè)備的要求，經(jīng)濟(jì)上必須符合價(jià)值工程要求。本文主要介紹了選擇連接器時(shí)要考慮的五個(gè)方面因素及其電鍍工藝。
2008-10-30
連接器 選擇 電鍍
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