【導(dǎo)讀】Micro-LED是電流驅(qū)動(dòng)型發(fā)光器件，其驅(qū)動(dòng)方式一般只有兩種模式：無(wú)源選址驅(qū)動(dòng)與有源選址驅(qū)動(dòng)，此文還延伸有源驅(qū)動(dòng)的另一種“半有源”驅(qū)動(dòng)。這幾種模式具有不同的驅(qū)動(dòng)原理與應(yīng)用特色，下面將通過(guò)電路圖來(lái)具體介紹其原理。
什么是PM驅(qū)動(dòng)模式？
無(wú)源選址驅(qū)動(dòng)模式把陣列中每一列的LED像素的陽(yáng)極（P-electrode）連接到列掃描線（Data Current Source），同時(shí)把每一行的LED像素的陰極（N-electrode）連接到行掃描線（Scan Line）。當(dāng)某一特定的第Y列掃描線和第X行掃描線被選通的時(shí)候，其交叉點(diǎn)（X，Y）的LED像素即會(huì)被點(diǎn)亮。整個(gè)屏幕以這種方式進(jìn)行高速逐點(diǎn)掃描即可實(shí)現(xiàn)顯示畫(huà)面，如圖1所示。
這種掃描方式結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，較為容易實(shí)現(xiàn)。
但不足之處是連線復(fù)雜（需要X+Y根連線），寄生電阻電容大導(dǎo)致效率低，像素發(fā)光時(shí)間短（1場(chǎng)/XY）從而導(dǎo)致有效亮度低，像素之間容易串?dāng)_，并且對(duì)掃描信號(hào)的頻率需求較高。
另外一種優(yōu)化的無(wú)源選址驅(qū)動(dòng)方式是在列掃描部分加入鎖存器，其作用是把某一時(shí)刻第X行所有像素的列掃描信號(hào)（Y1， Y2… … Yn）提前存儲(chǔ)在鎖存器中。當(dāng)?shù)赬行被選通后，上述的Y1-Yn信號(hào)同時(shí)加載到像素上[3]。這種驅(qū)動(dòng)方式可以降低列驅(qū)動(dòng)信號(hào)頻率，增加顯示畫(huà)面的亮度和質(zhì)量。但仍然無(wú)法克服無(wú)源選址驅(qū)動(dòng)方式的天生缺陷：連線龐雜，易串?dāng)_，像素選通信號(hào)無(wú)法保存等。而有源選址驅(qū)動(dòng)方式為上述困難提供了良好的解決方案。
什么是AM驅(qū)動(dòng)模式？
在有源選址驅(qū)動(dòng)電路中，每個(gè)Micro-LED像素有其對(duì)應(yīng)的獨(dú)立驅(qū)動(dòng)電路，驅(qū)動(dòng)電流由驅(qū)動(dòng)晶體管提供?；镜挠性淳仃囼?qū)動(dòng)電路為雙晶體管單電容（2T1C：2 Transistor 1 Capacitor）電路，如圖2所示。
每個(gè)像素電路中使用至少兩個(gè)晶體管來(lái)控制輸出電流，T1為選通晶體管，用來(lái)控制像素電路的開(kāi)或關(guān)。T2是驅(qū)動(dòng)個(gè)晶體管，與電壓源聯(lián)通并在一場(chǎng)（Frame）的時(shí)間內(nèi)為Micro-LED提供穩(wěn)定的電流。該電路中還有一個(gè)存儲(chǔ)電容C1來(lái)儲(chǔ)存數(shù)據(jù)信號(hào)（Vdata）。當(dāng)該像素單元的掃描信號(hào)脈沖結(jié)束后，存儲(chǔ)電容仍能保持驅(qū)動(dòng)晶體管T2柵極的電壓，從而為Micro-LED像素源源不斷的驅(qū)動(dòng)電流，直到這個(gè)Frame結(jié)束。
2T1C驅(qū)動(dòng)電路只是有源選址Micro-LED的一種基本像素電路結(jié)構(gòu)，它結(jié)構(gòu)較為簡(jiǎn)單并易于實(shí)現(xiàn)。但由于其本質(zhì)是電壓控制電流源（VCCS），而Micro-LED像素是電流型器件，所以在顯示灰度的控制方面會(huì)帶來(lái)一定的難度。
什么是“半有源”選址驅(qū)動(dòng)方式
另外需要提及的是一種 “半有源”選址驅(qū)動(dòng)方式[6]。這種驅(qū)動(dòng)方式采用單晶體管作為Micro-LED像素的驅(qū)動(dòng)電路（如圖3所示），從而可以較好地避免像素之間的串?dāng)_現(xiàn)象。
三大驅(qū)動(dòng)方式對(duì)比
與無(wú)源選址相比，有源選址方式有著明顯的優(yōu)勢(shì)，更加適用于Micro-LED這種電流驅(qū)動(dòng)型發(fā)光器件。現(xiàn)詳細(xì)分析如下：
①有源選址的驅(qū)動(dòng)能力更強(qiáng)，可實(shí)現(xiàn)更大面積的驅(qū)動(dòng)。而無(wú)源選址的驅(qū)動(dòng)能力受外部集成電路驅(qū)動(dòng)性能的影響，驅(qū)動(dòng)面積于分辨率受限制。
② 有源選址有更好的亮度均勻性和對(duì)比度。在無(wú)源選址方式中，由于外部驅(qū)動(dòng)集成電路驅(qū)動(dòng)能力的有限，每個(gè)像素的亮度受這一列亮起像素的個(gè)數(shù)影響。一般來(lái)說(shuō)，同一列的Micro-LED像素共享外部驅(qū)動(dòng)集成電路的一個(gè)或多個(gè)輸出引腳的驅(qū)動(dòng)電流。所以，當(dāng)兩列中亮起的像素個(gè)數(shù)不一樣的時(shí)，施加到每個(gè)LED像素上的驅(qū)動(dòng)電流將會(huì)不一樣，不同列的亮度就會(huì)差別很大。這個(gè)問(wèn)題將會(huì)更加嚴(yán)重地體現(xiàn)在大面積顯示應(yīng)用中，如LED電視與LED大屏幕等。同時(shí)隨著行數(shù)和列數(shù)的增加，這個(gè)問(wèn)題也會(huì)變得更嚴(yán)峻。
③ 有源選址可實(shí)現(xiàn)低功耗高效率。大面積顯示應(yīng)用需要比較大的像素密度，因此就必須盡可能減小電極尺寸，而驅(qū)動(dòng)顯示屏所需的電壓也會(huì)極大的上升，大量的功率將損耗在行和列的掃描線上，從而導(dǎo)致效率低下。
④ 高獨(dú)立可控性。無(wú)源選址中，較高的驅(qū)動(dòng)電壓也會(huì)帶來(lái)第二個(gè)麻煩，即串?dāng)_，也就是說(shuō)，在無(wú)源選址LED陣列中，驅(qū)動(dòng)電流理論上只從選定的LED像素通過(guò)，但周?chē)钠渌袼貙?huì)被電流脈沖影響，最終也會(huì)降低顯示質(zhì)量。有源選址方式則通過(guò)由選通晶體管和驅(qū)動(dòng)晶體管構(gòu)成的像素電路很好的避免了這種現(xiàn)象。
⑤更高的分辨率。有源選址驅(qū)動(dòng)的更適用于高PPI高分辨率的Micro-LED顯示。
而第三種“半有源”驅(qū)動(dòng)雖然可以較好地避免像素之間的串?dāng)_現(xiàn)象，但是由于其像素電路中沒(méi)有存儲(chǔ)電容，并且每一列的驅(qū)動(dòng)電流信號(hào)需要單獨(dú)調(diào)制，并不能完全達(dá)到上面列出的有源選址驅(qū)動(dòng)方式的全部?jī)?yōu)勢(shì)。
以藍(lán)寶石襯底上外延生長(zhǎng)的藍(lán)光Micro-LED為例，像素和驅(qū)動(dòng)晶體管T2的連接方式有圖4所示的4種。但由于LED外延生長(zhǎng)結(jié)構(gòu)是p型氮化鎵（GaN）在最表面而n型氮化鎵在底層，如圖5所示。從制備工藝角度出發(fā)驅(qū)動(dòng)晶體管的輸出端與Micro-LED像素的p電極連接較為合理，即圖4中的（a）和（c）。
圖4（a）中Micro-LED像素連接在N型驅(qū)動(dòng)晶體管的源極（Source）。由外延生長(zhǎng)（Epitaxial Growth）、制備工藝、及器件老化所產(chǎn)生的不均勻性所導(dǎo)致的Micro-LED電學(xué)特性的不均勻性將會(huì)直接影響驅(qū)動(dòng)晶體管的VGS，從而造成顯示圖像的不均勻。而圖4（c）中的Micro-LED像素連接在P型驅(qū)動(dòng)晶體管的漏極（Drain），可以避免上述影響，其電流-電壓關(guān)系圖6所示。因此，有P管像素電路驅(qū)動(dòng)Micro-LED較為適宜。
