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意法半導(dǎo)體推出無(wú)感零速/高轉(zhuǎn)矩電機(jī)控制嵌入式軟件
意法半導(dǎo)體發(fā)布了STM32 ZeST*(零速滿(mǎn)轉(zhuǎn)矩)軟件算法。該算法運(yùn)行在STM32微控制器上，讓無(wú)感電機(jī)驅(qū)動(dòng)器能夠在零轉(zhuǎn)速時(shí)產(chǎn)生最大轉(zhuǎn)矩。意法半導(dǎo)目前正在與指定客戶(hù)分享這個(gè)算法。該算法首次在通用電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中提供零速滿(mǎn)轉(zhuǎn)矩電機(jī)控制功能，實(shí)現(xiàn)了以前無(wú)法實(shí)現(xiàn)的電機(jī)運(yùn)行平順性和可預(yù)測(cè)性。
2023-12-21
意法半導(dǎo)體 電機(jī)控制 嵌入式軟件
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數(shù)字電壓模塊解決方案
六位半數(shù)字萬(wàn)用電表（DMM）常用作實(shí)驗(yàn)室的調(diào)試工具，經(jīng)常會(huì)有人問(wèn)什么是六位半？具體來(lái)說(shuō)就是測(cè)量值可顯示的數(shù)值第一位數(shù)，只能顯示正負(fù)和0，1，所以稱(chēng)之為?位，其它位數(shù)可顯示0～9，我們稱(chēng)之為一位，例如，一個(gè)六位半數(shù)字萬(wàn)用表可顯示的數(shù)值范圍為-1999999至1999999。這也是萬(wàn)用電表的測(cè)量精度，可...
2023-12-21
數(shù)字電壓模塊
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SiC MOSFET用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)的優(yōu)勢(shì)
低電感電機(jī)有許多不同應(yīng)用，包括大氣隙電機(jī)、無(wú)槽電機(jī)和低泄露感應(yīng)電機(jī)。它們也可被用在使用PCB定子而非繞組定子的新電機(jī)類(lèi)型中。這些電機(jī)需要高開(kāi)關(guān)頻率（50-100kHz）來(lái)維持所需的紋波電流。然而，對(duì)于50kHz以上的調(diào)制頻率使用絕緣柵雙極晶體管（IGBT）無(wú)法滿(mǎn)足這些需求，如果是380V系統(tǒng)，硅MOSFET...
2023-12-20
SiC MOSFET 電機(jī)驅(qū)動(dòng)
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詳細(xì)了解i.MX 8ULP應(yīng)用處理器
現(xiàn)代世界正逐漸采用更自然的人機(jī)界面（HMI）。我們不僅可以與智能音箱交談，還可以在紙張般的電子閱讀器上閱讀。電子產(chǎn)品已成為我們的數(shù)字伙伴，而不再是被電源插座限制的系統(tǒng)。
2023-12-20
i.MX 8ULP 應(yīng)用處理器
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小電芯組合成大電池，保證性能和安全，BMS是關(guān)鍵！
為了實(shí)現(xiàn)碳中和，人們正在開(kāi)發(fā)和利用有助于擺脫化石燃料的多種技術(shù)，例如信息處理技術(shù)、電池技術(shù)、半導(dǎo)體、系統(tǒng)技術(shù)和電機(jī)技術(shù)等。為了利用先進(jìn)技術(shù)來(lái)創(chuàng)造和有效利用新能源，還需要針對(duì)新技術(shù)進(jìn)行優(yōu)化后的周邊技術(shù)。電容器、電感器、模塊元件、傳感器等也將出現(xiàn)新的技術(shù)需求。
2023-12-20
小電芯 電池 BMS
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如何使用電子保險(xiǎn)絲克服傳統(tǒng)保護(hù)器件的局限性
在現(xiàn)代汽車(chē)和工業(yè)應(yīng)用中，可靠性至關(guān)重要。從汽車(chē)域控制器，到工業(yè)應(yīng)用中的計(jì)算機(jī)數(shù)控等產(chǎn)品，無(wú)論最終產(chǎn)品是簡(jiǎn)單還是復(fù)雜，如果不能保證可靠性，就很可能損害制造商的聲譽(yù)。此外，還需要考慮保修維修的成本，甚至是召回產(chǎn)品的成本。
2023-12-19
電子保險(xiǎn)絲 保護(hù)器件 局限性
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超結(jié)MOS/低壓MOS在5G基站電源上的應(yīng)用
5G基站是5G網(wǎng)絡(luò)的核心設(shè)備，實(shí)現(xiàn)有線(xiàn)通信網(wǎng)絡(luò)與無(wú)線(xiàn)終端之間的無(wú)線(xiàn)信號(hào)傳輸，5G基站主要分為宏基站和小基站。5G基站由于通信設(shè)備功耗大，采用由電源插座、交直流配電、防雷器、整流模塊和監(jiān)控模塊組成的電氣柜。所以顧名思義，5G電源就是指5G通訊設(shè)備專(zhuān)用電源。
2023-12-18
超結(jié)MOS 低壓MOS 5G基站電源
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集成理想二極管、源選擇器和eFuse有助于增強(qiáng)系統(tǒng)魯棒性
理想二極管使用低導(dǎo)通電阻功率開(kāi)關(guān)（通常為MOSFET）來(lái)模擬二極管的單向電流行為，但沒(méi)有二極管的壓降損失。借助額外的背靠背MOSFET和控制電路，該解決方案可以提供更多的系統(tǒng)控制功能，例如優(yōu)先源選擇、限流、浪涌限制等。在傳統(tǒng)解決方案中，這些功能分散在不同的控制器中，因此實(shí)現(xiàn)完整的系統(tǒng)保護(hù)...
2023-12-18
理想二極管 源選擇器 eFuse 魯棒性
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悉尼科技大學(xué)利用MVG緊縮型吸波暗室成為澳大利亞天線(xiàn)研究領(lǐng)域領(lǐng)導(dǎo)者
悉尼科技大學(xué)（UTS）全球大數(shù)據(jù)技術(shù)中心 (GBDTC) 的秦培源博士和郭玉杰特聘教授共同領(lǐng)導(dǎo)該校在未來(lái)無(wú)線(xiàn)通信領(lǐng)域的先進(jìn)天線(xiàn)研發(fā)工作。秦博士和他的團(tuán)隊(duì)所從事的天線(xiàn)研發(fā)工作需要在電磁頻譜的不同部分測(cè)量性能: 8 GHz-26.5 GHz和60 GHz-90GHz。前者用于為 4G/5G 開(kāi)發(fā)先進(jìn)的毫米波 (mmWave) 天線(xiàn), 后者...
2023-12-15
悉尼科技大學(xué) MVG 吸波暗室
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