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通信電源應(yīng)用注意事項(xiàng)
金升陽(yáng)VCB系列產(chǎn)品是通信行業(yè)專用的經(jīng)濟(jì)開(kāi)板磚類電源，由于其高性價(jià)比、高功率密度等的優(yōu)勢(shì)，被廣泛應(yīng)用于工控、物聯(lián)網(wǎng)等行業(yè)。但在不了解產(chǎn)品特性的情況下使用容易出現(xiàn)：上電輸出電壓偏高、超出滿載溫度降額點(diǎn)不會(huì)使用或PCB走線不會(huì)設(shè)計(jì)的問(wèn)題，本文將逐一進(jìn)行解答。
2023-11-17
通信電源 注意事項(xiàng)
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IEPE傳感器與電荷輸出傳感器
在本文中，我們將查看可用于向 IEPE 傳感器供電的典型電源裝置的圖表。我們還將了解 IEPE 型和電荷輸出傳感器的優(yōu)點(diǎn)和局限性。
2023-11-16
IEPE傳感器 電荷 傳感器
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『這個(gè)知識(shí)不太冷』探索5G射頻技術(shù)（下）
5G愿景的真正實(shí)現(xiàn)，還需要更多創(chuàng)新。網(wǎng)絡(luò)基站和用戶設(shè)備（例如：手機(jī)） 變得越來(lái)越纖薄和小巧，能耗也變得越來(lái)越低。為了適合小尺寸設(shè)備，許多射頻應(yīng)用所使用的印刷電路板（PCB）也在不斷減小尺寸。因此，射頻應(yīng)用供應(yīng)商必須開(kāi)發(fā)新的封裝技術(shù)，盡量減小射頻組件的占位面積。再進(jìn)一步，部分供應(yīng)商開(kāi)...
2023-11-16
5G 射頻技術(shù)
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如何直觀的理解波導(dǎo)中微波的模式（TE\TM\TEM）？
光的傳播形態(tài)分類：根據(jù)傳播方向上有無(wú)電場(chǎng)分量或磁場(chǎng)分量，可分為TE\TM\TEM三類，任何光都可以這三種波的合成形式表示出來(lái)。三者可以這樣記憶：橫電磁波就是電和磁都是橫著的，橫電波只有電場(chǎng)是橫的，橫磁波就只有磁場(chǎng)是橫的。
2023-11-16
波導(dǎo) 微波 模式
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什么是去耦電容器？
眾所周知，電容器在電子電路中起到提供局部能量存儲(chǔ)和穩(wěn)定電源電壓的作用。去耦電容器是一種特殊類型的電容器，可對(duì)兩個(gè)電路進(jìn)行隔離或去耦。換言之，這類電容器可將交流信號(hào)與直流信號(hào)去耦，反之亦然1。去耦電容器就像一個(gè)緩沖器，為元件提供清潔穩(wěn)定的電源，從而最大限度地降低故障發(fā)生、噪聲耦合...
2023-11-15
去耦電容器
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連接器如何推動(dòng)可持續(xù)發(fā)展
可持續(xù)性無(wú)疑已經(jīng)成為現(xiàn)代工業(yè)制造領(lǐng)域的焦點(diǎn)議題之一。這不僅要求所使用的材料具有可持續(xù)性，生產(chǎn)流程也不例外。可持續(xù)的流程不僅要求高效，還要通過(guò)諸如避免機(jī)器停機(jī)和縮短停機(jī)時(shí)間來(lái)節(jié)省資源和成本。此外，員工的工作時(shí)長(zhǎng)是生產(chǎn)設(shè)施的寶貴資源之一，而高效的維護(hù)和安裝則是確保這一資源得到最大...
2023-11-14
連接器
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使用分流電阻器增強(qiáng)電流感應(yīng)以提高效率
電力電子集成系統(tǒng)帶來(lái)了許多優(yōu)勢(shì)，例如提高效率、增強(qiáng)可靠性以及簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)和組裝。隨著各行業(yè)快速電氣化，對(duì)集成系統(tǒng)和模塊的需求不斷增加。碳化硅和氮化鎵晶體管（稱為寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體）等先進(jìn)功率半導(dǎo)體器件的出現(xiàn)，進(jìn)一步推動(dòng)了對(duì)集成解決方案的需求，以實(shí)現(xiàn)性能和成本效益。
2023-11-13
分流電阻器 電流感應(yīng)
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『這個(gè)知識(shí)不太冷』探索5G射頻技術(shù)（上）
『這個(gè)知識(shí)不太冷』系列，旨在幫助小伙伴們喚醒知識(shí)的記憶，將挑選一部分Qorvo劃重點(diǎn)的知識(shí)點(diǎn)，結(jié)合產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀解讀，以此溫故知新、查漏補(bǔ)缺。接下來(lái)，我們談一談5G射頻。
2023-11-12
5G 射頻技術(shù)
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了解 MOSFET 通態(tài)漏源電阻
分立 MOSFET 數(shù)據(jù)表中重要的規(guī)格之一是漏源通態(tài)電阻，縮寫為 R DS (on)。這個(gè) R DS (on)想法看起來(lái)非常簡(jiǎn)單：當(dāng) FET 處于截止?fàn)顟B(tài)時(shí)，源極和漏極之間的電阻非常高，以至于我們假設(shè)電流為零。當(dāng) FET 的柵源電壓 (V GS ) 超過(guò)閾值電壓 (V TH ) 時(shí)，它處于“導(dǎo)通狀態(tài)”，漏極和源極通過(guò)電阻等于 R DS(on)...
2023-11-11
MOSFET 通態(tài)漏源電阻
- 協(xié)同創(chuàng)新，助汽車行業(yè)邁向電氣化、自動(dòng)化和互聯(lián)化的未來(lái)
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