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Vishay推出采用TurboFET技術(shù)第三代功率MOSFET

發(fā)布時(shí)間:2008-12-05

產(chǎn)品特性:Vishay采用TurboFET技術(shù)第三代功率MOSFET

  • 新產(chǎn)品包括兩款20V 和兩款30V n通道器件
  • 首次采用TurboFET技術(shù),柵極電荷降低多達(dá) 45%
  • 超低的導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積
  • 可選擇以更高的頻率工作
  • 均無(wú)鹵素,且 100% 通過(guò) Rg 和 UIS 測(cè)試

應(yīng)用范圍:

  • 筆記本電腦、穩(wěn)壓器模塊
  • 服務(wù)器及其他系統(tǒng)

日前,Vishay Intertechnology, Inc.推出兩款 20V 和兩款 30V n通道器件,從而擴(kuò)展其第三代TrenchFET功率MOSFET系列。這些器件首次采用TurboFET技術(shù),利用新電荷平衡漏結(jié)構(gòu)將柵極電荷降低多達(dá) 45%,從而大幅降低切換損耗及提高切換速度。

這次Vishay推出的20V 器件包括SiS426DN 和SiR496DP,其中SiS426DN器件采用尺寸 3mm × 3mm 的 PowerPAK 1212-8 封裝,可為此額定電壓的設(shè)備提供最低的導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積。對(duì)于SiS426DN 而言,直流到直流轉(zhuǎn)換器中針對(duì) MOSFET 的此關(guān)鍵優(yōu)值 (FOM) 在 4.5V 時(shí)為 76.6 m?-nC,而在 10 V 時(shí)為 117.60 m?-nC;它在 4.5V 柵極驅(qū)動(dòng)時(shí)典型柵極電荷低至 13.2 nC,在 10V 柵極驅(qū)動(dòng)時(shí)低至 28 nC。與最接近的同類競(jìng)爭(zhēng)器件相比,這些規(guī)格意味著在 4.5V 及 10V 時(shí)柵極電荷分別降低 45% 與 36%,F(xiàn)OM 降低 50%。更低的柵極電荷意味著在所有頻率時(shí)更有效的切換,尤其是可讓設(shè)計(jì)人員選擇以更高的頻率工作,從而確保在直流到直流轉(zhuǎn)換器中使用更小的無(wú)源元件。

Vishay 的 30V TurboFET 系列包括采用 PowerPAK 1212-8 封裝的新型 Si7718DN 和采用 PowerPAK SO-8 封裝的 Si7784DP。兩款 MOSFET 在 4.5V 和 10V 時(shí)典型柵極電荷分別為 13.7 nC 和 30 nC,且在 4.5V 和 10V 時(shí)導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積 FOM 分別為 112.34 m?-nC 和 180 m?-nC。采用 PowerPAK SO-8 封裝的 20V SiS426DN 器件 SiR496DP 也可用于大電流應(yīng)用。日前推出的所有器件均無(wú)鹵素,且 100% 通過(guò) Rg 和 UIS 測(cè)試。

這些器件將在同步降壓轉(zhuǎn)換器中用作高端 MOSFET,通過(guò)使用負(fù)載點(diǎn) (POL) 功率轉(zhuǎn)換有助于節(jié)省筆記本電腦、穩(wěn)壓器模塊 (VRM)、服務(wù)器及其他系統(tǒng)的功耗。

器件規(guī)格表:

型號(hào)

SiS426DN

SiR496DP

Si7718DN

Si7784DP

封裝

PowerPAK

1212-8

PowerPAK

SO-8

PowerPAK

1212-8

PowerPAK

SO-8

VDS

20

30

RDS(在 4.5 V 時(shí))

5.8 m?

8.2 m?

RDS(在 10 V 時(shí))

4.2 m?

6 m?

典型 QG(在 4.5 V 時(shí))

13.2 nC

13.7 nC

典型 QG(在 10 V 時(shí))

28 nC

30 nC

RDS(on) x QG @

VGS = 4.5 V

76.6 m?-nC

112.34 m?-nC

RDS(on) x QG @

VGS = 10 V

117.6 m?-nC

180 m?-nC

目前采用 TurboFET 技術(shù)的第三代功率 MOSFET 可提供樣品,并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),大宗訂單的供貨周期為 10 12 周。

 

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