產(chǎn)品特點：

• 新產(chǎn)品采用NEC電子的SuperJunction技術(shù)
• 可最小化開關(guān)損耗并提高系統(tǒng)效率
• SuperJunction技術(shù)可減少超過30%的柵電荷和輸入電容
• 保持極低的導(dǎo)通電阻

• 適用于高效率大電流開關(guān)應(yīng)用
• 汽車工程中的EPS（電子動力轉(zhuǎn)向）或ABS
• 低電壓工業(yè)驅(qū)動技術(shù)中的叉車驅(qū)動或其他由電池驅(qū)動的設(shè)備

近日，NEC電子（歐洲）推出兩款新品NP110N04PUJ和NP110N055PUJ，以擴(kuò)展其低電壓PowerMOSFET系列產(chǎn)品。新產(chǎn)品采用NEC電子的SuperJunction技術(shù)，具有杰出的優(yōu)值系數(shù)（FOM），可最小化開關(guān)損耗并提高系統(tǒng)效率。

與UMOS-4溝道技術(shù)相比，SuperJunction技術(shù)可減少超過30%的柵電荷和輸入電容，同時保持極低的導(dǎo)通電阻RDS(on)。該技術(shù)通過在溝道單元的有源P-阱下面增加P型摻雜區(qū)域來提高摻雜度，從而降低N型外延層的電阻。這意味著在導(dǎo)通電阻不變的情況下可增加設(shè)計規(guī)則的寬度，從而降低柵電荷。

目前，新產(chǎn)品采用流行的D2PAK封裝將四個元件封裝于內(nèi)，漏源電壓為40V和55V，并準(zhǔn)備量產(chǎn)。NP110N04PUJ和NP110N055PUJ的柵電荷僅為150 nC，導(dǎo)通電阻RDS(on)分別為1.8 mΩ和2.4 mΩ。和NP系列的其他產(chǎn)品一樣，新產(chǎn)品符合AEC-Q101資質(zhì)，最高通道溫度為175℃，純錫電鍍引腳完全符合RoHS要求。

采用SuperJunction技術(shù)的PowerMOSFET產(chǎn)品NP110N04PUJ和NP110N055PUJ適用于高效率大電流開關(guān)應(yīng)用，包括汽車工程中的EPS（電子動力轉(zhuǎn)向）或ABS，低電壓工業(yè)驅(qū)動技術(shù)中的叉車驅(qū)動或其他由電池驅(qū)動的設(shè)備。