產(chǎn)品特性：

• 采用緊湊、薄型封裝的雙P溝道MOSFET
• 能夠滿(mǎn)足便攜設(shè)計(jì)的嚴(yán)苛要求
• 采用延長(zhǎng)電池壽命的技術(shù)，實(shí)現(xiàn)更薄、更小的應(yīng)用
• 采用超薄的微型引線框架的MicroFET 封裝
• 具有出色的熱阻，能提供超卓的功率耗散，并可減少傳導(dǎo)損耗
• 獲得極低的RDS(ON) 值、柵級(jí)電荷 (QG) 和米勒電荷 (QGD)
• 顯箸減少傳導(dǎo)損耗和提升開(kāi)關(guān)性能

應(yīng)用范圍：

• 便攜應(yīng)用

飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 為便攜應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員帶來(lái)具有業(yè)界最低RDS(ON) 的20V 2mm x 2mm x 0.55mm 薄型MicroFET MOSFET器件。FDMA6023PZT是采用緊湊、薄型封裝的雙P溝道MOSFET，能夠滿(mǎn)足便攜設(shè)計(jì)的嚴(yán)苛要求，采用延長(zhǎng)電池壽命的技術(shù)，實(shí)現(xiàn)更薄、更小的應(yīng)用。FDMA6023PZT采用超薄的微型引線框架的MicroFET 封裝，相比傳統(tǒng)的MOSFET，它具有出色的熱阻，能提供超卓的功率耗散，并可減少傳導(dǎo)損耗。該器件采用飛兆半導(dǎo)體性能先進(jìn)的PowerTrench® MOSFET工藝技術(shù)，獲得極低的RDS(ON) 值、柵級(jí)電荷 (QG) 和米勒電荷 (QGD) — 這些都顯箸減少傳導(dǎo)損耗和提升開(kāi)關(guān)性能。

FDMA6023PZT 是飛兆半導(dǎo)體全面的 MicroFET MOSFET 產(chǎn)品系列的一員，在應(yīng)對(duì)當(dāng)今功能豐富之便攜應(yīng)用的功率設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)方面起著關(guān)鍵的作用，該產(chǎn)品系列包括20V P溝道 PowerTrench MOSFET 器件FDMA1027PT，以及帶有肖特基二極管的20V P溝道PowerTrench MOSFET器件FDFMA2P853T。與常用于低壓設(shè)計(jì)的3mm x 3mm x 1.1mm MOSFET器件相比，這些產(chǎn)品的面積減小了 55% 而高度則降低達(dá) 50%。

價(jià)格 (訂購(gòu)1000個(gè)，每個(gè))：0.48美元
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