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Si8497DB/Si8487DB:Vishay推出小尺寸低導(dǎo)通電阻MOSFET

發(fā)布時(shí)間:2012-02-21

產(chǎn)品特性:

  • 小巧的外形尺寸
  • 低導(dǎo)通電阻
  • 符合IEC 61249-2-21無(wú)鹵素規(guī)定
  • 符合RoHS指令2002/95/EC

應(yīng)用范圍:

  • 智能手機(jī)、平板電腦、POS設(shè)備和移動(dòng)計(jì)算等手持設(shè)備


日前,Vishay宣布引入兩款在尺寸和導(dǎo)通電阻上設(shè)立了新的行業(yè)基準(zhǔn)的p溝道30V器件---Si8497DB和Si8487DB,擴(kuò)充其MICRO FOOT TrenchFET Gen III功率MOSFET家族。新的Si8497DB是業(yè)內(nèi)首款采用小巧的1mm x 1.5mm外形尺寸的30V芯片級(jí)MOSFET,是目前市場(chǎng)上尺寸最小的此類器件;而Si8487DB在1.6mm x 1.6mm外形尺寸的30V芯片級(jí)器件中具有最低的導(dǎo)通電阻。

Vishay的TrenchFET Gen III p溝道MOSFET使用了先進(jìn)的加工工藝,在每平方英寸的硅片內(nèi)裝入了10億個(gè)晶體管單元。這種最前沿的技術(shù)實(shí)現(xiàn)了超精細(xì)、亞微米的節(jié)距工藝,把目前業(yè)內(nèi)最好的p溝道MOSFET所能達(dá)到的導(dǎo)通電阻降低了近一半。芯片級(jí)的MICRO FOOT技術(shù)不但能節(jié)省空間,實(shí)現(xiàn)更小、更薄的終端產(chǎn)品,而且能夠在給定的外形內(nèi)使用更大的硅片。

Si8497DB和Si8487DB可在智能手機(jī)、平板電腦、銷售點(diǎn)(POS)設(shè)備和移動(dòng)計(jì)算等手持設(shè)備中用于負(fù)載、電池和充電器的切換。在筆記本電腦的電池管理電路中,MOSFET的低導(dǎo)通電阻能夠在負(fù)載開關(guān)上實(shí)現(xiàn)更低的電壓降,從而減少欠壓鎖定問(wèn)題的發(fā)生。在平板電腦、智能手機(jī)和銷售點(diǎn)設(shè)備的充電器中,低導(dǎo)通電阻意味著可以使用更大的充電電流,使電池充電的速度更快。

對(duì)于設(shè)計(jì)者,Si8487DB和Si8497DB為他們提供了滿足其特定應(yīng)用需求的外形尺寸和導(dǎo)通電阻。對(duì)于小占用空間能夠帶來(lái)產(chǎn)品增值的場(chǎng)合,1.5mm x 1mm的Si8497DB同時(shí)具有0.59mm的最大高度,以及4.5V、2.5V和2.0V下53mΩ、71mΩ和120mΩ的低導(dǎo)通電阻。對(duì)于低導(dǎo)通電阻是重要考慮因素的應(yīng)用,Si8487DB能在10V、4.5V和2.5V下提供31mΩ、35mΩ和45mΩ的低導(dǎo)通電阻,0.6mm的最大高度,以及此類p溝道功率MOSFET中最低的導(dǎo)通電阻值。

器件符合IEC 61249-2-21的無(wú)鹵素規(guī)定,符合RoHS指令2002/95/EC。Si8487DB與Vishay的30V Si8409DB保持引腳兼容。

新的Si8487DB和Si8497DB TrenchFET功率MOSFET現(xiàn)可提供樣品,并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),大宗訂貨的供貨周期為十二周。

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