【導(dǎo)讀】開關(guān)電源設(shè)計(jì)中，在測定EMI性能時(shí)我們會發(fā)現(xiàn)，無論采用何種方法濾波都會出現(xiàn)超出規(guī)范幾dB的問題，因此，該如何設(shè)計(jì)以達(dá)到EMI性能要求呢？本次開關(guān)電源設(shè)計(jì)將帶來降低EMI性能的小技巧。
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在測定EMI性能時(shí)，您是否發(fā)現(xiàn)無論您采用何種方法濾波都依然會出現(xiàn)超出規(guī)范幾dB 的問題呢？有一種方法或許可以幫助您達(dá)到EMI性能要求，或簡化您的濾波器設(shè)計(jì)。這種方法涉及了對電源開關(guān)頻率的調(diào)制，以引入邊帶能量，并改變窄帶噪聲到寬帶的發(fā)射特征，從而有效地衰減諧波峰值。需要注意的是，總體 EMI 性能并沒有降低，只是被重新分布了。
利用正弦調(diào)制，可控變量的兩個(gè)變量為調(diào)制頻率 (fm) 以及您改變電源開關(guān)頻率 (Δf) 的幅度。調(diào)制指數(shù) (Β) 為這兩個(gè)變量的比：
圖8.1顯示了通過正弦波改變調(diào)制指數(shù)產(chǎn)生的影響。當(dāng)Β=0時(shí)，沒有出現(xiàn)頻移，只有一條譜線。當(dāng)Β=1時(shí)，頻率特征開始延伸，且中心頻率分量下降了20%。當(dāng)Β=2時(shí)，該特征將進(jìn)一步延伸，且最大頻率分量為初始狀態(tài)的60%。頻率調(diào)制理論可以用于量化該頻譜中能量的大小。Carson法則表明大部分能量都將被包含在2 * (Δf + fm) 帶寬中。
圖8.1：調(diào)制電源開關(guān)頻率延伸了EMI特征
圖8.2顯示了更大的調(diào)制指數(shù)，并表明降低12dB以上的峰值EMI性能是有可能的。
圖8.2：更大的調(diào)制指數(shù)可以進(jìn)一步降低峰值EMI性能
但是，如果您選取的頻率太高，那么電源控制環(huán)路可能無法完全控制這種變化，從而帶來相同速率下的輸出電壓變化。另外，這種調(diào)制還會引起電源中出現(xiàn)可聞噪聲。因此，我們選取的調(diào)制頻率一般不能高出接收機(jī)帶寬太多，但要大于可聞噪聲范圍。
很顯然，從圖8.2我們可以看出，較大地改變工作頻率更為可取。然而，這樣會影響到電源設(shè)計(jì)，意識到這一點(diǎn)非常重要。也就是說，為最低工作頻率選擇磁性元件。此外，輸出電容還需要處理更低頻率運(yùn)行帶來的更大的紋波電流。
圖8.3對有頻率調(diào)制和無頻率調(diào)制的EMI性能測量值進(jìn)行了對比。此時(shí)的調(diào)制指數(shù)為4，正如我們預(yù)料的那樣，基頻下EMI性能大約降低了8dB。其他方面也很重要。諧波被抹入 (smear into) 同其編號相對應(yīng)的頻帶中，即第三諧波延展至基頻的三倍。這種情況會在一些較高頻率下重復(fù)，從而使噪聲底限大大高于固定頻率的情況。因此，這種方法可能并不適用于低噪聲系統(tǒng)。但是，通過增加設(shè)計(jì)裕度和最小化EMI濾波器成本，許多系統(tǒng)都已受益于這種方法。
圖8.3 改變電源頻率降低了基頻但提高了噪聲底限
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