逆變電路及其控制
正弦脈寬調(diào)制(SPWM)技術(shù)在逆變器的控制中得到了廣泛應(yīng)用,正弦脈寬調(diào)制方式很多,在此不一一描述。本電路采用的是倍頻式的調(diào)制方式,下面簡單加以介紹。
全橋逆變電路的基本結(jié)構(gòu)如圖1所示。在倍頻式調(diào)制方式中,四個(gè)開關(guān)管的門極脈沖信號Vg1~Vg4的產(chǎn)生方法如圖2所示。四個(gè)開關(guān)管門極脈沖信號Vg1~Vg4與兩橋臂中點(diǎn)A、B間電壓VAB的波形也如圖2所示。
圖二 倍頻式調(diào)制方式SPW信號的產(chǎn)生方法
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該電路采用IGBT作為功率開關(guān)管。由于IGBT寄生電容和線路寄生電感的存在,同一橋臂的開關(guān)管在開關(guān)工作時(shí)相互會產(chǎn)生干擾,這種干擾主要體現(xiàn)在開關(guān)管門極上。以上管開通對下管門極產(chǎn)生的干擾為例,實(shí)際驅(qū)動電路及其等效電路如圖3所示。
圖三 產(chǎn)生門極干擾的實(shí)際電路及其等效電路
Rg=(RM+RS)//RP≈RS(RM < S < P)
Zg兩端相當(dāng)于開路。電容Cge和Cgc都是T2的寄生電容。電感L是功率電路線路的等效寄生電感,Lg是驅(qū)動電路的線路電感。
在T1開通前,由于互補(bǔ)門極信號死區(qū)的存在,T1、T2均處于關(guān)斷狀態(tài),橋臂中點(diǎn)電壓是高壓母線電壓VBUS的一半。當(dāng)T1開通時(shí),中點(diǎn)電壓立刻上升,很 高的dv/dt使L和T2的寄生電容發(fā)生振蕩,由于Lg和Rg的存在且Cge的阻抗也并不足夠低,在T2門極會產(chǎn)生一個(gè)電壓尖刺。這個(gè)電壓尖刺幅值隨母線 電壓VBUS和負(fù)載電流的增大而增大,可能達(dá)到足以導(dǎo)致T2瞬間誤導(dǎo)通的幅值,這時(shí)橋臂就會形成直通,造成電路燒毀。同樣地,當(dāng)T2開通時(shí),T1的門極也 會有電壓尖刺產(chǎn)生。
通過減小RS和改善電路布線可以使這個(gè)電壓尖刺有所降低,但均不能達(dá)到可靠防止橋臂直通的要求。
小編的話:怎么樣,這種小技術(shù)是不是很實(shí)用,如果我們能夠熟練的運(yùn)用這一技術(shù),相信很快一塊牛的電源就會出現(xiàn)啦!
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