圖中負(fù)載是一臺(tái)電機(jī)，通常是永磁無(wú)刷直流電機(jī)(BLDC)，由一個(gè)12V電池進(jìn)行供電。

 

2. 汽車對(duì)功率MOSFET的要求

 

EPS和EPB逆變器所用的40V功率MOSFET，要想符合AEC Q101汽車認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)，必須滿足以下所有要求：

 

1.開(kāi)關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗非常低

2.輸出電流大

3. Ciss/Crss比值小，EMI抗擾性強(qiáng)

4.優(yōu)異的耐雪崩性能

5.出色的過(guò)流和短路保護(hù)

6.熱管理和散熱效率高

7.采用穩(wěn)定的SMD封裝

8.抗負(fù)載突降和ESD能力優(yōu)異

 

2.1. AEC Q101功率MOSFET的參數(shù)測(cè)量值

 

我們選擇一些符合EPS和EPB系統(tǒng)要求的競(jìng)品，與意法半導(dǎo)體的40V汽車功率MOSFET進(jìn)行對(duì)比實(shí)驗(yàn)。表1列出了意法半導(dǎo)體的STL285N4F7AG汽車40V功率MOSFET和同級(jí)競(jìng)品的主要參數(shù)測(cè)量值。

 

表1. STL285N4F7AG與競(jìng)品參數(shù)測(cè)量值比較表

 

由于兩個(gè)安全系統(tǒng)的工作電壓都是在12V-13.5V區(qū)間，功率MOSFET的標(biāo)稱電壓是40V，因此，只要確保擊穿電壓(BVdss)接近46V，就能正確地抑制在開(kāi)關(guān)操作過(guò)程中因寄生電感而產(chǎn)生的過(guò)壓。為抑制導(dǎo)通期間的壓差，靜態(tài)導(dǎo)通電阻(RDSon)最好低于1mΩ。只有本征電容和Rg都很小，開(kāi)關(guān)損耗才能降至最低，從而實(shí)現(xiàn)快速的開(kāi)關(guān)操作。Crss/Ciss比率是一個(gè)非常敏感的參數(shù)，有助于防止米勒效應(yīng)導(dǎo)致的任何異常導(dǎo)通，并可以更好地控制di/dt和dV/dt速率，配合體-漏二極管Qrr反向恢復(fù)電荷和反向恢復(fù)軟度，可顯著降低器件對(duì)EMI的敏感度。

 

為滿足低耗散功率和電磁干擾的要求，STL285N4F7AG優(yōu)化了電容比值(Crss/Ciss)。圖2是STL285N4F7AG與競(jìng)品的電容比值比較圖。

 

圖2. STL285N4F7AG與競(jìng)品的Crss/Ciss電容比測(cè)量值比較

 

此外，圖3所示是意法半導(dǎo)體的STL285N4F7AG的體-漏二極管與競(jìng)品的性能測(cè)量值比較圖。

 

圖3：STL285N4F7AG與競(jìng)品的體-漏二極管性能測(cè)量值比較

 

測(cè)量參數(shù)表明，對(duì)于一個(gè)固定的di/dt值，STL285N4F7AG的反向恢復(fù)電荷(Qrr)和恢復(fù)時(shí)間(Trr)都小于競(jìng)品，這個(gè)特性的好處歸納如下：

 

-低Qrr可降低逆變器在開(kāi)啟時(shí)的動(dòng)態(tài)損耗，并優(yōu)化功率級(jí)的EMI特性;

-更好的Trr可改善二極管恢復(fù)電壓上升速率(dv/dt)的動(dòng)態(tài)峰值。在續(xù)流期間電流流過(guò)體 漏二極管時(shí)，Trr是導(dǎo)致電橋故障的常見(jiàn)主要原因。

 

因此，dv/dt是保證閂鎖效應(yīng)耐受能力的重要參數(shù)，測(cè)量結(jié)果顯示，意法半導(dǎo)體產(chǎn)品的dv/dt性能(圖4)優(yōu)于競(jìng)品(圖5)。

 

圖4. STL285N4F7AG的dv/dt t測(cè)量值

 

圖5. 競(jìng)品的dv/dt測(cè)量值

 

2.2. 短路實(shí)驗(yàn)性能測(cè)試

 

我們通過(guò)一個(gè)短路實(shí)驗(yàn)來(lái)測(cè)量、驗(yàn)證意法半導(dǎo)體40V汽車功率MOSFET在汽車安全應(yīng)用中的穩(wěn)定性。電子系統(tǒng)可能因各種原因而發(fā)生短路，例如，存在濕氣、缺乏絕緣保護(hù)、電氣部件意外接觸和電壓過(guò)高。因?yàn)槎搪吠ǔＪ且馔庠斐傻?，所以短路很少是永久的，一般持續(xù)幾微秒。在短路期間，整個(gè)系統(tǒng)，特別是功率級(jí)必須承受多個(gè)高電流事件。我們用STL285N4F7AG和測(cè)試板做了一個(gè)短路實(shí)驗(yàn)，測(cè)量結(jié)果如圖6所示：

 

圖6：測(cè)試板

 

按照以下步驟完成實(shí)驗(yàn)：

 

1）用曲線測(cè)量?jī)x預(yù)先測(cè)試主要電氣參數(shù);

2）測(cè)試板加熱至135°C，并施加兩次10μs的短路脈沖，間隔小于1s。限流器保護(hù)功能激活做一次實(shí)驗(yàn)，不激活做一次實(shí)驗(yàn)。

3）對(duì)器件進(jìn)行去焊處理，并再次測(cè)量主要電氣參數(shù)，檢查功率MOSFET的完整性或性能衰減。

測(cè)量結(jié)果如圖7所示。

 

圖7：STL285N4F7AG短路測(cè)試

 

在短路事件過(guò)程中測(cè)量到的實(shí)際電流值是在2000A范圍內(nèi)，脈沖持續(xù)時(shí)間為10μs。我們進(jìn)行了十次測(cè)試，Tperiod = 5s。STL285N4F7AG成功地承受住短路沖擊，未發(fā)生任何故障；但當(dāng)電流值大于2400A時(shí)，出現(xiàn)故障（圖8）。

 

圖8. STL285N4F7AG失效時(shí)的電流測(cè)量值(Id > 2400A)

 

3. 結(jié)論

 

實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)表明，意法半導(dǎo)體最先進(jìn)的AEC-Q101 40V功率MOSFET可輕松符合汽車安全系統(tǒng)的嚴(yán)格要求。因此，意法半導(dǎo)體的新溝槽N溝道器件是汽車EPS和EPB系統(tǒng)的最佳選擇。

 

4. 參考文獻(xiàn)

 

[1] F. Frisina " Dispositivi di Potenza a semiconduttore". Edizione DEL FARO Prima Edizione Giugno 2013

 

[2] B. Jayant Baliga, Fundamentals of Power Semiconductor Devices, Springer Science, 2008

 

[3] N. Mohan, T. M. Undeland, W. P. Robbins: "Power Electronics Converters, Applications and Design" 2nd edition J. Wiley & Sons NY 1995

 

[4] B. Murari, F. Berrotti, G.A. Vignola " Smart Power ICs: Technologies and Applications" 2nd Edition

 

 

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