RF LDMOS組合的產(chǎn)品特性：

• 50V LDMOS功率晶體管提供增強(qiáng)的耐用性
• 30V LDMOS功率晶體管專為脈沖S波段應(yīng)用
• 30V LDMOS功率晶體管支持調(diào)制通信應(yīng)用

RF LDMOS組合的應(yīng)用范圍：

• 適用于工業(yè)和商用航空航天領(lǐng)域

飛思卡爾半導(dǎo)體公司以合理的性價比點，面向OEM（原始設(shè)備制造商）推出三款先進(jìn)的工業(yè)RF功率晶體管。 增強(qiáng)的耐用性與領(lǐng)先的RF性能結(jié)合，使OEM廠商能夠大幅縮減在工業(yè)和商用航空航天領(lǐng)域的系統(tǒng)級設(shè)計成本。

飛思卡爾MRFE6VP5600H / S和MRFE6VP61K25H / S 50V LDMOS功率晶體管提供增強(qiáng)的耐用性，以便在惡劣環(huán)境下支持匹配度極低的應(yīng)用，如等離子發(fā)生器、二氧化碳激光器和MRI功率放大器。MRF8P29300H / S 30V LDMOS功率晶體管專為脈沖S波段應(yīng)用（如空中交通管制 -ATC）設(shè)計，同時還可支持調(diào)制通信應(yīng)用。

飛思卡爾副總裁兼RF部門總經(jīng)理Ritu Favre表示，“我們推出最新的30V、50V LDMOS功率晶體管， 是在履行飛思卡爾面向工業(yè)和商業(yè)RF航空航天市場提供領(lǐng)先技術(shù)所做的承諾。這三款器件讓設(shè)計人員朝飛思卡爾LDMOS技術(shù)邁出關(guān)鍵的一步，并且能夠利用到它的卓越性能和耐用性。 采用LDMOS技術(shù)進(jìn)行設(shè)計，可以為客戶提供高效穩(wěn)定、更高增益的解決方案，以幫助客戶構(gòu)建更可靠、性價比更好的RF應(yīng)用。 ”

面向不匹配應(yīng)用提供的50V RF LDMOS 功率放大器

MRFE6VP5600H / S和MRFE6VP61K25H / S  50V  LDMOS晶體管基于飛思卡爾業(yè)界領(lǐng)先的50V LDMOS晶體管產(chǎn)品，適合匹配度不高的應(yīng)用。它們提供600W和1250W的輸出功率電平來實現(xiàn)穩(wěn)定的應(yīng)用，同時可以在多個相位角處理65:1的電壓駐波比（VSWR）。 增強(qiáng)耐用性能使設(shè)計者可以省去外部電路（以前要求提供外部電路），從而降低整體系統(tǒng)成本并提高性能。

提高遠(yuǎn)程應(yīng)用的效率

隨著新成員MRF8P29300H / S的出現(xiàn)，飛思卡爾面向 ATC和應(yīng)用調(diào)制通信應(yīng)用提供的LDMOS功率晶體管，在從10W到1000W的射頻功率電平范圍提供10到3500 MHz的頻率。MRF8P29300H/S 的頻率介于2700到 2900 MHz之間，且射頻脈沖輸出功率為320W，因而是空中交通管理系統(tǒng)和天氣雷達(dá)的理想之選。 該器件功率增益為13.3分貝，漏極率為50.5%，從而幫助設(shè)計人員降低了系統(tǒng)的復(fù)雜性和成本。