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IGBT驅(qū)動電路中的鉗位電路
在IGBT驅(qū)動電路中有時會用到鉗位電路，其主要目的是為了保護IGBT器件，避免運行參數(shù)超過集電極或者門極的極限參數(shù)，今天我們總結(jié)一下Vce以及Vge鉗位電路設(shè)計使用注意事項。
2022-10-21
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自舉電路工作原理和自舉電阻和電容的選取
在一些低成本的應用中，特別是對于一些600V小功率的IGBT，業(yè)界總是嘗試把驅(qū)動級成本降到最低。因而自舉式電源成為一種廣泛的給高壓柵極驅(qū)動（HVIC）電路供電的方法，原因是電路簡單并且成本低。
2022-10-19
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IGBT柵極驅(qū)動設(shè)計，關(guān)鍵元件該怎么選？
如果說人類世界當前面臨的最緊迫危機是如何降低二氧化碳排放量，以減緩已經(jīng)造成的災難性環(huán)境破壞以及人口損害，那么，在當前的地球溫室氣體排放中，交通業(yè)的“貢獻”最大，傳統(tǒng)上它已被視為重要的污染源。
2022-10-12
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測量SiC MOSFET柵-源電壓時的注意事項：一般測量方法
SiC MOSFET具有出色的開關(guān)特性，但由于其開關(guān)過程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎(chǔ)知識 SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動作-前言”中介紹的需要準確測量柵極和源極之間產(chǎn)生的浪涌。在這里，將為大家介紹在測量柵極和源極之間的電壓時需要注意的事項。我們將以SiC MOSFET為例進行講解，其實所講解的內(nèi)容也適用于一般的MOSFET和IGBT等各種功率元器件，盡情參考。
2022-10-11
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IGBT適用于ZVS 還是 ZCS？
提到軟開關(guān)技術(shù)，大家耳熟能詳?shù)挠辛汶妷洪_通ZVS（Zero voltage switching） 和零電流關(guān)斷ZCS（Zero current switching），同時，尤其是在現(xiàn)在的電源產(chǎn)品中，絕大多數(shù)的采用軟開關(guān)拓撲的電源產(chǎn)品都選擇了ZVS，而不是ZCS，所以，Si MOSFET和SiC MOSFET一直是很多同學提到ZVS時想到的主要功率器件搭檔，而不是IGBT。
2022-10-11
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采用IGBT7的1700V Econo DUAL 3模塊性能解析
半導體市場不斷推動IGBT技術(shù)實現(xiàn)更高功率密度、魯棒性和性能水平。對于新一代IGBT而言，始終需要能夠輕松融入設(shè)計并在不同應用中表現(xiàn)良好的產(chǎn)品。IGBT應能助力打造出擁有優(yōu)化系統(tǒng)成本的可擴展逆變器產(chǎn)品組合。本文通過仿真和應用測試，對英飛凌全新TRENCHSTOP? 1700V IGBT7技術(shù)以及對應的同類最佳900A和750A EconoDUAL? 3模塊的電氣性能和熱性能，與英飛凌IGBT4技術(shù)進行了比較。在1700V IGBT模塊特定應用背景下，考慮到了芯片優(yōu)化。研究結(jié)果表明，采用新型1700V IGBT7/EC7技術(shù)的模塊在大量應用中顯著提高了功率密度。
2022-09-21
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TO-247封裝碳化硅MOSFET中引入輔助源極管腳的必要性
功率開關(guān)器件（如MOSFET, IGBT）廣泛應用于新能源汽車、工業(yè)、醫(yī)療、交通、消費等行業(yè)的電力電子設(shè)備中，直接影響著這些電力電子設(shè)備的成本和效率。因此，實現(xiàn)更低的開關(guān)損耗和更低的導通損耗一直是功率半導體行業(yè)的不懈追求。
2022-09-15
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ABB采用IGBT7的新一代高功率密度變頻器ACS180系列
變頻器是各行業(yè)中至關(guān)重要的節(jié)能設(shè)備，ABB傳動一直致力于用先進的產(chǎn)品和技術(shù)，創(chuàng)新的解決方案為客戶創(chuàng)造價值，提高生產(chǎn)效能水平，助力變頻器產(chǎn)業(yè)升級。
2022-09-14
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如何抑制IGBT集電極過壓尖峰
在過去的文章中，我們曾經(jīng)討論過IGBT在關(guān)斷的時候，集電極會產(chǎn)生電壓過沖的問題（回顧：IGBT集電極電壓超過額定電壓會發(fā)生什么？）。
2022-08-18
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SiC模塊開啟電機驅(qū)動器更高功率密度
牽引驅(qū)動器是電動汽車（EV）幾乎所有能量的消耗源。因此，驅(qū)動系統(tǒng)必須盡可能提高效率，同時以最低重量占用最小空間 — 這些均旨在盡可能提高電動汽車的續(xù)航能力。隨著行業(yè)利用雙驅(qū)動裝置提高牽引力，同時借助 800 V 架構(gòu)降低了損耗，該行業(yè)還需要尺寸縮小但輸出功率增加的逆變器，實現(xiàn)遠超硅（Si）基技術(shù)（如 IGBT）能力的功率密度。
2022-08-02
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IGBT安全工作區(qū)（SOA）知多少
失效器件送到原廠做FA分析，看到的字眼通常包含over voltage，over current，short circuit，EOS等，但是，其失效的深層原因與整機的應用環(huán)境和系統(tǒng)設(shè)計是密切相關(guān)的。
2022-07-21
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采用IGBT7高功率密度變頻器的設(shè)計實例
變頻器在設(shè)計上不斷的推陳出新，為了提高功率密度并降低成本，工程師更是絞盡腦汁。IGBT（絕緣柵型雙極性晶體管）在變頻器里屬于關(guān)鍵器件，其選型和損耗直接關(guān)系散熱器的大小，也直接影響著系統(tǒng)的性能、成本和尺寸。
2022-07-12
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