熟妇丰满多毛的大隂户,波多野结衣av高清中文字幕,2024精品国产品免费观看

為你找到相關結果509個

UCC2751x：德州儀器推出緊湊型高速單通道柵極驅動器

日前，德州儀器 (TI) 宣布推出首批具有業(yè)界領先速度及驅動電流性能的 4 A/8 A 與 4 A/4 A 單通道低側柵極驅動器，其可最大限度減少 MOSFET、IGBT 電源器件以及諸如氮化鎵 (GaN) 器件等寬帶隙半導體的開關損耗。

2012-04-25
突破傳統(tǒng)的新型IGBT系統(tǒng)電路保護設計

目前在使用和設計IGBT的過程中，基本上都是采用粗放式的設計模式，所需余量較大，系統(tǒng)龐大，但仍無法抵抗來自外界的干擾和自身系統(tǒng)引起的各種失效問題。本文將突破傳統(tǒng)的保護方式，探討IGBT系統(tǒng)電路保護設計的解決方案。

2012-04-19
AUIRGDC0250：IR推出優(yōu)化的車用1200V IGBT

國際整流器公司IR推出為軟開關應用，比如電動車和混合動力汽車中的正溫度系數（PTC）加熱器應用而優(yōu)化的車用 IGBT AUIRGDC0250。1200V AUIRGDC0250 采用緊湊的 Super TO-220 封裝，低 VCE(on) 可讓該器件降低功耗并實現更高的功率密度。

2012-04-18
ML610Q380：羅姆推出單芯片低功耗家電用微控制器

羅姆集團旗下的LAPIS Semiconductor Co., Ltd.開發(fā)出一款單芯片的低功耗微控制器“ML610Q380系列”產品，此產品將以往用于家電的控制IGBT的PWM電路和LCD驅動器等微控制器功能、以及高音質、低功耗的語音播放功能集于一枚芯片，這在業(yè)內尚屬首家。由于以往用于家電的微控制器沒有語音播放功能，因此想追加語音功能時，語音合成功能和功放需要由不同的芯片組成。而使用本LSI產品，不僅可以芯片一體化，而且可以替換掉以往用于家電的微控制器，輕松實現語音功能，是需要語音輸出的家用電器和遙控器的最佳選擇。

2012-04-13
高能效設計——中國北車永濟IGBT性能探秘

我國電傳動系統(tǒng)的龍頭企業(yè)——北車永濟于2012年4月10日出席了由CNT Networks、中國電子展組委會和China Outlook Consulting在深圳舉辦的第九屆高能效設計研討會。

2012-04-11
高能效設計研討會聚焦新能源/新能源汽車四大設計熱點

在科技部發(fā)布的《十二五科技發(fā)展規(guī)劃》中，新能源系統(tǒng)和新能源汽車是十二五規(guī)劃的產業(yè)重點之一。同時，積極利用新能源，發(fā)展新能源汽車也符合國際社會對節(jié)能減排的環(huán)保訴求。為了幫助新能源系統(tǒng)和新能源汽車廠商提高設計能力，CNT Networks攜手中國電子展、China Outlook Consulting召開高能效設計研討會，聚焦新能源和新能源汽車，講解動力電池管理、IGBT應用、薄膜電容和超級電容應用、MCU應用、逆變器設計和系統(tǒng)測試等技術要點。

2012-04-10
聚焦電池管理與元器件替換突破新能源/新能源汽車效率瓶頸

在科技部發(fā)布的《十二五科技發(fā)展規(guī)劃》中，新能源系統(tǒng)和新能源汽車是十二五規(guī)劃的產業(yè)重點之一。同時，積極利用新能源，發(fā)展新能源汽車也符合國際社會對節(jié)能減排的環(huán)保訴求。高能效設計研討會聚焦新能源和新能源汽車的關鍵技術問題，通過動力電池管理、IGBT應用、薄膜電容和超級電容應用、系統(tǒng)測試四大技術熱點的分享幫助工程師解決設計難題。

2012-04-09
650V:飛兆半導體IGBT提高功率轉換應用的效率和系統(tǒng)可靠性

太陽能功率逆變器、不間斷電源(UPS)以及焊接應用的設計人員面臨提高能效，滿足散熱法規(guī)，同時減少元件數目的挑戰(zhàn)。有鑒于此，飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)開發(fā)了一系列針對光伏逆變器應用的650V IGBT產品，幫助設計人員應對這一行業(yè)挑戰(zhàn)。

2012-03-29
IGBT模塊的作用

對IGBT的特性及使用時的注意事項進行了探討，提出了選擇和安裝過程中應該注意的方面。

2012-03-15
IGBT整流器功率因數控制方法及CT損壞對整流器的影響

IGBT整流器是一種電壓型PWM整流器，具有能量雙向流動、恒定直流電壓控制，以及高功率因數控制（cosφ≈1.0）等特點。使用該類型整流器除了實現高功率因數節(jié)省電能外，還能夠減少電網諧波，省去電網側無功補償svc裝置。本文介紹IGBT整流器功率因數控制的方法及CT損壞對整流器的影響。

2012-02-29
基于EXB841的IGBT驅動與保護電路設計

多絕緣柵雙極型晶體管IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種由雙極型晶體管與MOSFET組合的器件，它既具有MOSFET的柵極電壓控制快速開關特性，又具有雙極型晶體管大電流處理能力和低飽和壓降的特點，近年來在各種電能變換裝置中得到了廣泛應用。但是，IGBT的門極驅動電路影響IGBT的通態(tài)壓降、開關時間、快開關損耗、承受短路電流能力及du/dt等參數，并決定了IGBT靜態(tài)與動態(tài)特性。因此設計高性能的驅動與保護電路是安全使用IGBT的關鍵技術。

2012-02-21
逆變H橋IGBT單管驅動+保護詳解

本文給逆變器的后級H橋電路換上IGBT管，從IGBT的驅動電路、電流采集電流和保護機制三個角度，深入了解IGBT的相關特性，發(fā)現采用峰值電流保護的措施能讓逆變H橋電路中的IGBT不會炸。

2012-02-07

首頁上一頁 29 30 31 32 33 34 35 36 下一頁尾頁

特別推薦

技術文章更多>>

技術白皮書下載更多>>

熱門搜索

?

關閉

?

關閉