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具有更高效率與優(yōu)勢(shì)的碳化硅技術(shù)
碳化硅(SiC)技術(shù)具有比傳統(tǒng)的硅(Si)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)等技術(shù)具有更多優(yōu)勢(shì),包括更高的開關(guān)頻率,更低的工作溫度,更高的電流和電壓容量,以及更低的損耗,進(jìn)而可以實(shí)現(xiàn)更高的功率密度、可靠性和效率。本文將為您介紹SiC的發(fā)展趨勢(shì)與在儲(chǔ)能系統(tǒng)(ESS)上的應(yīng)用,以及由Wolfspeed推出的SiC電源解決方案。
2023-07-19
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貿(mào)澤電子第六次斬獲Molex年度全球優(yōu)質(zhì)服務(wù)代理商獎(jiǎng)
2023年7月19日 – 提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) ,宣布榮獲全球電子產(chǎn)品知名企業(yè)和連接創(chuàng)新者M(jìn)olex頒發(fā)的2022年度全球優(yōu)質(zhì)服務(wù)(目錄)代理商獎(jiǎng)。這也是貿(mào)澤第六次斬獲這一全球知名獎(jiǎng)項(xiàng),貿(mào)澤憑借2022年度全球客戶數(shù)大幅增長,以及增速迅猛的銷售業(yè)績而獲此殊榮。
2023-07-19
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貿(mào)澤電子為設(shè)計(jì)工程師提供豐富多樣的技術(shù)電子書
專注于推動(dòng)行業(yè)創(chuàng)新的知名新品引入 (NPI) 代理商?貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 發(fā)布了三本與設(shè)計(jì)相關(guān)的新電子書,深入開展一系列技術(shù)探討,包括城市空中運(yùn)輸電動(dòng)交通工具的未來、車隊(duì)遠(yuǎn)程信息處理設(shè)計(jì),以及下一代系統(tǒng)架構(gòu)的進(jìn)展。
2023-07-18
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PFC電路:死區(qū)時(shí)間理想值的考量
由于該電路是進(jìn)行同步整流工作的電路,所以我們通過仿真來探討高邊(HS)和低邊(LS)SiC MOSFET SCT2450KE的死區(qū)時(shí)間理想值,即不直通的最短時(shí)間。死區(qū)時(shí)間可以通過仿真工具的PWM控制器參數(shù)TD1(HS)和TD2(LS)來分別設(shè)置。
2023-07-18
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計(jì)算DC-DC補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)的分步過程
本文旨在幫助設(shè)計(jì)人員了解DC-DC補(bǔ)償?shù)墓ぷ髟?、補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)的必要性以及如何使用正確的工具輕松獲得有效的結(jié)果。該方法使用LTspice?中的一個(gè)簡單電路,此電路基于電流模式降壓轉(zhuǎn)換器的一階(線性)模型1。使用此電路,無需執(zhí)行復(fù)雜的數(shù)學(xué)計(jì)算即可驗(yàn)證補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)值。
2023-07-17
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絕緣柵雙極晶體管(IGBTs)簡史
盡管人們對(duì)寬帶隙(WBG)功率半導(dǎo)體器件感到興奮,但硅基絕緣柵雙極晶體管(IGBTs)在今天比以往任何時(shí)候都更加重要。在我們10月份發(fā)布的電動(dòng)汽車電力電子報(bào)告[2]中,TechInsights預(yù)測(cè),xEV輕型汽車動(dòng)力總成的產(chǎn)量將從2020年的910萬增長到2026年的4310萬,這使得其復(fù)合年增長率(CAGR)達(dá)到25%。SiC MOSFET目前預(yù)計(jì)占市場的約26%,到2029年預(yù)計(jì)將占市場份額的50%。
2023-07-16
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安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 靜態(tài)特性分析
SiC MOSFET 在功率半導(dǎo)體市場中正迅速普及,因?yàn)樗畛醯囊恍┛煽啃詥栴}已得到解決,并且價(jià)位已達(dá)到非常有吸引力的水平。隨著市場上的器件越來越多,必須了解 SiC MOSFET 與 IGBT 之間的共性和差異,以便用戶充分利用每種器件。本系列文章將概述安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的關(guān)鍵特性及驅(qū)動(dòng)條件對(duì)它的影響,作為安森美提供的全方位寬禁帶生態(tài)系統(tǒng)的一部分,還將提供 NCP51705(用于 SiC MOSFET 的隔離柵極驅(qū)動(dòng)器)的使用指南。本文為第一部分,將重點(diǎn)介紹安森美M 1 1200 V SiC MOSFET的靜態(tài)特性。
2023-07-13
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Amphenol安費(fèi)諾煥新發(fā)布ExaMAX2? Gen2,解放AI硬件算力效能!
中國上海,2023年7月11日——全球連接器領(lǐng)先企業(yè)Amphenol安費(fèi)諾在2023 electronica China慕尼黑上海電子展宣布重磅推出煥新產(chǎn)品ExaMAX2? Gen2。作為ExaMAX2? 系列的增強(qiáng)版,ExaMAX2? Gen2較上一代在性能方面有了顯著改進(jìn)。此次升級(jí)將使ExaMAX2? 連接器在信號(hào)完整性(包括反射和隔離)方面成為性能最佳的112G連接器之一。
2023-07-13
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SiC功率模塊中的NTC溫度傳感器解析
大多數(shù)功率模塊包含一個(gè)NTC溫度傳感器,通常它是一個(gè)負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻,隨著溫度的增加其電阻會(huì)降低。因?yàn)槠涑杀据^低,NTC熱敏電阻可以作為功率模塊溫度測(cè)量和過溫保護(hù)的器件,但是其它器件如PTC正溫度系數(shù)電阻是更適合用來做具體的溫度控制應(yīng)用。使用溫度傳感器的信息相對(duì)比較容易,但是需要注意系統(tǒng)內(nèi)涉及到安全的考慮。
2023-07-12
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采用SiC MOSFET的高性能逆變焊機(jī)設(shè)計(jì)要點(diǎn)
近年來,為了更好地實(shí)現(xiàn)自然資源可持續(xù)利用,需要更多節(jié)能產(chǎn)品,因此,關(guān)于焊機(jī)能效的強(qiáng)制性規(guī)定應(yīng)運(yùn)而生。經(jīng)改進(jìn)的碳化硅CoolSiC? MOSFET 1200V采用基于.XT擴(kuò)散焊技術(shù)的TO-247封裝,其非常規(guī)封裝和熱設(shè)計(jì)方法通過改良設(shè)計(jì)提高了能效和功率密度。
2023-07-11
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西部電博會(huì)開幕倒計(jì)時(shí)!超強(qiáng)劇透來了,這些值得打卡!
作為國家集成電路重大生產(chǎn)力布局的重要一極,四川省已基本形成IC設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝測(cè)試、材料裝備等較為完整的產(chǎn)業(yè)體系。為全面落實(shí)成渝地區(qū)雙城經(jīng)濟(jì)圈建設(shè)重大戰(zhàn)略部署,川渝兩地抓住集成電路產(chǎn)業(yè)關(guān)聯(lián)度較高、互補(bǔ)性較強(qiáng)的基礎(chǔ),通過建機(jī)制、搭平臺(tái)、強(qiáng)聯(lián)動(dòng),推動(dòng)集成電路產(chǎn)業(yè)協(xié)同發(fā)展,積極打造國家重要集成電路產(chǎn)業(yè)備份基地。
2023-07-11
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用于車載充電器應(yīng)用的1200 V SiC MOSFET模塊使用指南
隨著電動(dòng)汽車的車載充電器 (OBC) 迅速向更高功率和更高開關(guān)頻率發(fā)展,對(duì) SiC MOSFET 的需求也在增長。許多高壓分立 SiC MOSFET 已經(jīng)上市,工程師也在利用它們的性能優(yōu)勢(shì)設(shè)計(jì) OBC 系統(tǒng)。要注意的是,PFC 拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的變化非常顯著。設(shè)計(jì)人員正在采用基于 SiC MOSFET 的無橋 PFC 拓?fù)洌驗(yàn)樗兄吭降拈_關(guān)性能和較小的反向恢復(fù)特性。眾所周知,使用 SiC MOSFET 模塊可提供電氣和熱性能以及功率密度方面的優(yōu)勢(shì)。
2023-07-10
- 兆易創(chuàng)新GD32F30x STL軟件測(cè)試庫獲得德國萊茵TüV IEC 61508功能安全認(rèn)證
- 芯科科技第三代無線開發(fā)平臺(tái)引領(lǐng)物聯(lián)網(wǎng)發(fā)展
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- e絡(luò)盟現(xiàn)貨供應(yīng) Abracon 新推出的 AOTA 系列微型鑄型電感器
- 加賀富儀艾電子推出支持Wi-Fi 6和藍(lán)牙的無線局域網(wǎng)/藍(lán)牙組合模塊
- 第7講:SiC單晶襯底加工技術(shù)
- 羅德與施瓦茨中標(biāo)中國移動(dòng)RedCap以及Cat1bis一致性測(cè)試系統(tǒng)項(xiàng)目
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