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SiC MOSFET:通過波形的線性近似分割來計(jì)算損耗的方法

發(fā)布時(shí)間:2024-06-06 責(zé)任編輯:lina

【導(dǎo)讀】本文將介紹根據(jù)在上一篇文章中測(cè)得的開關(guān)波形,使用線性近似法來計(jì)算功率損耗的方法。


本文的關(guān)鍵要點(diǎn)

?可以在線性近似有效范圍內(nèi)對(duì)所測(cè)得的波形進(jìn)行分割,并使用示例公式進(jìn)行損耗的近似計(jì)算。
?MOSFET開關(guān)工作時(shí)的總功率損耗是開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗之和。

本文將介紹根據(jù)在上一篇文章中測(cè)得的開關(guān)波形,使用線性近似法來計(jì)算功率損耗的方法。

開關(guān)波形的測(cè)量方法

通過波形的線性近似分割來計(jì)算損耗的方法
根據(jù)測(cè)得波形計(jì)算功率損耗示例
各種波形的開關(guān)損耗計(jì)算示例
各種波形的導(dǎo)通損耗計(jì)算示例

SiC MOSFET通過波形的線性近似分割來計(jì)算損耗的方法

通過在線性近似有效范圍內(nèi)對(duì)所測(cè)得的波形進(jìn)行分割,可以計(jì)算出功率損耗。

導(dǎo)通和關(guān)斷區(qū)間的開關(guān)損耗

首先,計(jì)算開通和關(guān)斷時(shí)間內(nèi)消耗的功率損耗Pton和Ptoff。波形使用圖1中的示例波形。功率損耗使用表1中的近似公式來計(jì)算。由于計(jì)算公式會(huì)因波形的形狀而有所不同,因此請(qǐng)選擇接近測(cè)得波形的近似公式。

在圖1的波形示例中,開通時(shí)的波形被分割為兩部分,前半部分(ton1)使用表1中的例2。另外,使用公式ID1?0作為條件。后半部分(ton2)使用例3中的公式VDS2?0。

在圖1中,會(huì)因MOSFET的導(dǎo)通電阻和ID而產(chǎn)生電壓VDS2(on),但如果該電壓遠(yuǎn)低于VDS的High電壓,就可以視其為零。


SiC MOSFET:通過波形的線性近似分割來計(jì)算損耗的方法

圖1. 開關(guān)損耗波形示例


綜上所述,可以使用下面的公式(1)來近似計(jì)算開通時(shí)的功率損耗。

SiC MOSFET:通過波形的線性近似分割來計(jì)算損耗的方法


同樣,將關(guān)斷時(shí)的波形也分為兩部分,前半部分(toff1)使用表1的例1中的公式VDS1?0,后半部分使用(toff2)例8中的公式ID2?0。在圖1中,由于前述的原因,會(huì)產(chǎn)生電壓VDS1(off),但如果該電壓遠(yuǎn)低于VDS的High電壓,則將其按“零”處理。這樣,就可以使用下面的公式(2)來近似計(jì)算關(guān)斷時(shí)的功率損耗。


SiC MOSFET:通過波形的線性近似分割來計(jì)算損耗的方法

導(dǎo)通期間的功率損耗

接下來,我們來計(jì)算導(dǎo)通期間消耗的功率損耗。圖2是用來計(jì)算導(dǎo)通損耗的波形示例。由于在TON區(qū)間MOSFET是導(dǎo)通的,因此VDS是MOSFET導(dǎo)通電阻和ID的乘積。有關(guān)導(dǎo)通電阻的值,請(qǐng)參閱技術(shù)規(guī)格書。需要從表2中選擇接近該波形形狀的例子并使用其近似公式來計(jì)算功率損耗。


SiC MOSFET:通過波形的線性近似分割來計(jì)算損耗的方法

圖2. 導(dǎo)通損耗波形示例


在本示例中,我們使用表2中的例1。MOSFET導(dǎo)通期間的導(dǎo)通損耗可以用下面的公式(3)來計(jì)算。


SiC MOSFET:通過波形的線性近似分割來計(jì)算損耗的方法


MOSFET關(guān)斷時(shí)的功率損耗在圖2中位于TOFF區(qū)間,由于MOSFET關(guān)斷時(shí)的ID足夠小,因此將功率損耗視為零。

總損耗

如公式(4)所示,MOSFET開關(guān)工作時(shí)的總功率損耗為此前計(jì)算出的開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗之和。


SiC MOSFET:通過波形的線性近似分割來計(jì)算損耗的方法


需要注意的是,表1和表2中的每個(gè)例子都有“參見附錄”的注釋,在附錄中有每個(gè)例子的詳細(xì)計(jì)算示例。各計(jì)算示例將會(huì)在后續(xù)的“各種波形的開關(guān)損耗計(jì)算示例”和“各種波形的導(dǎo)通損耗計(jì)算示例”中出現(xiàn)。

 

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