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有源電力濾波器的IGBT驅(qū)動及保護研究
本文講述設(shè)計應(yīng)用電路對IGBT進行驅(qū)動和保護。此驅(qū)動電路是在典型驅(qū)動電路的基礎(chǔ)上進行改進和完善的，并且自行設(shè)計了隔離部分和過電流保護擴展部分。此驅(qū)動電路相對簡單、實用，對被驅(qū)動的IGBT有完善的保護能力，輸出阻抗低，具有較強的抗干擾性能。
2010-03-25
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TDK推出電動車用緊湊型直流鏈路PCC
TDK-EPC是TDK公司的分公司，推出了愛普科斯(EPCOS)的新型PCC?(塊狀電力電容器)，為汽車電氣傳動提供了理想的直流鏈路解決方案。該公司特別為英飛凌科技公司出品的IGBT 反相器 HybridPACK?1（20KW）和HybridPACK?2（90KW）的參考設(shè)計，開發(fā)了兩款型號分別為B25655J4307K*1 和 B25655J4507K*5的產(chǎn)品。
2010-03-22
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優(yōu)化高電壓IGBT
隨著綠色電力運動勢頭不減，包括家電、照明和電動工具等應(yīng)用，以至其他工業(yè)用設(shè)備都在盡可能地利用太陽能的優(yōu)點。為了有效地滿足這些產(chǎn)品的需求，電源設(shè)計師正通過最少數(shù)量的器件、高度可靠性和耐用性，以高效率把太陽能源轉(zhuǎn)換成所需的交流或者直流電壓。本文介紹優(yōu)化高電壓IGBT造就高效率太陽能逆變器。
2010-03-17
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電機控制用多輸出開關(guān)電源設(shè)計
本文介紹了一種基于專用芯片UC3842的開關(guān)穩(wěn)壓電源。在電機調(diào)速控制器中，該電源提供功率開關(guān)元件基極(柵極)驅(qū)動電壓和控制電路工作電壓。開關(guān)電源性能的好壞直接影響到電機調(diào)速控制器的工作可靠性。該電源是為30 kW開關(guān)磁阻電機控制器設(shè)計的，也適用于采用功率MOSFET或IGBT作為開關(guān)元件的中小功率感應(yīng)電機調(diào)速控制器。
2010-02-23
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大、中功率MOSFET與IGBT驅(qū)動電路方案探討
本文對應(yīng)用于大、中功率情況下的MOSFET與IGBT的驅(qū)動電路方案進行了詳細的分析，并給出了具體的實現(xiàn)方案。
2010-02-17
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TLP358/58HF：Toshiba推出低功率柵極驅(qū)動光耦合器
Toshiba推出了一系列的超低功耗光耦合隔離器，設(shè)計用來驅(qū)動需要輸出電流高達±6.0A的IGBT和功率MOSFET。新的驅(qū)動器IC光耦合器TLP358系列適合用于工業(yè)逆變器，AC/DC伺服系統(tǒng)，感應(yīng)加熱系統(tǒng)，工廠自動化設(shè)備和其它需要高輸出電流驅(qū)動級的應(yīng)用中。
2010-01-19
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AUIRG7CH80K6B-M：IR推出焊前金屬的絕緣柵雙極晶體管
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出采用焊前金屬 (Solderable Front Metal，SFM) 的 1200V 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) AUIRG7CH80K6B-M，適用于電動汽車 (EV) 、混合電動汽車 (HEV) 和中功率驅(qū)動器中的高電流、高電壓汽車逆變器模塊。
2009-11-24
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如何正確地為太陽能逆變器應(yīng)用選擇IGBT
介紹如何利用全橋逆變器拓撲及選用合適的IGBT，使太陽能應(yīng)用的功耗降至最低.
2009-11-13
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STGW30N120KD/STGW40N120KD：低開關(guān)損耗1200V IGBT系列產(chǎn)品
日前，意法半導(dǎo)體（ST）推出新系列功率晶體管，可最大限度降低電機控制電路的兩大能耗源，降低家電、供暖通風(fēng)空調(diào)（HVAC）系統(tǒng)、工業(yè)機床等日用設(shè)備對環(huán)境的影響。STGW30N120KD和STGW40N120KD是兩款導(dǎo)通損耗很低的絕緣柵雙極晶體管（IGBT），可降低開關(guān)損耗。
2009-10-21
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IGBT在客車系統(tǒng)逆變器中的應(yīng)用與保護
IGBT是大功率、集成化的“絕緣柵雙極晶體管”(InsulatedGateBipolarTransistor)。它是80年代初集合大功率雙極型晶體管GTR與MOSFET場效應(yīng)管的優(yōu)點而發(fā)展的一種新型復(fù)合電子器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降的優(yōu)點
2009-08-24
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新IGBT技術(shù)提高應(yīng)用性能
在實際的開關(guān)中，存在大量的正向和開關(guān)損耗。因而設(shè)計中的熱阻對模塊性能來說是至關(guān)重要的。本文討論IGBT2、IGBT3以及SEMITRANS?模塊采用的新IGBT4半導(dǎo)體技術(shù)之間的區(qū)別，并展示在某些情況下新IGBT4技術(shù)所帶來的性能提升。
2009-07-28
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逆變電源的IGBT保護技術(shù)
本文通過分析IGBT的結(jié)構(gòu)及其安全工作區(qū)，解釋了在實際應(yīng)用中可能造成其損壞的原因，并利用硬件電路結(jié)合單片機的控制程序?qū)『改孀冸娫吹?span id="nfhcpri" class='red'>IGBT 采取相應(yīng)措施進行保護，從而確保了IGBT安全可靠的工作。
2009-07-15
- AMTS 2025展位預(yù)訂正式開啟——體驗科技驅(qū)動的未來汽車世界，共迎AMTS 20周年！
- 貿(mào)澤電子攜手安森美和Würth Elektronik推出新一代太陽能和儲能解決方案
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- 貿(mào)澤開售Nordic Semiconductor nRF9151-DK開發(fā)套件
- TDK推出用于可穿戴設(shè)備的薄膜功率電感器
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- 意法半導(dǎo)體推出首款超低功耗生物傳感器，成為眾多新型應(yīng)用的核心所在
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