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熱管理：突破功率密度障礙的 3 種方法
實現(xiàn)更高功率密度的障礙是什么？實際上，熱性能是電源管理集成電路 (IC) 在電氣方面的附加特性，既無法忽略也不能使用系統(tǒng)級過濾元件“優(yōu)化”。要緩解系統(tǒng)過熱問題，需要在開發(fā)過程的每個步驟中進行關鍵的微調，以便設計能夠滿足給定尺寸約束下的系統(tǒng)要求。以下是 TI 專注于優(yōu)化熱性能和突破芯片級功率密度障礙的三個關鍵領域。
2022-11-01
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庖丁解牛看功率器件雙脈沖測試平臺
雙脈沖測試是表征功率半導體器件動態(tài)特性的重要手段，適用于各類功率器件，包括MOSFET、IGBT、Diode、SiC MOSFET、GaN HEMTs。同時，這項測試發(fā)生在器件研發(fā)、器件生產、系統(tǒng)應用等各個環(huán)節(jié)，測試結果有力地保證了器件的特性和質量、功率變換器的指標和安全，可以說是伴隨了功率器件生命的關鍵時刻。
2022-10-31
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高集成度功率電路的熱設計挑戰(zhàn)
目前隨著科學技術和制造工藝的不斷發(fā)展進步，半導體技術的發(fā)展日新月異。對于功率半導體器件而言，其制造工藝也同樣是從平面工藝演變到溝槽工藝，功率密度越來越高。目前功率半導體器件不僅是單一的開關型器件如IGBT或MOSFET器件類型，也增加了如智能功率模塊IPM等混合型功率器件類型。在IPM模塊中既集成有功率器件，還集成了驅動器和控制電路IC，這樣的功率半導體器件具有更高的集成度。這種混合集成型的功率半導體器件其封裝結構和傳統(tǒng)的單一功率半導體器件有一定的區(qū)別，因此其散熱設計和熱傳播方式也有別于傳統(tǒng)的功率半導體器件，會給使用者帶來更大的熱設計挑戰(zhàn)。
2022-10-28
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上海貝嶺為USB-PD應用提供高性能驅動IC和MOSFET解決方案
智能化便攜式電子設備諸如智能手機、筆記本電腦、平板電腦等的不斷更新?lián)Q代，功能越來越豐富，隨之帶來了耗電量急劇上升的挑戰(zhàn)。然而，在現(xiàn)有電池能量密度還未取得突破性進展的背景下，人們開始探索更快的電量補給，以高效充電來壓縮充電時間，降低充電的時間成本，從而換取設備的便攜性，提升用戶體驗。
2022-10-28
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無需電流采樣電阻的智能電機驅動IC，不來了解一下么？
第二次工業(yè)革命，將人們從農業(yè)時代推送到了電氣時代，在人們不斷發(fā)明創(chuàng)造的今天，已經實現(xiàn)了很多產品的自動化，這些都是離不開電機的。電機其實也是分好多種。比如，直流電機、交流電機、有刷電機、無刷電機和步進電機等等，這些電機在我們的生活中隨處可見。
2022-10-27
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防反保護電路的設計（下篇）
本系列的上、下兩篇文章探討了防反保護電路的設計。 上篇 介紹了各種脈沖干擾以及在汽車電子產品中設計防反保護電路的必要性，同時回顧了 PMOS 方案保護電路的特性；本文為下篇，將討論使用 NMOS 和升降壓驅動 IC 實現(xiàn)的防反保護電路。
2022-10-27
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第一部分——IC制造生命周期關鍵階段之安全性入門
本文包括兩部分，我們主要探討芯片供應商和OEM之間的相互關系，以及他們?yōu)楹伪仨殧y手合作以完成各個制造階段的漏洞保護。第一部分指出了IC制造生命周期每個階段中存在的威脅，并說明了如何解決這些威脅。第二部分著重說明了OEM所特有的安全風險，并指出了最終產品制造商和芯片供應商如何承擔各自的責任。這些內容將圍繞以下問題進行闡釋，即OEM和芯片供應商對各自生產階段的風險各負其責，以此來阻止大多數(shù)安全攻擊。
2022-10-25
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貿澤電子攜手Nordic舉辦窄帶物聯(lián)網(wǎng)技術研討會
貿澤電子 (Mouser Electronics)宣布將攜手Nordic于10月25日14:00-15:30舉辦主題為“Nordic超低功耗窄帶蜂窩片上模組”的專題技術研討會。屆時，來自Nordic的資深技術專家將為大家?guī)鞱ordic的超低功耗產品在物聯(lián)網(wǎng)方面的開發(fā)，助力工程師設計出更具性能優(yōu)勢的產品。
2022-10-20
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SiC MOSFET功率模塊是快速充電應用的理想選擇
碳化硅（SiC）MOSFET在功率半導體市場中正在迅速普及，因為一些最初的可靠性問題已經解決，并且價格水平已經達到了非常有吸引力的點。隨著市場上的器件越來越多，了解SiC MOSFET的特性非常重要，這樣用戶才能充分利用每個器件。本文將為您介紹SiC MOSFET的發(fā)展趨勢，以及由安森美（onsemi）所推出的1200V SiC MOSFET功率模塊的產品特性。
2022-10-20
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自舉電路工作原理和自舉電阻和電容的選取
在一些低成本的應用中，特別是對于一些600V小功率的IGBT，業(yè)界總是嘗試把驅動級成本降到最低。因而自舉式電源成為一種廣泛的給高壓柵極驅動（HVIC）電路供電的方法，原因是電路簡單并且成本低。
2022-10-19
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SiC MOSFET AC BTI 可靠性研究
作為目前碳化硅MOSFET型號最豐富的國產廠商派恩杰，不僅在功率器件性能上達到國際一流廠商水平，在AC BTI可靠性上更是超越國際一流廠商?？偛命S興博士用高性能和高可靠性的產品證明派恩杰是國產碳化硅功率器件的佼佼者，展現(xiàn)了超高的碳化硅設計能力和工藝水平。
2022-10-19
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LED串中升壓電源調節(jié)電流的示例
在此配置中，外設配置為產生大多數(shù)電流模式的固定頻率電源。COG是互補輸出發(fā)生器。其功能是通過上升沿和下降沿輸入構成的可編程死區(qū)生成互補輸出。CCP配置為生成可編程的頻率上升沿。當電流超出斜率補償器的輸出時，比較器C1生成下降沿。CCP可與C1結合來產生占空比。一些拓撲（如升壓、反激或SEPIC）需要占空比。運放OPA用于提供反饋和補償。
2022-10-19
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