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1.9GHz基站前端射頻LNA仿真與實(shí)現(xiàn)研究
本文給出了基于E-pHEMT管ATF-54143和混合耦合器2A1306-3的射頻低噪聲放大器的設(shè)計(jì)。E-pHEMT管的低噪聲系數(shù)和高OIP3使它在高動(dòng)態(tài)范圍電路設(shè)計(jì)上具有很大的優(yōu)勢(shì),并且該放大器的技術(shù)指標(biāo)達(dá)到了CDMA基站的接收前端對(duì)低噪聲放大器的規(guī)范要求,具有很好的應(yīng)用前景。
2008-10-12
截點(diǎn) E-pHEMT 平衡結(jié)構(gòu) LNA 仿真
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阻抗匹配
本文詳細(xì)討論了傳輸線的阻抗匹配問(wèn)題。重點(diǎn)介紹了串聯(lián)終端匹配和并聯(lián)終端匹配，提出將訊號(hào)的傳輸看成軟管送水澆花和傳輸線之終端控管技術(shù)。
2008-10-12
傳輸線 阻抗匹配 訊號(hào) 特性阻抗
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RF功率MOSFET產(chǎn)品及其工藝開(kāi)發(fā)
本文通過(guò)分析RF功率 LDMOSFET的性能和結(jié)構(gòu)特征，設(shè)計(jì)出RF 功率 LDMOSFET器件結(jié)構(gòu)，通過(guò)工藝和器件模擬確定了關(guān)鍵參數(shù)，并設(shè)計(jì)了一套符合6寸芯片生產(chǎn)線的制造工藝流程，對(duì)工藝中的難點(diǎn)提出了解決方案。
2008-10-12
RF MOSFET 性能 工藝
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運(yùn)放式射頻放大器
本文詳細(xì)介紹了放大器的基本拓?fù)浜蛥?shù)，如果價(jià)格可以接受的話，運(yùn)放，特別是CFB運(yùn)放非常適合射頻設(shè)計(jì)。
2008-10-12
運(yùn)放 射頻 CFB
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CDS2C05HDMI1/CDS3C05HDMI：EPCOS高速數(shù)據(jù)線ESD防護(hù)CeraDiode
愛(ài)普科斯現(xiàn)可提供0402和0603尺寸的CeraDiodes，其特點(diǎn)是標(biāo)準(zhǔn)值為0.6pF的極低的電容值。因此，該類產(chǎn)品適合于高速數(shù)據(jù)線的ESD防護(hù)，如USB、以太網(wǎng)、Firewire、eSATA和HDMI。
2008-10-11
ESD防護(hù) CeraDiode CDS2C05HDMI1 CDS3C05HDMI
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霍爾效應(yīng)技術(shù)提供緊湊型電流測(cè)量傳感器
通常測(cè)量3-20A范圍內(nèi)電流的方法主要有以下兩種：采用電阻分流器的傳統(tǒng)測(cè)量方法，和使用電流傳感器。新的研發(fā)隊(duì)伍融合了兩家公司的專業(yè)經(jīng)驗(yàn)，已經(jīng)重新設(shè)計(jì)了日本最暢銷的產(chǎn)品SY系列，并把它發(fā)展成為HX系列。
2008-10-11
霍爾效應(yīng) LEM SY HX
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電流型熱電偶溫度變送器的設(shè)計(jì)
在化工、石油、電力、冶煉等行業(yè)的自動(dòng)化控制系統(tǒng)中熱電偶發(fā)揮著對(duì)溫度的監(jiān)控作用。本文主要開(kāi)發(fā)設(shè)計(jì)出一套具有較高精度和穩(wěn)定性的實(shí)用性K型熱電偶溫度變送器。
2008-10-11
熱電偶 溫度變送器 溫度補(bǔ)償
- 授權(quán)代理商貿(mào)澤電子供應(yīng)Same Sky多樣化電子元器件
- 使用合適的窗口電壓監(jiān)控器優(yōu)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)
- ADI電機(jī)運(yùn)動(dòng)控制解決方案 驅(qū)動(dòng)智能運(yùn)動(dòng)新時(shí)代
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- TDK推出新的X系列環(huán)保型SMD壓敏電阻
- Vishay 推出新款采用0102、0204和 0207封裝的精密薄膜MELF電阻
- Microchip推出新款交鑰匙電容式觸摸控制器產(chǎn)品 MTCH2120
- 更高精度、更低噪音 GMCC美芝電子膨脹閥以創(chuàng)新?lián)屨夹袠I(yè)“制高點(diǎn)”
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