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有了這款神器,選用合適的元器件不在話下!

發(fā)布時間:2020-01-20 來源:ADI 責(zé)任編輯:wenwei

【導(dǎo)讀】有源和無源元件的選擇對電源總體性能影響巨大。效率、產(chǎn)生的熱量、物理尺寸、輸出功率和成本都會在某種程度上依賴于所選的外部元件。本文描述了在一個典型SMPS設(shè)計中,對于下列外部無源和有源器件設(shè)計人員需要知道的最重要的規(guī)格。這些器件包括:電阻、電容、電感、二極管和MOSFET。
 
對于效率至關(guān)重要的多供電軌應(yīng)用,開關(guān)模式電源(SMPS)已成為事實上的標準。在要求長電池續(xù)航時間的電池供電和便攜式應(yīng)用中尤其如此。電源鏈設(shè)計有多種方式??梢允褂媒祲恨D(zhuǎn)換器、升壓轉(zhuǎn)換器、降壓/升壓轉(zhuǎn)換器以及其他幾種拓撲結(jié)構(gòu)。這些結(jié)構(gòu)的共同點是需要表現(xiàn)出色的外部有源和無源元件才能使系統(tǒng)以最佳狀態(tài)工作。
 
某些電源IC解決方案可能只需要三個外部元件,如 ADP2108降壓調(diào)節(jié)器。因為它內(nèi)置電源開關(guān),所以這種開關(guān)模式穩(wěn)壓器只需要三個外部元件:一個輸入電容、一個輸出電容和一個電感。外部元件的上限幾乎是無限的,具體取決于拓撲結(jié)構(gòu)和電源要求。面對設(shè)計中的成本、性能和系統(tǒng)可靠性問題,設(shè)計人員必須知道哪些參數(shù)最為重要,以便選擇合適的元件。
 
電阻
 
電阻人人都懂,其對SMPS的影響相當有限。然而,在反饋、補償和電流檢測等使用它的場合,必須了解其潛在影響。
 
使用可調(diào)穩(wěn)壓器時,一般會使用外部電阻分壓器網(wǎng)絡(luò)來對輸出電壓分壓,以向穩(wěn)壓器提供反饋。在這里,電阻容差和電阻溫度系數(shù)都會產(chǎn)生影響。新式FPGA和處理器的內(nèi)核電壓更低,因而對電源電壓容差的要求更嚴格。對于1 V 內(nèi)核電壓的FPGA,5%容差只有50 mV。
 
圖1顯示了電阻容差和電阻溫度系數(shù)如何對最終設(shè)計產(chǎn)生重大影響。
 
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圖1.
 
ADP2301降壓調(diào)節(jié)器有一個0.8 V基準電壓源。輸出電壓為:
 
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如果將電路的增益定義為
 
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設(shè)計輸出電壓1 V,選擇R2 = 10 kΩ,計算得出R1 = 2.5 kΩ電路的增益為:
 
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如果使用5%容差電阻并考慮最差情況,則增益為:
 
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對輸出電壓而言,這相當于±2%的容差。在要求電源電壓容差為5%的系統(tǒng)中,上述容差已消耗掉較大一部分誤差預(yù)算。
 
同樣的設(shè)計如果使用1%容差電阻,則僅有±0.4%的誤差。
 
電阻溫度系數(shù)也會引起系統(tǒng)誤差。如果R1的額定溫度系數(shù)為+100 ppm/°C,R2為–100 ppm/°C,則溫度升高100°C將引起額外的0.4%誤差。由于這些原因,建議使用1%容差或更好的電阻。溫度系數(shù)低至10 ppm/°C的電阻很容易購得,但會提高系統(tǒng)成本。
 
電容
 
電容在SMPS設(shè)計中有多種作用:儲能、濾波、補償、軟啟動編程等。像所有實際器件一樣,電容有寄生效應(yīng),設(shè)計人員必須注意。就SMPS儲能和濾波而言,兩個最重要的寄生效應(yīng)是有效串聯(lián)電阻(ESR)和有效串聯(lián)電感(ESL)。圖2所示為簡化的實際電容圖。
   
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圖2.
 
理想電容的阻抗會隨著頻率提高而單調(diào)下降。圖3顯示了兩個不同100μF電容的阻抗與頻率的關(guān)系。一個是鋁電解型,另一個是多層陶瓷電容。在較低頻率時,阻抗隨著頻率提高而單調(diào)下降,符合預(yù)期。然而,由于存在ESR,在某一頻率時,此阻抗會達到最小值。當頻率繼續(xù)提高時,電容開始表現(xiàn)得像一個電感,阻抗也會隨之提高。阻抗與頻率的關(guān)系曲線稱為“浴盆”曲線,所有實際電容都有類似行為。
 
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圖3.
 
圖4展示了降壓轉(zhuǎn)換器設(shè)計中的電容功能。輸入電容會看到較大的非連續(xù)紋波電流。此電容需要能承受高紋波電流(低ESR)并具有低電感(ESL),如果輸入電容ESR過高,電容內(nèi)將產(chǎn)生I*R功耗。這會降低轉(zhuǎn)換器效率,并且有可能使電容過熱。輸入電流的非連續(xù)性質(zhì)還會與ESL相互作用,引起輸入上的電壓尖峰。這會給系統(tǒng)帶來干擾噪聲。降壓轉(zhuǎn)換器中的輸出電容會看到連續(xù)的紋波電流,這種電流一般很低。為實現(xiàn)最佳的效率和負載瞬態(tài)響應(yīng),ESR應(yīng)保持低值。
   
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圖4.
 
圖5展示了升壓轉(zhuǎn)換器中的去耦電容功能。輸入電容會看到連續(xù)的紋波電流。應(yīng)選擇低ESR電容,使輸入上的電壓紋波最小。輸出電容會看到較大的非連續(xù)紋波電流。這里需要使用低ESR和低ESL的電容。
   
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圖5.
 
在降壓/升壓轉(zhuǎn)換器中,輸入和輸出電容均會看到非連續(xù)紋波電流。這種拓撲結(jié)構(gòu)需要使用低ESR和低ESL的電容。
 
多個電容并聯(lián)以獲得較大的電容也許是明智的。并聯(lián)情況下電容會增加,而ESR和ESL則會降低。讓兩個或更多電容并聯(lián),便可獲得較大的電容和較低的電感與電阻。很多時候,只有利用這種辦法才能獲得所需的大電容值和低ESR,從而滿足設(shè)計要求。
 
使用ADI公司的ADIsimPower等在線設(shè)計工具會將這些權(quán)衡因素考慮進去,幫助您優(yōu)化設(shè)計。
 
電容有多種類型可供選擇。鋁電解電容、鉭電容和多層陶瓷電容是三種最常見的類型。像大多數(shù)設(shè)計決策一樣,選擇合適的類型涉及一系列權(quán)衡因素。
 
鋁電解電容的容值大、成本低,在所有選擇中,其成本/F比最佳。鋁電解電容的主要缺點是ESR較高,可達數(shù)歐姆。務(wù)必使用開關(guān)型電容,因為其ESR和ESL比通用型要低。鋁電解電容還依賴于電解質(zhì),由于電解質(zhì)會逐漸變干,因此電容壽命較短。
 
鉭電容使用鉭粉末作為電介質(zhì)。與同等鋁電容相比,鉭電容能以更小的封裝提供更大的容值,不過成本較高。ESR通常在100 m? 范圍內(nèi),比鋁電容低。鉭電容不使用液態(tài)電解質(zhì),因而壽命比鋁電解型要長。由于這個原因,鉭電容在高可靠性應(yīng)用中很受歡迎。鉭電容對浪涌電流敏感,有時需要串聯(lián)電阻來限制浪涌電流。務(wù)必不要超過制造商建議的浪涌電流額定值和電壓額定值。鉭電容失效時,可能會燒毀并冒煙。
 
多層陶瓷電容(MLCC)提供極低的ESR (<10 m?)和ESL (<1 nH), 采用小型表貼封裝。MLCC的最大容值可達100 μF,不過當容值大于10 μF時,物理尺寸和成本會增加。請注意MLCC的電壓額定值及其結(jié)構(gòu)中使用的電介質(zhì)。實際容值會隨著施加的電壓而變化,這稱為電壓系數(shù)。依據(jù)所選的電介質(zhì),這種變化可能非常大。圖6顯示了三種不同電容的容值與施加電壓的關(guān)系。X7R型電介質(zhì)性能最佳,大力推薦使用。由于電介質(zhì)的壓電效應(yīng),陶瓷電容對PCB振動敏感,所產(chǎn)生的電壓噪聲可能會擾亂PLL等敏感模擬電路。在此類敏感應(yīng)用中,不受振動影響的鉭電容可能是更好的選擇。
 
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圖6.
 
電感
 
電感是磁性儲能元件,通常是將線圈纏繞在磁芯上構(gòu)成。電流流過電感時,會在磁芯中感生一個磁場。該磁場就是儲能機制。由于電感中的電流無法立即改變,因此,當把一個電壓施加于電感時,電流會斜坡上升。圖7顯示了電感中的電流波形。
 
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圖7.
 
開關(guān)閉合時,全部電壓(V)出現(xiàn)在電感上。電感中的電流以V/L的速率斜坡上升。開關(guān)斷開時,電流以同樣的速率斜坡下降,磁場消失,并產(chǎn)生一個大電壓。該磁場就是儲能機制。圖8給出了電感的簡化模型。
   
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圖8.
 
除電感外,還有串聯(lián)電阻(DCR)和并聯(lián)電容。DCR主要是由線圈電阻引起的,對電感的功率損耗計算很重要。并聯(lián)電容與電感一起可能引起電感自諧振。自諧振頻率可以通過下式計算:
 
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一個有效的經(jīng)驗法則是,讓開關(guān)頻率始終比電感的自諧振頻率低10倍。在大多數(shù)設(shè)計中,這不是問題。
 
電感的功率損耗會引起電感溫度升高和效率降低。電感的功率損失主要有兩類,設(shè)計人員對這兩類均要了解。繞組電阻(DCR)損耗就是導(dǎo)線的I2× R損耗,也稱為銅損耗。電感功率損耗的另一個因素是所謂鐵芯損耗。鐵芯損耗是鐵芯內(nèi)磁滯和渦電流的綜合效應(yīng)。鐵芯損耗的計算要困難得多,可能連數(shù)據(jù)手冊上都不會提供,但會引起鐵芯功耗和溫度上升。ADI公司已從電感制造商處獲得鐵芯損耗信息,并將其納入在線設(shè)計工具 ADIsimPower中。這樣,設(shè)計人員就能獲得精確的鐵芯損耗信息,以及其對SMPS整體設(shè)計的影響。
 
圖9展示了降壓和升壓兩種電源設(shè)計中的電感功能。電感的主要作用是儲能,但也可用作濾波器。選擇電感值時,首先要確定期望的最大紋波電流。一個很好的出發(fā)點是:對降壓轉(zhuǎn)換器,使用直流負載電流的30%;對升壓轉(zhuǎn)換器,使用直流輸入電流的30%。這樣就可以利用圖9中的公式計算電感值。
 
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圖9.
 
現(xiàn)成電感的容差可能高達±30%,計算時務(wù)必加以考慮。另外還要根據(jù)下式選擇電感:
 
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其中Isat為電感的飽和電流。飽和電流是指電感感值降低某一百分比時流過的電流。此百分比隨制造商不同而異,范圍在10%到30%之間。選擇電感時,務(wù)必注意飽和電流隨溫度而變化,因為電感很可能要在高溫下工作。最差情況下,電感值降低10%一般是可接受的。使用大于必要值的電感會占用更多的PCB面積,并且成本通常更高。較高的開關(guān)頻率支持使用值較低的電感。
 
用于SMPS的電感主要有兩種鐵芯材料:鐵粉芯和鐵氧體。鐵粉芯的材料之間有氣隙,導(dǎo)致飽和曲線較平緩。因此,采用這種鐵芯材料的電感更適合需要大瞬時電流的應(yīng)用。
 
鐵氧體磁芯電感會更快速地飽和,但成本和鐵芯損耗較低。
 
為電路選擇合適的電感值并不是簡單的計算,但多數(shù)設(shè)計可支持范圍相當寬的電感值。
 
低值電感的優(yōu)勢有:
 
● 更低的DCR
● 更高的飽和電流
● 更高的di/dt
● 更快的開關(guān)頻率
● 更好的瞬態(tài)響應(yīng)
 
高值電感的優(yōu)勢有:
 
● 更低的紋波電流
● 更低的鐵芯損耗
● 電路開關(guān)中的電流有效值更低
● 滿足輸出紋波要求所需的電容更低
 
電感家族中一個相對較新的成員是多層芯片電感。這種芯片電感的物理尺寸非常小(0805),支持超小型設(shè)計。電感值目前最高可達4.7 μH,因此,一般適合較高開關(guān)頻率的設(shè)計。小尺寸也限制了其電流處理能力(約1.5 A),因此,不能用于較高功率的設(shè)計。與標準繞線電感相比,芯片電感成本更低、尺寸更小、DCR更低,設(shè)計人員可以酌情使用。
 
如果對屏蔽電感和無屏蔽電感進行對比,雖然屏蔽電感較昂貴且飽和電流較低(物理尺寸和電感值相同的情況下),但它能大大降低EMI。為了幫助消除設(shè)計的EMI問題,使用屏蔽電感是值得的。開關(guān)頻率較高時尤其如此。
 
二極管
 
異步開關(guān)電源設(shè)計采用無源開關(guān)。該開關(guān)通常是一個二極管。然而,由于二極管的正向壓降,異步設(shè)計的輸出一般小于3 A,否則效率會大幅下降。
除最高電壓設(shè)計外,異步穩(wěn)壓器建議使用肖特基二極管,其擊穿電壓最高可達100 V左右。與硅二極管相比,肖特基二極管的正向壓降較低,因而功耗顯著降低。
 
另外,其反向恢復(fù)時間為0,這也能消除二極管的開關(guān)損耗。
 
肖特基二極管還提供超低正向壓降版本。不過其擊穿電壓最高只有40 V左右,成本也略高,但可進一步降低二極管的功耗。
 
選擇二極管時,必須考慮正向壓降、擊穿電壓、平均正向電流和最大功耗。應(yīng)選擇正向壓降盡可能低的器件,但務(wù)必使用數(shù)據(jù)手冊中與設(shè)計電流相關(guān)的正向壓降值。很多時候,隨著正向電流增加,正向壓降會大幅提高。正向壓降越高,器件功耗越大。這又會降低轉(zhuǎn)換器效率,并且有可能使二極管過熱。
 
二極管的正向電壓溫度系數(shù)為負值。這是一把雙刃劍。一方面,隨著二極管溫度升高,正向壓降會降低,因而器件的功耗會減小。然而,由于這一效應(yīng),不宜使用并聯(lián)二極管來分流,因為其中一個二極管往往會處于支配地位,得到并聯(lián)系統(tǒng)中的所有電流。
 
二極管的擊穿電壓額定值應(yīng)高于系統(tǒng)電壓。正向電流額定值應(yīng)大于電路中設(shè)計的電感電流有效值。當然,二極管必須能夠消散足夠的功率,避免過熱。所選器件的最大功耗額定值應(yīng)大于設(shè)計要求。ADI公司的在線電源設(shè)計工具ADIsimPower有一個很大的二極管數(shù)據(jù)庫,致力于幫您選擇最適合特定應(yīng)用的器件。
 
MOSFET
 
開關(guān)電源中的“開關(guān)”一般是MOSFET。超高電壓和電流設(shè)計可能會使用IGBT型晶體管。
 
MOSFET主要分為N溝道和P溝道兩大類,兩者各有千秋。
 
N溝道增強模式器件需要一個正柵極-源極電壓才能導(dǎo)通,導(dǎo)通電阻低于相同大小的P溝道器件,成本也更低。
 
P溝道器件需要一個負柵極-源極電壓才能導(dǎo)通,導(dǎo)通電阻較大,成本略高。
由于要求柵極-源極電壓為正,N溝道器件往往更難以驅(qū)動,因為可能需要將柵極驅(qū)動到系統(tǒng)主電源電壓以上。這通常是由一個簡單的自舉電路來處理,但會增加系統(tǒng)的成本和復(fù)雜性。最新的IC穩(wěn)壓器包括自舉二極管,可降低成本和元件數(shù)。
 
P溝道器件則很容易驅(qū)動,無需附加電路。使用P溝道 MOSFET的缺點是成本和導(dǎo)通電阻較高。
 
選擇MOSFET時,必須注意一些關(guān)鍵性能參數(shù):Rds、Vds、 Vgs、Cdss、Cgs、Cgd和Pmax(排名不分先后)。
 
Rds為驅(qū)動?xùn)艠O時器件的導(dǎo)通電阻。在SMPS中,Rds越低越好。這樣可以降低器件的I2× R功耗并提高效率。MOSFET 的一個良好特性是Rds具有正溫度系數(shù)。這使得MOSFET非常適合并聯(lián)使用,因為并聯(lián)時,器件會均等地分享電流。
 
Vds表示MOSFET的擊穿電壓。應(yīng)選擇大于系統(tǒng)電壓的擊穿電壓額定值。擊穿電壓越高通常意味著成本越高,因此不要使用額定值過大的器件。
 
Vgs指柵極-源極閾值電壓。這是使器件導(dǎo)通所需的電壓。
 
MOSFET器件存在最大電流額定值和最大功耗額定值,不得超過這些額定值。內(nèi)部功耗主要有兩個來源:I2 × Rds和開關(guān)損耗。
 
當MOSFET(開關(guān))導(dǎo)通時,功耗只有一個來源,即I2 × Rds損耗。開關(guān)關(guān)斷時,器件無功耗。但在轉(zhuǎn)換期間,器件會有功耗。轉(zhuǎn)換期間的功耗稱為開關(guān)損耗。
 
圖10所示為開關(guān)損耗曲線。它主要是柵極上的電容引起的,包括柵極-源極電容和柵極-漏極電容。要導(dǎo)通和關(guān)斷MOSFET,必須對這些電容充電和放電。注意圖10中的電壓和電流波形。導(dǎo)通期間,在一定時間內(nèi),器件上不僅存在電壓,而且還有電流流過。這會導(dǎo)致器件的V × I功耗。頻率越高,開關(guān)損耗越大。這是SMPS設(shè)計中諸多權(quán)衡因素之一。頻率越低,電感和電容越大,效率越高。頻率越高,電感和電容越小,但損耗較大。
 
有了這款神器,選用合適的元器件不在話下!
圖10.
 
小結(jié)
 
設(shè)計SMPS時,輔助元件的選擇常常屈居于控制器或穩(wěn)壓器IC之后,但有源和無源元件的選擇對電源總體性能影響巨大。效率、產(chǎn)生的熱量、物理尺寸、輸出功率和成本都會在某種程度上依賴于所選的外部元件。為了做出最佳選擇,需要仔細分析性能要求。使用ADI公司的ADIsimPower等集成設(shè)計工具可簡化這一過程。
ADIsimPower 允許用戶輸入設(shè)計條件,包括決定電路板空間、價格、效率或成本的優(yōu)先順序。然后,它會執(zhí)行所有必要的計算來分析設(shè)計,并推薦符合設(shè)計條件的元件。ADIsimPower有一個很大的元件數(shù)據(jù)庫,數(shù)據(jù)來自各家制造商。某些情況下,該工具甚至?xí)褂弥圃焐涛垂_的數(shù)據(jù)以便給出最精準的建議。
 
來源:亞德諾半導(dǎo)體
 
 
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