由于這些認證是為基礎(chǔ)和增強的數(shù)字隔離器創(chuàng)建的唯一器件級標準，因此它們能夠使原始設(shè)備制造商和終端設(shè)備制造商相信使用該隔離器將滿足其系統(tǒng)級的高壓要求和終端設(shè)備等級認證。

 

新標準有哪些變化？

 

從DIN V VDE V 0884-10到DIN VDE V 0884-11的最大變化是對認證過程和要求的更改。表1中列出的這些更改會影響基本認證和增強認證的器件標準。

 

表1：DIN V VDE更新（基本和增強）

 

讓我們逐一瀏覽每個更新。

 

 “最大浪涌隔離電壓”量化了隔離器承受特定瞬態(tài)曲線的極高電壓脈沖的能力。由于直接或間接的雷擊、故障或短路事件，圖2所示的浪涌測試曲線可能會在安裝中出現(xiàn)。盡管測試電壓、最低電壓要求和沖擊次數(shù)沒有改變，但沖擊現(xiàn)在以雙極性脈沖而非單極性脈沖執(zhí)行。施加25個正脈沖，隨后是1小時至2小時的延遲，然后再將25個負脈沖施加到同一器件。

 

在單個浪涌脈沖期間，一些電荷保留在隔離電介質(zhì)中，從而產(chǎn)生剩余電場。在單極測試中，剩余電場會減小后續(xù)脈沖期間隔離柵承受的總電場。相比單極脈沖，雙極脈沖對隔離柵的場強更大，因為剩余電場現(xiàn)在與前一個脈沖疊加，從而超過了該器件測試序列中任何先前脈沖的場強度。

 

圖1：模擬直接或間接雷擊、故障或短路事件的電涌試驗

 

目前，DIN VDE V 0884-11需要使用行業(yè)標準的時間相關(guān)的電介質(zhì)擊穿（TDDB）測試方法來收集隔離器的壽命預(yù)測數(shù)據(jù)。在此測試中，隔離柵每側(cè)的所有管腳都綁在一起，形成了一個雙端子器件，并在兩側(cè)之間施加了高電壓。在室溫和最高工作溫度下，以60Hz的各類高電壓切換來收集絕緣擊穿數(shù)據(jù)。

 

圖2所示為隔離柵在其整個壽命期間承受高壓應(yīng)力的固有能力。根據(jù)TDDB數(shù)據(jù)，絕緣的固有能力為1.5 kVRMS ，使用壽命為135年。諸如封裝尺寸、污染程度、材料種類等其他因素可能會進一步限制組件的工作電壓。集成電路制造商需要花費數(shù)月甚至數(shù)年時間來收集每個經(jīng)認證器件的數(shù)據(jù)。

 

 

圖2：TDDB測試數(shù)據(jù)顯示了隔離屏障在其使用壽命內(nèi)承受高壓應(yīng)力的固有能力

 

對于增強隔離，DIN VDE V 0884-11要求使用故障率小于百萬分之一（ppm）的TDDB預(yù)測線。即使在指定的工作隔離電壓下預(yù)期的最小絕緣壽命為二十年，新的增強型認證仍要求工作電壓額外增加20％的安全裕度，器件的額定壽命增加87.5％的安全裕度，也就是說，在工作電壓比規(guī)定值高20％時，最低要求的絕緣壽命為37.5年。

 

對于基本隔離，DIN VDE V 0884-11的要求不太嚴格，允許的故障率小于1000 ppm。仍需要20％的工作電壓裕度，但基本絕緣器件的使用壽命裕度降低到30％，這是指在工作電壓比額定值高20％的情況下，總要求使用壽命為26年。DIN V VDE V 0884-10先前沒有定義最小額定壽命和整個壽命內(nèi)的故障率。

 

盡管局部放電測試標準在DIN VDE V 0884-11中并未更改，但了解局部放電測試對隔離組件的相關(guān)性非常有用。即使二氧化硅不存在局部放電的現(xiàn)象，TI和VDE仍測試基于二氧化硅的數(shù)字隔離器的局部放電。光耦合器使用局部放電測試作為一種手段來篩選出在電介質(zhì)中形成多余空氣氣泡的不良量產(chǎn)器件。雖然局部放電測試可以排除有缺陷的器件，但是要注意，它不能作為最低保證壽命測試，只有在數(shù)字隔離器上進行的TDDB測試才是一個精確的壽命測試過程。

 

通過認證，設(shè)備制造商可以在全球范圍內(nèi)使用隔離器件來滿足其終端應(yīng)用程序設(shè)計要求，并了解隔離器是否能夠在其整個生命周期內(nèi)可靠地工作。針對認證要求的更新和修訂（如DIN VDE中的要求）可確保高電壓安全性要求始終有意義且盡可能嚴格。如果器件制造商不能保證滿足DIN VDE V 0884-11的要求，那么設(shè)備制造商對現(xiàn)有和未來設(shè)計的電路板隔離器件進行檢查以確保它們?nèi)匀粷M足認證要求就變得至關(guān)重要。

 

其他資源

 

●  查看TI的數(shù)字隔離器認證。

●  下載白皮書：“高壓增強型隔離：定義和測試方法。”

 

 

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