
解析高頻振蕩接近開關(guān)原理
發(fā)布時(shí)間:2018-09-12 責(zé)任編輯:lina
【導(dǎo)讀】高頻振蕩型接近開關(guān)由檢測元件﹑檢波單元﹑放大單元﹑整型單元和輸出單元等組成。
什么是高頻振蕩接近開關(guān)?
高頻振蕩型接近開關(guān)由檢測元件﹑檢波單元﹑放大單元﹑整型單元和輸出單元等組成。這種傳感器內(nèi)部安裝的檢測元件是由檢測線圈和高頻振蕩器組成﹐加電后檢測線圈產(chǎn)生一個(gè)交變的電磁場﹐當(dāng)金屬物體接近電磁場時(shí)﹐金屬表面的磁通密度發(fā)生變化而產(chǎn)生感應(yīng)電流——渦流﹐渦流產(chǎn)生的磁通總是與檢測線圈的磁通方向相反。由于渦流的作用﹐使檢測線圈能耗增加﹐品質(zhì)系數(shù)下降﹐振幅降低﹐以至振蕩器停振。反之﹐當(dāng)金屬物件遠(yuǎn)離這個(gè)作用區(qū)時(shí)﹐振蕩器又開始振蕩。檢測電路檢測到振幅器的狀態(tài)變化后﹐轉(zhuǎn)換為一個(gè)開關(guān)量訊號(hào)。

高頻振蕩接近開關(guān)原理
是在使用時(shí)一定要注意操作方法,畢竟和電有關(guān)的東西都是比較危險(xiǎn)的。接近開關(guān)屬于一 種有開關(guān)量輸出的位置傳感器根據(jù)工作原理的不同分為電感式和電容式,電感式接近開關(guān)它由LC高頻振蕩器和放大處理電路組成,利用金屬物體在接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場的振蕩感應(yīng)頭時(shí),使物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流??筛鶕?jù)客戶需要制作成耐高溫型接近開關(guān),最高溫度150C。
交流電源接入整流模塊,經(jīng)濾波及三相全波整流器后變成直流,再接入高頻逆變回路,將直流轉(zhuǎn)換為高頻交流,最后經(jīng)高頻變壓器、整流橋、濾波器后輸出平穩(wěn)直流。
高頻開關(guān)電路主要由整流濾波電路,全橋變換電路,PVm時(shí)空制電路, 穩(wěn)壓、限壓電路,穩(wěn)流、限流電路,保護(hù)電路,以及輔助電源電路等組成。
三相電網(wǎng)(或單相)電壓經(jīng)電源開關(guān)后,進(jìn)行整流濾波,得到的520Vdc (單相為300Vdc)的平滑直流電壓供給逆變電路。。
逆變電路主要由大功率IGBT模塊(或場效應(yīng)MOSFET模塊)組成全橋變換電路。當(dāng)P沏俞出控制信號(hào)通過隔離驅(qū)動(dòng)器分別驅(qū)動(dòng)功率模塊,兩組對(duì)角管分別交替導(dǎo)通,在高頻變壓器初級(jí)產(chǎn)生高頻脈沖電壓,次級(jí)電壓由高頻變壓器變壓后經(jīng)整流向負(fù)載提供能量。
輸出端分別接有穩(wěn)壓、限流和穩(wěn)流、限壓等反饋電路。當(dāng)置于穩(wěn)壓狀態(tài)時(shí),穩(wěn)壓和限流電路起作用,當(dāng)輸出電壓升高或下降時(shí),取樣電壓通過穩(wěn)玉電路內(nèi)部電壓比較器跟基準(zhǔn)電壓比較,其誤差信號(hào)電壓加到Pw時(shí)控制電路,使PV俞出脈寬作相應(yīng)變化,從而穩(wěn)定輸出電壓,如負(fù)載電流過高時(shí),限流電路工作,使輸出電流限制在限流設(shè)定值內(nèi)。
同樣,在穩(wěn)流狀態(tài)下,穩(wěn)流電路作用,使輸出電流穩(wěn)定在設(shè)定值內(nèi),而當(dāng)過壓時(shí),限壓電路使輸出電壓鉗位在限壓值。當(dāng)有異常情況(如輸入過壓或欠壓,過流或過熱等)產(chǎn)生保護(hù)信號(hào)加到保護(hù)控制電路時(shí),保護(hù)電路輸出-一個(gè)電壓加到PVM電路,使PM電路停止輸出,從而達(dá)到保護(hù)目的。
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