本文將真正的肖特基二極管作為正向壓降的選擇。本文檔描述了低、中和高電壓電平應用，以及具有理想動態(tài)行為的二極管、快速反向恢復 PN 二極管、真正的肖特基二極管和特定應用的勢壘高度調整。

 

根據熱電子發(fā)射模型，純肖特基勢壘呈現正向壓降，隨著勢壘高度的減小呈線性下降；而反向電流隨著勢壘高度的降低呈指數增長。因此，存在一個  勢壘高度，它可以  化特定應用的正向和反向功耗總和。然而，與肖特基二極管用戶的討論表明，他們并不尋求正向和反向功耗的  值，而總是尋求正向壓降的  值。很少要求反向電流值。必須了解肖特基二極管是如何應用的，才能客觀地選擇  合適的器件。

 

低電壓應用

 

在電路電壓低的大功率應用中，并使用阻斷電壓低于 25V 的肖特基二極管，二極管的正向功率損耗在功率損耗的平衡中仍然占主導地位。主要應用是開關模式電源 (SMPS)。此處有人認為，正向壓降降低 4 mV 會導致正向功率損耗降低約 1%。因此，為此應用創(chuàng)建的組件具有低勢壘高度（小于 0.74 eV）和高度摻雜的薄外延漂移層。這導致器件具有低正向壓降和高但仍可接受的反向電流。

 

中高壓級應用

 

另一方面，使用中壓或高壓肖特基類型（VRRM 范圍為 45 V 至 150 V）的高功率應用中的反向功率損耗與正向功率損耗相當，甚至可能更高。盡管如此，大多數用戶并不要求低反向電流，而只是要求低正向壓降。

 

具有理想動態(tài)行為的二極管

 

除了正向和反向器功率損耗外，顯然還有第三種品質，但難以量化。然而，正如經驗所示，它對正向壓降有影響。

 

我想這種品質是由真實肖特基二極管的動態(tài)特性和開關損耗表現出來的。由于它們在具有昂貴測試設備的范圍內出現的時間較短，此外，它們的依賴性的細微差異無法明顯。

 

快速反向恢復 PN 二極管

 

與理想二極管相比，具有少數載流子電流分量的 pn 二極管在正向電流降至零后仍“記住”它們之前的導通狀態(tài)。這是由于注入的少數載流子（n 區(qū)中的空穴）會隨著調整后的少數載流子壽命 t 呈指數衰減或被反向電流掃除。pn 二極管會在電流過零后延遲一段時間恢復其反向阻斷能力。少數載流子壽命可以通過將壽命抑制物（金或鉑）擴散到 n 區(qū)或將二極管芯片暴露在輻射中來減少。

 

真正的肖特基二極管

 

真正的肖特基二極管也通過其勢壘注入少數載流子，盡管它小了幾個數量級。這種現象稱為外延層調制。注入隨著勢壘高度、電壓類型、正向電流密度和結溫的增加而增加。

 

由于上述技術測量困難，我們模擬了真實肖特基二極管的關斷行為。在下面的圖 1 中，繪制了類型電壓為 100 V、有效面積為 0.323 cm2 的肖特基二極管的電流和電壓波形隨時間變化的曲線。預設工作條件為 50 A 正向電流、300 A/?s 換向期間、25 V 反向偏置電壓和 25°C 結溫?？紤]了勢壘高度為 0.74、0.8 和 0.86 eV 的三種不同材料。關斷能量分別為 0.86、1.0 和 2.3 ?W。仿真模型清楚地表明，n 摻雜外延層中來自導電相的剩余少數載流子決定了 LC 電路微分方程通解的初始條件，它由一個關斷電感線圈、結電容和 25 V 的強制反向電壓偏置組成。

 

由于真正的肖特基二極管在換向后阻止反向電壓的延遲能力——隨著勢壘高度的增加而增長——，諧振電路對過大的反向電流（即大于換向關斷斜率乘以 LC 的平方根）、過大的反向電壓（即超過驅動反向電壓的兩倍）和陡峭的啟動、過大的 dv/dt（即大于驅動反向電壓除以 LC 的平方根）。隨著勢壘高度的增加，動態(tài)參數和開關損耗的過剩變得更加明顯。

 

由于實際肖特基二極管在換向后阻止反向電壓的延遲能力——隨著勢壘高度的增加而增長——，諧振電路對過大的反向電流作出反應（即大于換向關斷斜率乘以 LC 的平方根）、過大的反向電壓（即大于驅動反向電壓的兩倍）和陡峭的啟動、過大的 dv/dt（即大于驅動反向電壓除以 LC 的平方根）。

 

隨著勢壘高度的增加，動態(tài)參數和開關損耗的過剩變得更加明顯。由于實際肖特基二極管在換向后阻止反向電壓的延遲能力——隨著勢壘高度的增加而增長——，諧振電路對過大的反向電流作出反應（即大于換向關斷斜率乘以 LC 的平方根）、過大的反向電壓（即大于驅動反向電壓的兩倍）和陡峭的啟動、過大的 dv/dt（即大于驅動反向電壓除以 LC 的平方根）。隨著勢壘高度的增加，動態(tài)參數和開關損耗的過剩變得更加明顯。

 

過大的反向電壓（即大于驅動反向電壓的兩倍）和陡峭的啟動，過大的 dv/dt（即大于驅動反向電壓除以 LC 的平方根）。隨著勢壘高度的增加，動態(tài)參數和開關損耗的過剩變得更加明顯。過大的反向電壓（即大于驅動反向電壓的兩倍）和陡峭的啟動，過大的 dv/dt（即大于驅動反向電壓除以 LC 的平方根）。隨著勢壘高度的增加，動態(tài)參數和開關損耗的過剩變得更加明顯。