1、DDR系統(tǒng)的三種電源

 

對(duì)于電源電壓，DDR SDRAM系統(tǒng)要求三個(gè)電源，分別為VDDQ、VTT和VREF。

 

A、主電源VDD和VDDQ

 

主電源的要求是VDDQ=VDD，VDDQ是給IO buffer供電的電源，VDD是給內(nèi)核供電。但是一般的使用中都是把VDDQ和VDD合成一個(gè)電源使用。

 

有的芯片還有專門的VDDL，是給DLL供電的，也和VDD使用同一電源即可。

 

電源設(shè)計(jì)時(shí)，需要考慮電壓、電流是否滿足要求。

 

電源的上電順序和電源的上電時(shí)間，單調(diào)性等。

 

電源電壓的要求一般在±5%以內(nèi)。電流需要根據(jù)使用的不同芯片，及芯片個(gè)數(shù)等進(jìn)行計(jì)算。由于DDR的電流一般都比較大，所以PCB設(shè)計(jì)時(shí)，如果有一個(gè)完整的電源平面鋪到管腳上，是最理想的狀態(tài)，并且在電源入口加大電容儲(chǔ)能，每個(gè)管腳上加一個(gè)100nF~10nF的小電容濾波。

到了DDR5，電壓從1.2V將會(huì)變到1.1V，下降了8.3%，這是幾代DDR總線以來下降比例最少的一次。說明電子技術(shù)的發(fā)展，對(duì)于低功耗的設(shè)計(jì)難度越來越大。這么低的電壓，其抗干擾設(shè)計(jì)就會(huì)更加的難。對(duì)于電源完整性和信號(hào)完整性的設(shè)計(jì)要求就越來越嚴(yán)苛。

 

B、參考電源Vref

 

參考電源Vref要求跟隨VDDQ，并且Vref=VDDQ/2，所以可以使用電源芯片提供，也可以采用電阻分壓的方式得到。由于Vref一般電流較小，在幾個(gè)mA~幾十mA的數(shù)量級(jí)，所以用電阻分壓的方式，即節(jié)約成本，又能在布局上比較靈活，放置的離Vref管腳比較近，緊密的跟隨VDDQ電壓，所以建議使用此種方式。需要注意分壓用的電阻在100Ω~10kΩ均可，需要使用1%精度的電阻。Vref參考電壓的每個(gè)管腳上需要加10nF的電容濾波，并且每個(gè)分壓電阻上也并聯(lián)一個(gè)電容較好。

 

 

Vref此處的電流并不大，通過分壓，可以選擇阻值稍大的電阻。所以需要靠近芯片放置，放置走線過長，被其他大電流信號(hào)干擾。

 

C、用于匹配的電壓VTT(Tracking Termination Voltage)

 

VDDQ是一種高電流電源DDR芯片的內(nèi)核、I/O和存儲(chǔ)器邏輯供電，而Vref是一種低電流、精確的參考電壓，它在邏輯高電平（1）和邏輯低電平（0）之間提供一個(gè)閾值，以適應(yīng)I/O電源電壓的變化。通過提供一個(gè)適應(yīng)電源電壓的精確閾值，VREF實(shí)現(xiàn)了比固定閾值和終端和驅(qū)動(dòng)正常變化情況下更大的噪聲裕度。

 

VTT是改善信號(hào)質(zhì)量，最常見的規(guī)格是0.49到0.51倍VDDQ，VTT為匹配電阻上拉到的電源，VTT=VDDQ/2。

 

DDR的設(shè)計(jì)中，根據(jù)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的不同，有的設(shè)計(jì)使用不到VTT，如控制器帶的DDR器件比較少的情況下。如果使用VTT，則VTT的電流要求是比較大的，所以需要走線使用銅皮鋪過去。并且VTT要求電源即可以吸電流，又可以灌電流才可以。一般情況下可以使用專門為DDR設(shè)計(jì)的產(chǎn)生VTT的電源芯片來滿足要求。很多情況下，也采用上下拉電阻實(shí)現(xiàn)吸電流和灌電流的功能，即戴維南電路。

 

而且，每個(gè)拉到VTT的電阻旁一般放一個(gè)10nF~100nF的電容，整個(gè)VTT電路上需要有uF級(jí)大電容進(jìn)行儲(chǔ)能。

 

 

 

由于VTT電源必須在 1/2 VDDQ提供和吸收電流，因此如果沒有通過分流來允許電源吸收電流，那么就不能使用一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)的開關(guān)電源。而且，由于連接到VTT的每條數(shù)據(jù)線都有較低的阻抗，因而電源就必須非常穩(wěn)定。在這個(gè)電源中的任何噪聲都會(huì)直接進(jìn)入數(shù)據(jù)線。

 

 

VTT 被用來從DDR控制器IC中獲取電壓，給數(shù)據(jù)總線和地址總線提供電源,VTT不直接應(yīng)用在DDR器件上，而是在系統(tǒng)電源上（VTT和終端電阻都被集成到 DDR CONTROLLER上），因此不需要在電路圖中額外標(biāo)出。它的值通常設(shè)定大致等于VREF的值（在VREF上下0.04V浮動(dòng)），并且隨著VREF的變 化而變化。對(duì)于DDR1 SDRAM應(yīng)用中的地址總線控制信號(hào)和數(shù)據(jù)總線信號(hào)都有端接電阻。需要一個(gè)沒有任何的噪聲或者電壓變化的參考電壓(VREF)，用作DDR SDRAM輸入接收器，VREF也等于1/2 VDDQ。VREF的變化將會(huì)影響存儲(chǔ)器的設(shè)置和保持時(shí)間。

 

2、為什么需要VTT

 

為了符合DDR的要求并保證最優(yōu)的性能，VTT和VREF需要在電壓、溫度和噪聲容限上進(jìn)行嚴(yán)密的控制以便跟蹤1/2 VDDQ。

 

在實(shí)際電路中，對(duì)于VREF的電壓采取電阻分壓的方式取得，如下圖所示：

 

 

其中電容為去耦電容。

 

 

DDR顆粒的接收端比較特殊，它是一個(gè)差分放大器，其中的一個(gè)PIN腳連接Vref是固定，另一個(gè)PIN接在DDR控制器的發(fā)送端，發(fā)送端發(fā)送過來的信號(hào)，只要比Vref高，高過一定的門限，接受端就認(rèn)為1，只要比Vref低，低于一定的門限，接收端就認(rèn)為0。我們知道DDR的速率(電平的切換)是很快的，同時(shí)一個(gè)控制器會(huì)下掛很多顆粒，這就導(dǎo)致總線上的電流(電荷)來不及泄放和補(bǔ)充，這就需要將VTT在VOUT為高的時(shí)候，吸收電流，在VOUT為低的時(shí)候補(bǔ)充電流；

 

 

以DDR2為例，當(dāng)VOUT為高電平的時(shí)候，VOUT＝1V8，VTT＝0V9，電流b向處于增加的趨勢(shì)，當(dāng)VOUT為0，VTT＝0V9，電流a向處于增加趨勢(shì)；

 

一般DDR VTT的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)

 

 

3、VTT電源工作原理

 

 

其中VFB為電壓反饋端，SW為電壓輸出端；

 

結(jié)合DDR拓?fù)鋱D來看，當(dāng)VOUT為低的時(shí)候，由于a方向的電流處于增大的趨勢(shì)，電感L會(huì)產(chǎn)生臨時(shí)反向電動(dòng)勢(shì)，來抑制電流變化，這樣導(dǎo)致VTT電壓變小，上管導(dǎo)通，來補(bǔ)償這個(gè)電流，直至流經(jīng)電感的電流等于新的電流；

 

當(dāng)VOUT為高的時(shí)候，由于b方向的電流處于增大的趨勢(shì)，電感L會(huì)產(chǎn)生臨時(shí)的反向電動(dòng)勢(shì)，來抑制電流變化，這樣導(dǎo)致VTT處的電源變大，進(jìn)而導(dǎo)致Vsense變大，上管關(guān)閉，下管導(dǎo)通，吸收電流；

 

4、戴維南電路代替VTT

 

 

在一些設(shè)計(jì)中，在使用DDR顆粒的情況下，已經(jīng)基本全部不使用VTT電源，全部采用電阻上下拉的戴維南電路（用上下拉電阻替代VTT電源），只有在使用內(nèi)存條的情況下才使用VTT電源。需要進(jìn)行信號(hào)完整性仿真之后，確定上下拉電阻的阻值。這個(gè)阻值一般比較小，雖然降低了設(shè)計(jì)復(fù)雜度，但是增大了整個(gè)系統(tǒng)的功耗。

 

一般情況下，DDR的數(shù)據(jù)線都是一驅(qū)一的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，且DDR2和DDR3內(nèi)部都有ODT做匹配，所以不需要拉到VTT做匹配即可得到較好的信號(hào)質(zhì)量。DDR2的地址和控制信號(hào)線如果是多負(fù)載的情況下，會(huì)有一驅(qū)多，并且內(nèi)部沒有ODT，其拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)為走T型的結(jié)構(gòu)，所以常常需要使用VTT進(jìn)行信號(hào)質(zhì)量的匹配控制。DDR3可以采用Fly-by方式走線。

 

 

4、VTT電流預(yù)估

 

例如：VTT（0.6V）作為地址線/控制線（共25根）的上拉電源 ，上拉電阻39.2歐姆，最大電流計(jì)算公式：（0.6V/39.2）*25 = 0.38A。

 

最大電流就是所有信號(hào)同為高，或者同為低的時(shí)候，所有的信號(hào)線都是灌電流或者拉電流。如果有高有底，則會(huì)相互抵消，VTT的輸出電流沒有那么大。

（來源：硬件十萬個(gè)為什么）