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基于LM5036的半橋DC/DC電源非恒定電流限制

發(fā)布時間:2022-01-17 責任編輯:lina

【導(dǎo)讀】同時,LM5306在過流保護時可以進入打嗝模式。其周期可由RES引腳上的外接電容進行配置。除了傳統(tǒng)的過流打嗝模式,LM5036還支持倒灌電流的嗝模式保護 。當?shù)构嚯娏鞣磸?fù)出現(xiàn)時,LM5036也可進入打嗝模式。打嗝重啟電容器處設(shè)置15μA電流源。


LM5036是一款高度集成化的半橋PWM控制器,集成了輔助偏置電源,為電信,數(shù)據(jù)通信,工業(yè)電源轉(zhuǎn)換器提供高功率密度解決方案。LM5036包含使用電壓模式控制實現(xiàn)半橋拓撲功率轉(zhuǎn)換器所需的所有功能。 該器件適用于隔離式DC-DC轉(zhuǎn)換器的初級側(cè),輸入電壓高達100V。與傳統(tǒng)半橋及全橋控制器相比,LM5036有著自身不可替代的優(yōu)勢:


(1)集成輔助偏置電源,為LM5036及原邊和副邊元器件供電,無需外部輔助電源,減少電路板尺寸和成本,有助于實現(xiàn)高功率密度和良好的熱可靠性。


(2)增強的預(yù)偏置啟動性能可實現(xiàn)負載帶壓啟動時,輸出電壓的單調(diào)遞增并避免倒灌電流。


(3)通過脈沖匹配改善了逐周期電流限制,從而在輸入電壓范圍內(nèi)產(chǎn)生均勻的輸出電流限制水平,并且還可以防止變壓器飽和。


脈沖匹配的電流限制保護機制:


恒流限制問題和解決方案:


在逐周期運行期間,當電流感測信號ISENSE達到正閾值IPOS_LIM時,激活CBC電流限制操作??刂破骰旧媳憩F(xiàn)為峰值電流模式控制,在CBC操作期間電壓回路打開。峰值電流模式控制的一個常見問題是當半橋拓撲的占空比大于0.25(降壓轉(zhuǎn)換器為0.5)時出現(xiàn)的次諧波振蕩。


經(jīng)驗法則是增加補償斜坡,其斜率必須設(shè)置為通過電流檢測電阻器轉(zhuǎn)換到初級側(cè)的輸出電感器電流的下坡的至少一半。如果希望在一個開關(guān)周期后消除次諧波振蕩,則必須將斜率補償設(shè)置為輸出電感電流下行斜率的一倍。這被稱為無差拍控制。


但是,在添加斜率補償后會出現(xiàn)另一個問題。電流限制電平隨輸入電壓而變化,如下圖所示。由于不同輸入電壓下的斜率補償幅度不同,實際電流限制電平隨給定內(nèi)部電流限制閾值的輸入電壓而變化。這樣的機制使得輸出電流限制容差較差。需要更多的設(shè)計余量,導(dǎo)致功率密度較差。


非恒定電流限制


LM5036通過匹配初級MOSFET的ton次數(shù)來確保穩(wěn)定的CBC操作。 通過VIN調(diào)節(jié)峰值電流限制閾值,以確保減小輸出電流限制隨輸入電壓的變化。所有這些功能都由三個CS引腳和相關(guān)的外部電阻設(shè)置。 使用LM5036設(shè)計計算表格可以計算這些電阻的值。正電流和負電流(導(dǎo)致輸出電壓下降甚至損壞)都將被感測和限制。


基于LM5036的半橋DC/DC電源非恒定電流限制


LM5036器件開發(fā)了一種新技術(shù) - 輸入電壓補償。 通過在電流感測信號和斜率補償信號之上添加作為輸入電壓的函數(shù)的額外信號,可以在整個輸入電壓范圍內(nèi)最小化電流限制值的變化,從而可以得到更加精準的輸出功率限制,最大化地避免輸出功率的閾值隨著輸入電壓的變化而變化。在LM5036器件中,斜率補償信號是鋸齒電流信號ISLOPE,在振蕩器頻率(開關(guān)頻率的兩倍)上從0增加到50μA(典型值)。


補償后的電流檢測信號現(xiàn)在可以推導(dǎo)為:


基于LM5036的半橋DC/DC電源非恒定電流限制


基于LM5036的半橋DC/DC電源非恒定電流限制


上圖左為LM5036逐周期電流限制的外接電路、LM5036內(nèi)部實現(xiàn)示意電路。右圖為電流感測信號的組成說明??梢奓M5036在電流檢測上不僅檢測正向電流,還通過外接RLIM電阻及內(nèi)部電流源VLIM提升電流感測的電流值,從而留出測量空間以便感測反向電流和設(shè)置反向電流閾值。同時由于引入輸入電壓VIN信號到電流感測上,使得感測電流包含輸入電壓信息。從而實現(xiàn)在整個電壓輸入范圍內(nèi),電流閾值保持在一個很小的范圍內(nèi)。


與此同時,LM5036擁有脈沖匹配機制,在Cycle-By-Cycle運行期間保持主變壓器的磁通平衡。上下兩個主MOSFET的占空比始終保持匹配狀態(tài),以確保變壓器伏秒積平衡,有效防止變壓器飽和。


脈沖匹配方式如下圖所示。當在第1階段達到電流限制時,LM5036內(nèi)部的FLAG信號由低變高。 RAMP信號在FLAG信號的上升沿被采樣,然后在高邊mosfet相位的下一半開關(guān)周期內(nèi)將保持原本采樣值并正常運行。當高側(cè)相位RAMP信號上升到采樣值以上時,高側(cè)PWM脈沖關(guān)閉,這樣最終會使得兩個相位的占空比匹配。


脈沖匹配機制


同時,LM5306在過流保護時可以進入打嗝模式。其周期可由RES引腳上的外接電容進行配置。除了傳統(tǒng)的過流打嗝模式,LM5036還支持倒灌電流的嗝模式保護 。當?shù)构嚯娏鞣磸?fù)出現(xiàn)時,LM5036也可進入打嗝模式。打嗝重啟電容器處設(shè)置15μA電流源。

(來源:中電網(wǎng))


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