【導讀】S-parameter library提供能夠用于電路設(shè)計時的仿真的芯片積層陶瓷電容器的S-parameter數(shù)據(jù)。以下將介紹S-parameter數(shù)據(jù)的測量步驟、所使用的試驗線路板、測量裝置、測量條件進行說明。
1測量步驟
以下介紹本測量的步驟。此外，主要以圖1所示的方法使用網(wǎng)絡(luò)分析器和測量夾具在2個端口上測量S-parameter。
1. 校正
使用SOLT (部分SOL) 校正和TRL校正2種方法進行校正。SOLT校正使用本公司生產(chǎn)的Short, Open, Load, Thru線路板校正低頻率側(cè)的領(lǐng)域。與此相反，TRL校正使用本公司生產(chǎn)的Thru, Reflect, Line, Match線路板校正高頻率側(cè)的領(lǐng)域。此外，校正基準面是焊盤圖案的端面。
2. 測量
將樣品焊接在線路板上，然后固定在與網(wǎng)絡(luò)分析器/阻抗分析器相連接的測量夾具上進行測量。
3. 抽取樣品單品的S-parameter數(shù)據(jù)
所測量的S-parameter數(shù)據(jù)雖然已經(jīng)根據(jù)校正和電氣長修正除去了試驗線路板和測量夾具的特性，但還包含通孔和焊盤圖案的特性。因此，從測量結(jié)果中除去了通孔和焊盤圖案的特性，抽取樣品單品的S-parameter數(shù)據(jù)。
圖1：S-parameter測量
2試驗線路板
本測量所使用的試驗線路板如下所示。圖2顯示了焊盤圖案。
圖2：焊盤圖案尺寸
3測量裝置
本測量所使用的測量裝置如下所示。
溫度補償用電容器 ※1,000pF以上的與高誘電型電容器的條件相同。
阻抗分析器: E4991A (Keysight Technologies)
網(wǎng)絡(luò)分析器: E5071C/N5225A (Keysight Technologies)
測量夾具: PC?SMA/PC?V (YOKOWO)
高誘電型電容器
網(wǎng)絡(luò)分析器: E501B/E5071C (Keysight Technologies)
測量夾具: PC?SMA (YOKOWO)
4測量條件
本測量將測量頻率范圍分為低頻率領(lǐng)域和高頻率領(lǐng)域兩種，分別采用適合各自領(lǐng)域的測量條件。表1、表2分別表示溫度補償用電容器及高誘電型電容器的測量條件。
表1：溫度補償用電容器測量條件
※1000pF以上的與高誘電型電容器的條件 (表2) 相同。
表2：高誘電型電容器測量條件
來源：村田制作所
