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薄膜太陽(yáng)能電池或?qū)⑷嫣娲Ч桦姵?/span>
在即將出臺(tái)的《可再生能源發(fā)展“十二五”規(guī)劃》中提出，未來(lái)5年內(nèi)屋頂太陽(yáng)能裝機(jī)規(guī)模目標(biāo)為300萬(wàn)千瓦，到2020年規(guī)?？蛇_(dá)2500萬(wàn)千瓦，在目前30萬(wàn)千瓦基礎(chǔ)上增長(zhǎng)80多倍。此前普遍不被看好的薄膜太陽(yáng)能電池組件商有望進(jìn)入業(yè)績(jī)大幅增長(zhǎng)通道。
2011-09-09
太陽(yáng)能電池 晶硅電池 薄膜電池 光電產(chǎn)業(yè)
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市調(diào)機(jī)構(gòu)認(rèn)為2011下半年半導(dǎo)體市場(chǎng)仍有些許樂(lè)觀跡象
由分析師BillJewell創(chuàng)立的顧問(wèn)機(jī)構(gòu)SemiconductorIntelligence指出，2011下半年電子產(chǎn)業(yè)景氣有些許樂(lè)觀跡象，但該機(jī)構(gòu)仍將2011年晶片市場(chǎng)成長(zhǎng)率預(yù)測(cè)值，由原先的9%下修為4%。
2011-09-09
半導(dǎo)體廠 半導(dǎo)體 晶片 半導(dǎo)體市場(chǎng)
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工業(yè)光纖在高壓變頻器中的應(yīng)用
在高壓變頻器中，為解決單元串聯(lián)多電平高壓變頻器中主控系統(tǒng)與功率單元之間存在的強(qiáng)弱電隔離，及功率單元與功率單元之間的電磁干擾問(wèn)題，提出了采用光纖連接方法實(shí)現(xiàn)功率驅(qū)動(dòng)PWM信號(hào)的遠(yuǎn)距離傳送。
2011-09-09
工業(yè)光纖 高壓變頻器 弱電 PWM
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詳談IGBT電力電子裝置的應(yīng)用
IGBT集雙極型功率晶體管和功率MOSFET的優(yōu)點(diǎn)于一體，具有電壓控制、輸入阻抗大、驅(qū)動(dòng)功率小、控制電路簡(jiǎn)單、開(kāi)關(guān)損耗小、通斷速度快和工作頻率高等優(yōu)點(diǎn)。而IGBT的驅(qū)動(dòng)和保護(hù)電路是電路設(shè)計(jì)的難點(diǎn)和重點(diǎn)，是整個(gè)裝置運(yùn)行的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。
2011-09-09
IGBT 電力電子 驅(qū)動(dòng)電流 晶體三極管
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明年全球鋁電解電容器銷(xiāo)量預(yù)測(cè)
NCC是全球最大的鋁電解電容器制造商。2010年，NCC電容器業(yè)務(wù)在營(yíng)業(yè)收入中占比達(dá)88%，主要是鋁電解電容器。NCC還設(shè)立了專(zhuān)門(mén)生產(chǎn)電極箔的生產(chǎn)工廠KDK，除自用以外，也供應(yīng)其他鋁電解電容器廠商，NCC鋁電極箔產(chǎn)量居世界第一位。
2011-09-08
電容器 鋁電解電容器 消費(fèi)電子 東陽(yáng)光鋁
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看好被動(dòng)器件連接器等子行業(yè)
上半年收入增速放緩，營(yíng)業(yè)利潤(rùn)增速低于收入增速，需求走弱伴隨原材料成本和人力成本上升
2011-09-08
電子行業(yè) 被動(dòng)器件 連接器
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IR 推出可靠的超高 1200 V IGBT 以降低開(kāi)關(guān)及傳導(dǎo)損耗
全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 近日推出針對(duì)感應(yīng)加熱、不間斷電源（UPS）太陽(yáng)能和焊接應(yīng)用而設(shè)計(jì)的可靠、高效 1200V 絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 系列。
2011-09-07
半導(dǎo)體 晶體管 開(kāi)關(guān) 二極管
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分立器件：汽車(chē)與照明市場(chǎng)擴(kuò)容 封裝重要性凸顯
從市場(chǎng)應(yīng)用而言，消費(fèi)電子、計(jì)算機(jī)和網(wǎng)絡(luò)通信是分立器件傳統(tǒng)的三大應(yīng)用市場(chǎng)，而近年來(lái)汽車(chē)電子和電子照明領(lǐng)域的分立器件市場(chǎng)也在迅速增長(zhǎng)。目前國(guó)內(nèi)分立器件盡管已經(jīng)具有一定的產(chǎn)業(yè)規(guī)模，但其發(fā)展與國(guó)內(nèi)市場(chǎng)的需求相比仍存在較大差距，中國(guó)分立器件產(chǎn)業(yè)的高速發(fā)展必須以持續(xù)的技術(shù)創(chuàng)新為動(dòng)力。
2011-09-07
分立器件 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 封裝技術(shù) 二極管
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正確操作加速RF器件測(cè)試的方法
對(duì)所有電子元件的生產(chǎn)而言測(cè)試速度都是非常重要的，在RF測(cè)試能夠進(jìn)行之前，必須測(cè)試這些器件的直流工作狀態(tài)。對(duì)于二極管來(lái)說(shuō)，這包括正向壓降、反響擊穿電壓和結(jié)漏電流，而對(duì)于三極管，還包括不同的結(jié)擊穿電壓、結(jié)漏電流、集電極或漏極特性等。本文探討了通過(guò)選擇正確的測(cè)試儀器以及適當(dāng)?shù)卦O(shè)定來(lái)加...
2011-09-07
RF器件 結(jié)擊穿電壓 結(jié)漏電流 漏極
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