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高速電路設(shè)計之介質(zhì)損耗大還是導體損耗大?

發(fā)布時間:2019-05-24 來源:蔣修國 責任編輯:wenwei

【導讀】前段時間被問到在高速電路中,到底介質(zhì)損耗大還是導體損耗大,這個問題比較有意思,這里涉及到了兩個比較概念,一個是高速電路,一個是損耗。
        
以前有介紹過,高速電路是一個比較泛的概念,有的人認為幾十MHz的電路就叫高速電路,有的認為電路傳遞信號的上升時間是傳輸線傳輸延時的1/4(1/6)的電路叫高速電路,還有的認為速率達到GHz以上的電路才叫高速電路。
        
而損耗是指能量的衰減。那在高速電路中能量衰減的形式比較多,常見的就是標題上所說的介質(zhì)損耗和導體損耗,還包括大家容易忽略的輻射損耗,當然,能量是守恒的,也可能還有其它類型的損耗存在。
        
還是回到本文要介紹的介質(zhì)損耗和導體損耗這個問題上來。介質(zhì)損耗指的是指介質(zhì)材料在電場作用下,由于介質(zhì)電導和介質(zhì)極化的滯后效應(yīng),在其內(nèi)部引起的能量損耗。這主要與PCB介質(zhì)的損耗因子有關(guān)。導體損耗是指導體不理想,存在直流電阻,在電流通過時發(fā)熱而引起的損耗,這主要與PCB導體的趨膚效應(yīng)、粗糙度和導電率(電阻率)有關(guān)系。
            
那到底哪種損耗大呢?可以通過一個電路來研究下現(xiàn)象(聲明:本實驗并不是特別嚴謹,僅限于解釋這個問題現(xiàn)象),電路結(jié)構(gòu)如下圖所示:
 
高速電路設(shè)計之介質(zhì)損耗大還是導體損耗大?
 
注:綠色圈中的是介質(zhì)損耗相關(guān)的參數(shù),紅色圈中是導體損耗相關(guān)的參數(shù)(注:傳輸線的物理結(jié)構(gòu)保持一致,他們其實都與損耗有關(guān)系)。
 
當只考慮介質(zhì)損耗時,Cond=5.8e70,Rough=0 um,TanD=0.02;當只考慮導體損耗時,Cond=5.8e7,Rough=2 um,TanD=0。仿真結(jié)果如下:
 
高速電路設(shè)計之介質(zhì)損耗大還是導體損耗大?
 
所以從上面的仿真對比結(jié)果中可以看到,介質(zhì)損耗和導體損耗在不同的頻率段的時候,其貢獻的大小不一樣。因為影響介質(zhì)損耗的損耗因子就隨著頻率的變化而變化,如下圖所示:
 
高速電路設(shè)計之介質(zhì)損耗大還是導體損耗大?
 
同樣,趨膚效應(yīng)的影響也隨著頻率的變化而變化,頻率越高,趨膚深度也越大。
        
綜上所述,在高速電路中到底是介質(zhì)損耗大還是導體損耗大這個問題無法一概而論,需要根據(jù)實際情況而定。

本文轉(zhuǎn)載自信號完整性。
 
 
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