【導(dǎo)讀】追求更低損耗、更高可靠性、更高性價(jià)比是碳化硅功率器件行業(yè)的共同目標(biāo)。為不斷提升產(chǎn)品核心競(jìng)爭(zhēng)力，基本半導(dǎo)體成功研發(fā)第三代碳化硅肖特基二極管，這是基本半導(dǎo)體系列標(biāo)準(zhǔn)封裝碳化硅肖特基二極管家族中的新成員。相較于前兩代二極管，基本半導(dǎo)體第三代碳化硅肖特基二極管在沿用6英寸晶圓工藝基礎(chǔ)上，實(shí)現(xiàn)了更高的電流密度、更小的元胞尺寸、更低的正向?qū)▔航怠?/p>

基本半導(dǎo)體第三代碳化硅肖特基二極管繼承了第一代和第二代產(chǎn)品的優(yōu)點(diǎn)，采用JBS結(jié)構(gòu)，優(yōu)化了N-外延層的摻雜濃度，減薄N+襯底層，使得二極管具有更低的正向?qū)▔航礦_F和結(jié)電荷Q_C，可以降低應(yīng)用端的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗。

圖（1）碳化硅二極管的JBS結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)圖

第三代產(chǎn)品縮小了芯片面積，并沿用6英寸晶圓量產(chǎn)，產(chǎn)量將大大提高。

圖（2）4英寸晶圓 & 6英寸晶圓

產(chǎn)品參數(shù)對(duì)比

01 正向?qū)▔航?/p>

●    在常溫25°C和高溫120°C條件下，通過額定電流，測(cè)量二極管的V_F值；

●    相比之下，Gen3產(chǎn)品不論是在常溫25℃還是在高溫120℃的條件下V_F都比Gen1、Gen2更優(yōu)。

   ○V_F @25℃：Gen1> Gen2 > Gen3

   ○V_F @120℃ ：Gen1> Gen2 > Gen3

02 電源效率對(duì)比

碳化硅肖特基二極管應(yīng)用在1500W電源的PFC電路中（位置如下圖）。

測(cè)試條件：

   ○輸入電壓 100V、220V

   ○輸出電壓 48V 輸出電流30A

圖（3）PFC電路中二極管所在位置

圖（4）1500W電源中二極管位置

●    二極管在1500W電源上工作1小時(shí)，待熱穩(wěn)定后的滿載效率對(duì)比；

●    在輸入電壓220V條件下，Gen3相比Gen1產(chǎn)品滿載效率提高0.1% 。

03 溫升測(cè)試

●    二極管在1500W電源上工作1小時(shí)，待熱穩(wěn)定后進(jìn)行溫度對(duì)比；

圖（5）溫升測(cè)試平臺(tái)

圖（6）溫箱環(huán)境

圖（7）溫度測(cè)試點(diǎn)

●    從下圖可以看出，雖然第三代產(chǎn)品芯片面積減小了，但溫升效果并未因此變差，而是與前兩代產(chǎn)品基本持平。

04通流測(cè)試

●    二極管固定在120°C的加熱平臺(tái)，通過額定電流（直流），溫度穩(wěn)定后測(cè)量V_F和溫度；

●    相比之下，第三代產(chǎn)品的通流溫度和V_F比Gen1、Gen2更優(yōu)：

   ○ 溫度：Gen1> Gen2 > Gen3

   ○V_F：Gen1> Gen2 > Gen3

產(chǎn)品優(yōu)點(diǎn)

綜上所述，基本半導(dǎo)體推出的第三代碳化硅肖特基二極管有以下優(yōu)點(diǎn)：

●    更低V_F：第三代二極管具有更低V_F，同時(shí)VF隨溫度的增長(zhǎng)率也更低，使應(yīng)用導(dǎo)通損耗更低。

●    更低Q_C：第三代二極管具有更低Q_C，使應(yīng)用開關(guān)損耗更低。

●    更高性價(jià)比：芯片面積減小后，第三代二極管具有更高性價(jià)比。

●    更高產(chǎn)量：使用6英寸晶圓平臺(tái)，單片晶圓產(chǎn)出提升至4英寸平臺(tái)的2倍以上。

來源：基本半導(dǎo)體

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