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開關(guān)電源環(huán)路穩(wěn)定性分析(四)
在開關(guān)電源的系統(tǒng)中，要想使其輸出電壓穩(wěn)定，可以對輸出電壓進行監(jiān)控，然后調(diào)節(jié)開關(guān)管的開通和關(guān)斷，這種方式被稱為電壓控制模式。
2022-12-13
開關(guān)電源環(huán)路 開關(guān)電源
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安森美智能電源產(chǎn)品斬獲中國“2022年Top 10電源產(chǎn)品獎”多項殊榮
領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)，宣布其創(chuàng)新的智能電源產(chǎn)品在“2022年Top 10電源產(chǎn)品獎”評選中榮獲多項獎項。其中，APM32系列汽車碳化硅功率模塊獲“2022 Top 10電源產(chǎn)品獎”，汽車主驅(qū)碳化硅功率模塊VE-Trac? Direct SiC獲“最佳應(yīng)用獎”，高功率圖騰柱PFC控...
2022-12-13
安森美 智能電源
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如何利用表面貼裝功率器件提高大功率電動汽車電池的充電能力
終端用戶希望新的電動汽車設(shè)計能夠最大限度地減少車輛的空閑時間，尤其是在長途駕駛中。電動汽車設(shè)計人員需要提高充電器的功率輸出、功率密度和效率，以實現(xiàn)終端用戶期望的快速充電。目前，單個單元充電器的設(shè)計范圍是從7千瓦到30千瓦。將單個單元元件組合到模塊化設(shè)計中可以增加功率輸出，幫助充電...
2022-12-13
面貼裝功率器件 電動汽車電池
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800V高壓BMS：如何做到系統(tǒng)架構(gòu)升級，組件成本下降？
各種電池結(jié)構(gòu)都有其固有的優(yōu)缺點。汽車OEM廠商需要分析并確定哪種架構(gòu)更適合自己的生產(chǎn)模式，同時保持系統(tǒng)價格競爭力。使用兩個獨立的400V電池是解決這一挑戰(zhàn)的創(chuàng)新性解決方案。
2022-12-13
BMS 系統(tǒng)架構(gòu) 組件成本
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不同功率器件在充電樁三相LLC拓撲中的應(yīng)用探討
近年來新能源汽車發(fā)展迅速，對充電樁也提出了高功率密度、大功率、高效率等要求?；谌郘LC變換器技術(shù)的30千瓦功率模塊單元性能更優(yōu)，可以滿足現(xiàn)有的市場需求?；?0千瓦三相LLC變換器常見的母線電壓等級800V，對于650V和1200V器件存在兩種不同的拓撲方案。文章針對這兩類拓撲進行參數(shù)設(shè)計，選取...
2022-12-13
功率器件 充電樁 LLC拓撲
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SiC MOSFET和Si MOSFET寄生電容在高頻電源中的損耗對比
富昌電子（Future Electronics）一直致力于以專業(yè)的技術(shù)服務(wù)，為客戶打造個性化的解決方案，并縮短產(chǎn)品設(shè)計周期。在第三代半導(dǎo)體的實際應(yīng)用領(lǐng)域，富昌電子結(jié)合自身的技術(shù)積累和項目經(jīng)驗，落筆于SiC相關(guān)設(shè)計的系列文章。希望以此給到大家一定的設(shè)計參考，并期待與您進一步的交流。
2022-12-13
SiC MOSFET 寄生電容 高頻電源
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英飛凌優(yōu)化DC-DC設(shè)計，滿足新一代數(shù)據(jù)中心的性能與能耗需求
可提供優(yōu)質(zhì)體驗、創(chuàng)造全新商業(yè)模式的AI、5G、物聯(lián)網(wǎng)等新技術(shù)，近幾年的落地速度不斷加快。上述新技術(shù)背后都需要有性能強大的數(shù)據(jù)中心提供支持，不過伴隨著強大算力與傳輸功能而來的便是高能耗。英飛凌指出，龐大的能源消耗帶來的不只是電費的增加，還有與日俱增的ESG壓力，因此企業(yè)必須在使用高性能...
2022-12-12
英飛凌 DC-DC設(shè)計 數(shù)據(jù)中心
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RS瑞森低壓MOS在電動車控制器中的應(yīng)用
電動車最初是用來替代自行車和摩托車，由于其具有便捷、經(jīng)濟環(huán)保等特點，很快便占據(jù)了龐大市場，并逐漸發(fā)展了電動三輪車、小型電動工程車、電動觀光車等各種類型的電動車。
2022-12-12
RS瑞森 低壓MOS 電動車控制器
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橋式結(jié)構(gòu)中的柵極-源極間電壓的行為：關(guān)斷時
具有驅(qū)動器源極引腳的SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動器源極引腳的SiC MOSFET產(chǎn)品相比，在橋式結(jié)構(gòu)情況下的柵-源電壓的行為不同。在上一篇文章中，我們介紹了LS（低邊）SiC MOSFET導(dǎo)通時的行為。本文將介紹低邊SiC MOSFET關(guān)斷時的行為。
2022-12-12
柵極-源極 關(guān)斷時
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