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安森美 M3S EliteSiC MOSFET 讓車(chē)載充電器升級(jí)到 800V 電池架構(gòu)
自電動(dòng)汽車(chē) (EV) 在汽車(chē)市場(chǎng)站穩(wěn)腳跟以來(lái)，電動(dòng)汽車(chē)制造商一直在追求更高功率的傳動(dòng)系統(tǒng)、更大的電池容量和更短的充電時(shí)間。為滿足客戶需求和延長(zhǎng)行駛里程，電動(dòng)汽車(chē)制造商不斷增加車(chē)輛的電池容量。然而，電池越大，意味著充電的時(shí)間就越長(zhǎng)。
2023-07-28
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電源設(shè)計(jì)更快更好，高效能圖騰柱PFC應(yīng)用須知
現(xiàn)今電源供應(yīng)器市場(chǎng)為因應(yīng)全球減碳活動(dòng)，已經(jīng)將效能目標(biāo)設(shè)定為更高效率、減少損失、節(jié)省能源、降低成本、提高系統(tǒng)容量為主。安森美(onsemi)提出最新高效能Totem Pole(圖騰柱) 結(jié)合全橋整流器之PFC IC NCP1680/1681設(shè)計(jì)方案，相較傳統(tǒng)PFC之轉(zhuǎn)換效率可以提升3%~4%，符合未來(lái)電源供應(yīng)器之節(jié)省能源，降低成本，提高系統(tǒng)容量之訴求。加上NCP1680/1681快速的負(fù)載暫態(tài)補(bǔ)償響應(yīng)，以及高規(guī)格安規(guī)等級(jí)各式保護(hù)功能，特別是具有PFC-OK訊號(hào)供應(yīng)后級(jí)電源時(shí)序控制，NCP1680/1681應(yīng)用達(dá)到高效率，高功率因子，以及高穩(wěn)定性PFC應(yīng)用。
2023-07-28
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基于PSoC 6 Matter的智能家居解決方案
近年來(lái)，智能家居產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，推動(dòng)了原有家居產(chǎn)業(yè)園區(qū)的轉(zhuǎn)型升級(jí)，同時(shí)，不斷擴(kuò)大的智能家居市場(chǎng)需求，以及傳統(tǒng)家居產(chǎn)業(yè)的轉(zhuǎn)移，為很多地方布局新的智能家居產(chǎn)業(yè)園建設(shè)帶來(lái)了機(jī)會(huì)。在2019年底中國(guó)已成為全球最大的物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)，全球15億臺(tái)蜂窩網(wǎng)絡(luò)連接設(shè)備中9.6億臺(tái)來(lái)自中國(guó)，占比64%。
2023-07-26
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為什么Tier1要開(kāi)發(fā)控制器的電源管理芯片？
電源管理芯片（SBC：System Base Chip）是控制器（MCU）外圍器件工作電壓的提供者，沒(méi)有SBC供電，控制器的外圍器件則無(wú)法工作。使用SBC主要目的：降低硬件系統(tǒng)設(shè)計(jì)的復(fù)雜度和成本。可見(jiàn)，SBC在控制器開(kāi)發(fā)中的重要性。對(duì)于商業(yè)行為，我們知道，降低成本意味著利潤(rùn)的提高，而且，有利于產(chǎn)品搶占更大的市場(chǎng)份額。
2023-07-26
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基于自振蕩混頻的X波段單器件收發(fā)電路設(shè)計(jì)分析
作為通信系統(tǒng)中的兩個(gè)關(guān)鍵的電路單元，混頻器和振蕩器起著至關(guān)重要的作用。在無(wú)線通信中，混頻器與振蕩器的設(shè)計(jì)直接關(guān)系到整個(gè)電路是否具有高性能與高穩(wěn)定性的品質(zhì)。在接收前端電路中，混頻器作為實(shí)現(xiàn)頻率搬移的器件，將由天線所接收到的射頻(Radio Frequency，RF)信號(hào)與振蕩器所提供的本地振蕩(Local Oscillation，LO)信號(hào)源進(jìn)行線性的頻率變換，從而得到方便處理的中頻(Intermediate Frequency，IF)信號(hào)。
2023-07-26
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安森美與博格華納擴(kuò)大碳化硅戰(zhàn)略合作， 協(xié)議總價(jià)值超10億美元
智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)先企業(yè)安森美(onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克股票代碼：ON)與提供創(chuàng)新可持續(xù)的車(chē)行方案的全球領(lǐng)先供應(yīng)商博格華納(BorgWarner，紐約證交所股票代碼：BWA)，擴(kuò)大碳化硅（SiC）方面的戰(zhàn)略合作，協(xié)議總價(jià)值超10億美元。博格華納計(jì)劃將安森美的EliteSiC 1200 V和750 V功率器件集成到其VIPER功率模塊中。長(zhǎng)期以來(lái)，雙方已在廣泛的產(chǎn)品領(lǐng)域開(kāi)展戰(zhàn)略合作，其中即包括EliteSiC器件。
2023-07-19
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安森美引領(lǐng)行業(yè)的Elite Power仿真工具和PLECS模型自助生成工具的技術(shù)優(yōu)勢(shì)
本文旨在介紹 安森美 (onsemi) 的在線 Elite Power 仿真工具和 PLECS 模型自助生成工具 (SSPMG) 所具有的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，提供有關(guān)如何使用在線工具和可用功能的更多詳細(xì)信息。我們首先介紹一些與 SPICE 和 PLECS 模型有關(guān)的基礎(chǔ)知識(shí)，接下來(lái)介紹開(kāi)關(guān)損耗提取技術(shù)和寄生效應(yīng)影響的詳細(xì)信息，并介紹虛擬開(kāi)關(guān)損耗環(huán)境的概念和優(yōu)勢(shì)。該虛擬環(huán)境還可用來(lái)研究系統(tǒng)性能對(duì)半導(dǎo)體工藝變化的依賴性。最后，本文詳細(xì)介紹對(duì)軟硬開(kāi)關(guān)皆適用的 PLECS 模型以及相關(guān)的影響?？偨Y(jié)部分闡明了安森美工具比業(yè)內(nèi)其他用于電力電子系統(tǒng)級(jí)仿真的工具更精確的原因。
2023-07-19
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了解這些 就可以搞懂 IGBT
絕緣柵雙極晶體管（IGBT, Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種三端功率半導(dǎo)體器件，主要用作電子開(kāi)關(guān)，在較新的器件中以結(jié)合高效和快速開(kāi)關(guān)而聞名。IGBT通過(guò)在單個(gè)器件中組合用于控制輸入的隔離柵極FET和作為開(kāi)關(guān)的雙極功率晶體管，將MOSFET的簡(jiǎn)單柵極驅(qū)動(dòng)特性與雙極晶體管的高電流和低飽和電壓能力相結(jié)合。IGBT用于中到大功率應(yīng)用，如開(kāi)關(guān)電源、牽引電機(jī)控制和感應(yīng)加熱。
2023-07-18
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絕緣柵雙極晶體管(IGBTs)簡(jiǎn)史
盡管人們對(duì)寬帶隙(WBG)功率半導(dǎo)體器件感到興奮，但硅基絕緣柵雙極晶體管(IGBTs)在今天比以往任何時(shí)候都更加重要。在我們10月份發(fā)布的電動(dòng)汽車(chē)電力電子報(bào)告[2]中，TechInsights預(yù)測(cè)，xEV輕型汽車(chē)動(dòng)力總成的產(chǎn)量將從2020年的910萬(wàn)增長(zhǎng)到2026年的4310萬(wàn)，這使得其復(fù)合年增長(zhǎng)率(CAGR)達(dá)到25%。SiC MOSFET目前預(yù)計(jì)占市場(chǎng)的約26%，到2029年預(yù)計(jì)將占市場(chǎng)份額的50%。
2023-07-16
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IOTE 2023深圳物聯(lián)網(wǎng)展邀請(qǐng)函
IOTE 2023 第二十屆國(guó)際物聯(lián)網(wǎng)展·深圳站，將于2023年9月20-22日在深圳國(guó)際會(huì)展中心（寶安）震撼來(lái)襲，以“IoT構(gòu)建數(shù)字經(jīng)濟(jì)底座”為主題，將IoT技術(shù)引入實(shí)體經(jīng)濟(jì)領(lǐng)域，促進(jìn)數(shù)字化轉(zhuǎn)型和智能化升級(jí)，推進(jìn)智能家居、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)、智慧城市、智慧醫(yī)療等多個(gè)領(lǐng)域的數(shù)智化深度融合，共同推動(dòng)全球數(shù)字經(jīng)濟(jì)的繁榮與進(jìn)步。
2023-07-14
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SiFive中國(guó)技術(shù)論壇圓滿落幕, 實(shí)力詮釋RISC-V成“垂直半導(dǎo)體時(shí)代”必選項(xiàng)
“RISC-V勢(shì)不可擋，” 暌違中國(guó)數(shù)年的RISC-V主要發(fā)明人、SiFive共同創(chuàng)辦人兼首席架構(gòu)師Krste Asanovic教授，在近日剛剛圓滿落幕的2023 SiFive RISC-V中國(guó)技術(shù)論壇北京、上海、深圳三地巡回演講時(shí)，始終強(qiáng)調(diào)了這一核心思想。
2023-07-10
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高壓分立Si MOSFET (≥ 2 kV)及其應(yīng)用
在現(xiàn)今電力電子領(lǐng)域，高壓（HV）分立功率半導(dǎo)體器件變得越來(lái)越重要，Littelfuse提供廣泛的分立HV硅(Si)MOSFET產(chǎn)品系列以滿足發(fā)展中的需求。這些產(chǎn)品具有較低的損耗、更好的雪崩特性，以及高可靠性。本文重點(diǎn)介紹Littelfuse提供的≥2 kVHV分立硅MOSFET器件。
2023-07-08
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