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Si500系列：芯科全硅振蕩器 欲全面取代石英振蕩器
9月10日消息，高性能模擬與混合信號IC廠商Silicon Laboratories (芯科實(shí)驗(yàn)室有限公司, Nasdaq: SLAB)發(fā)表具有業(yè)界最高穩(wěn)定性的全CMOS振蕩器，以此進(jìn)入消費(fèi)性定時(shí)市場，新產(chǎn)品不僅交貨時(shí)間較短、成本較低、可靠度較高且性能更佳，成為一種取代石英振蕩器(XO)的理想方案。
2008-09-11
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汽車安全傳感器市場商機(jī)無限
汽車的安全性已經(jīng)成為企業(yè)和消費(fèi)者最為關(guān)心的問題。如今的汽車企業(yè)，為了滿足消費(fèi)者對產(chǎn)品安全性日益苛刻的要求，開始想方設(shè)法地將最尖端的科技運(yùn)用到汽車上。除了底盤控制系統(tǒng)和安全氣囊等傳統(tǒng)的安全配置以外，一些新興的汽車電子安全產(chǎn)品開始得到了普及。比如TPMS（汽車輪胎壓力監(jiān)測系統(tǒng)）、倒車?yán)走_(dá)、具有遠(yuǎn)程故障診斷和道路救援功能的Telematics（移動信息系統(tǒng)）以及一些智能化識別系統(tǒng)等等。
2008-09-05
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EG-2102CA/EG-2121CA HCSL：Epson Toyocom SAW振蕩器
Epson Toyocom公司開發(fā)研制出適用于PCI Express 、FB-DIMM (Fully Buffered DIMM) 、HCSL（高速電流驅(qū)動邏輯、High-speed Current Steering Logic） 輸出的低抖動 、低相位噪音 的表面聲波（SAW）振蕩器：EG-2102CA HCSL與EG-2121CA HCSL。
2008-09-02
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SCGC1B系列：ALPS用于8管腳SIM卡的連接器
ALPS推出了用于SIM（Subscriber Identity Module）卡的SCGC1B系列連接器，并從今年的9月起開始生產(chǎn)并出售樣品。SIM卡為IC卡，該卡記錄了可特定電話號碼的固有ID編碼。
2008-08-26
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SCHG1B系列：ALPS8管腳SIM卡和microSD卡二合一連接器
ALPS推出可適應(yīng)SIM（Subscriber Identity Module）卡和microSD卡的SCHG1B系列組合式連接器，并從今年的9月起開始生產(chǎn)并銷售樣品。
2008-08-26
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南方芯源在西安成立研發(fā)中心西安芯派
2008年8月18日，Samwin公司投資發(fā)起設(shè)立的西安芯派科技有限公司正式成立，主要從事MOSFET全新溝通工藝，電源管理IC及射頻技術(shù)應(yīng)用三個(gè)方面的產(chǎn)品研發(fā)。該中心的成立將進(jìn)一步提高Samwin產(chǎn)品的技術(shù)先進(jìn)度。
2008-08-20
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Molex推出新型microSD卡連接器
Molex推出新系列的microSD卡連接器，提供附加功能在移動和袖珍型設(shè)備中幫助控制卡的彈出。專為世界上最小的記憶卡存儲系統(tǒng)microSD而設(shè)計(jì)，Molex的microSD卡連接器具有兩種外形高度，解決了在彈簧式卡彈出系統(tǒng)中可能出現(xiàn)的卡飛出和卡卡住的問題。
2008-08-20
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298D系列：Vishay便攜應(yīng)用固體鉭芯片電容器系列小封裝產(chǎn)品
Vishay宣布擴(kuò)展其 298D系列 MicroTan? 固體鉭芯片電容器，推出0402 封裝尺寸的298D。此電容器充分利用已獲專利的MAP（多陣列封裝）裝配技術(shù)以擴(kuò)展產(chǎn)品系列，現(xiàn)已可在超薄小型0402 K封裝中提供4.7μF-4V至10μF-4V的電容電壓。
2008-08-15
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安森美半導(dǎo)體ESD保護(hù)二極管榮獲《Electronic Products》2007“年度產(chǎn)品”獎
安森美半導(dǎo)體的ESD9L5.0S ESD保護(hù)二極管榮獲美國《Electronic Products》雜志頒發(fā)2007“年度產(chǎn)品”獎。產(chǎn)品評選包括技術(shù)上的重大進(jìn)展、應(yīng)用、設(shè)計(jì)創(chuàng)新或性價(jià)比有出色表現(xiàn)。
2008-08-04
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P10L：Vishay Sfernice微型面板電位計(jì)
Vishay宣布推出具有長久使用壽命、溫度系數(shù)低至 ±150 ppm/°C 且具有 9.6mm 小型尺寸的新型低成本面板電位計(jì)。
2008-07-11
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Si8445DB：Vishay新型20V P通道TrenchFET功率MOSFET
日前，Vishay推出新型 20V p 通道TrenchFET功率MOSFET，該器件采用MICRO FOOT芯片級封裝，具有很小占位面積以及 1.2 V 時(shí)超低的導(dǎo)通電阻。
2008-06-18
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SiA***DJ：Vishay新型小型封裝Siliconix功率MOSFET
Vishay宣布推出15款采用 2 mm×2 mm 的 PowerPAK SC-70 封裝、厚度為 0.8 mm 的新型功率 MOSFET。
2008-05-28
- 步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動器技術(shù)演進(jìn)：從基礎(chǔ)驅(qū)動到智能閉環(huán)控制
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