輸入電容器選型要著眼于紋波電流、ESR、ESL
發(fā)布時(shí)間:2021-03-02 責(zé)任編輯:wenwei
【導(dǎo)讀】在開關(guān)電源電路中需要有輸入電容器與輸出電容器,它們各自處理的電壓與電流的性質(zhì)是不同的。因?yàn)閷⑤斎肱c輸出分開講解更容易理解,所以從輸入電容器開始說明。為慎重起見,首先簡(jiǎn)單說明一下關(guān)于流過輸入電容器的電流。這是之后內(nèi)容的前提。
-我們了解了電容器的特性取決于材料及外殼的不同。下面請(qǐng)介紹一下在實(shí)際用于開關(guān)電源電路時(shí),其特性和性質(zhì)具體會(huì)帶來什么樣的影響。
在開關(guān)電源電路中需要有輸入電容器與輸出電容器,它們各自處理的電壓與電流的性質(zhì)是不同的。因?yàn)閷⑤斎肱c輸出分開講解更容易理解,所以從輸入電容器開始說明。為慎重起見,首先簡(jiǎn)單說明一下關(guān)于流過輸入電容器的電流。這是之后內(nèi)容的前提。
下圖是同步整流降壓型轉(zhuǎn)換器的電路示意圖。從VIN看,前方的MOSFET是高邊開關(guān),接通該高邊開關(guān)時(shí),該高邊開關(guān)的電流波形幾乎垂直上升,流過與電感電流相同的電流。而且,斷開高邊開關(guān)并接通低邊開關(guān)時(shí),該電流迅速變?yōu)榱?。該電流波形的AC部分流過輸入電容器。
該輸入電容器的電流所產(chǎn)生的電壓(波形)因電容器的“靜電電容”之外存在的寄生成分“ESR(等效串聯(lián)電阻)”及“ESL(等效串聯(lián)電感)”的差異而不同。
-簡(jiǎn)而言之,靜電電容之外,會(huì)出現(xiàn)ESR與ESL所產(chǎn)生的影響吧。
是的。因?yàn)闄C(jī)會(huì)難得,所以進(jìn)行稍微深入的說明。可以用波形與公式來表示剛才所說的電容、ESR、ESL這3個(gè)要素各自的影響。為了便于理解請(qǐng)看下圖。
該圖表示電容器電流為矩形波時(shí),各成分產(chǎn)生了什么樣的電壓。首先是ESR所產(chǎn)生的電壓,公式所示ESR即電阻×電流的矩形波。電容成分是電流與時(shí)間的積分,是三角波。ESL成分可以用微分來表示,在開關(guān)的時(shí)間點(diǎn)發(fā)生一瞬間的脈沖電壓,這可以認(rèn)為是被稱作“尖峰”等的高速脈沖性噪聲。最終在電容器兩端的電壓變動(dòng)是它們3種成分的電壓之和的合成波。
-3種成分的合成波是評(píng)估過開關(guān)電源的人所眼熟的波形,可以簡(jiǎn)單認(rèn)為它僅僅是把各成分的影響加在一起的產(chǎn)物嗎?
基本上是這樣。而事實(shí)上這正是重要之處。例如,可以看出矩形波成分越大ESR也越大。此外,可以推測(cè)出尖峰大時(shí),ESL較大。它們最好都是零,但是由于它們是現(xiàn)實(shí)存在的東西,評(píng)估時(shí)觀察輸入電容器的電流與電壓,從波形可以知道哪里出了問題。
這是一份試驗(yàn)電路的實(shí)際波形資料,請(qǐng)看實(shí)際波形并讓我來說明鉭電容器與疊層陶瓷電容器有怎樣的不同。
首先,試驗(yàn)電路是給待評(píng)估電容器一個(gè)5V/100kHz的開關(guān)來監(jiān)測(cè)電壓與電流。電容器的容值是22µF與100µF兩種。由于鉭電容器與疊層陶瓷電容器的部件差異,ESR的差異很大。這是最初談到過的疊層陶瓷電容器的優(yōu)點(diǎn)之一。從ESR的比較圖中可以看出,在100kHz時(shí),盡管疊層陶瓷電容器的容值大約只有1/5,但ESR值低了2位數(shù)。
首先請(qǐng)看22µF鉭電容器的電壓波形。紅色箭頭所表示的幾乎垂直的電壓變化部分是ESR所產(chǎn)生的矩形波成分。由于ESR較大,它所產(chǎn)生的紋波電壓相當(dāng)大??梢钥闯?,當(dāng)變?yōu)?00µF時(shí),ESR所產(chǎn)生的電壓變?yōu)橐话胍韵?。也就是說,ESR變?yōu)橐话胍韵?。雖然多少觀察到了ESL所產(chǎn)生的尖峰,但是沒有超過整體的紋波電壓,可以認(rèn)為沒有ESL所產(chǎn)生的明顯問題。
-由于已經(jīng)看到了下側(cè)的疊層陶瓷電容器的波形,所以先問一下,波形是三角波,只能看到較小的尖峰,是因?yàn)镋SR非常小,ESR所產(chǎn)生的矩形波成分幾乎沒有;ESL也比鉭電容器和導(dǎo)電性高分子材料電容器小,尖峰也很小,主要看到的是電容成分所產(chǎn)生的三角波。這樣的理解對(duì)嗎?
正是如此。可以看出容值是100µF時(shí),其三角波也變得更小,紋波電壓非常小。這里可以說的是,使用ESR與ESL較小的疊層陶瓷電容器可以使紋波電壓和波尖明顯變小。從不同角度再次觀察波形圖表可以看出,100µF的鉭電容器與22µF的疊層陶瓷電容器的紋波電壓大致相同。也就是說,如果實(shí)現(xiàn)相同水平的輸入紋波電壓,使用疊層陶瓷電容器時(shí)的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是,由于其容值較小,必然只需要較小尺寸就可以實(shí)現(xiàn)。
請(qǐng)參考另一個(gè)使用電源IC的評(píng)估板來比較導(dǎo)電性高分子材料電容器與疊層陶瓷電容器的輸入紋波的資料。著眼點(diǎn)是導(dǎo)電性高分子材料電容器的容值為82µF,疊層陶瓷電容器為30µF,僅一半以下,導(dǎo)電性高分子材料電容器的ESL所產(chǎn)生的尖峰較大。還有尺寸。順便說一句,紅色圓圈所圈定的輸入電容器的左側(cè)各有2個(gè)電容器,那是輸出電容器。1個(gè)導(dǎo)電性高分子電容器的空間容納了2個(gè)疊層陶瓷電容器。這基本上是小型而且可以減少容量的結(jié)果。
-轉(zhuǎn)換一下話題,當(dāng)設(shè)計(jì)電源而閱讀電源IC的技術(shù)規(guī)格時(shí)會(huì)發(fā)現(xiàn)幾乎所有的技術(shù)規(guī)格中都記述了“輸入電容器選型時(shí)請(qǐng)注意額定紋波電流”。關(guān)于這一點(diǎn),與電容的種類和特性有什么關(guān)系?
“注意額定紋波電流”首先是指要使用可以容許輸入紋波電流的額定的電容器,因?yàn)檩斎腚娙萜髁鬟^的紋波電流大于輸出電容器,從這個(gè)角度看,比起輸出電容器更需要注意額定紋波電流。接著,額定紋波電流與自身發(fā)熱相關(guān)。由于電容器的ESR是電阻成分,當(dāng)紋波電流流過時(shí)會(huì)發(fā)熱。理所當(dāng)然,ESR較大時(shí)發(fā)熱量也會(huì)增大。另外,需要充分考慮輸入電容器的紋波電流較大,因此發(fā)熱量也增加的情況。
-對(duì)于一般的鋁電解電容器,普遍被認(rèn)為關(guān)于溫度與壽命的探討很重要,那么對(duì)于其他種類電容器是怎么樣呢?
原則上思路相同。雖然程度有所不同,但隨溫度升高任何電容器包括壽命在內(nèi)的可靠性都會(huì)降低。例如,對(duì)于電解電容器和導(dǎo)電性高分子材料電容器,通常作為額定紋波電流的條件標(biāo)有100kHz時(shí)的容許電流,可以以其為基準(zhǔn)進(jìn)行設(shè)計(jì)。而疊層陶瓷電容器有時(shí)會(huì)標(biāo)有略微不同的條件,ROHM公司標(biāo)明的條件是“自身發(fā)熱20℃以內(nèi)”。(最近變更為20℃)
以疊層陶瓷電容器的技術(shù)規(guī)格摘錄為例,這是通過開關(guān)頻率獲得自身發(fā)熱與容許紋波電流的圖表。此外,還建立了頻率和ESR曲線的關(guān)聯(lián)。
下面的容許紋波電流圖表示對(duì)于開關(guān)頻率為10kHz、100kHz、1MHz時(shí)的紋波電流的溫度上升曲線。從圖中可以看出,比如1MHz的開關(guān)為了保證“自身發(fā)熱20℃以下”,可以容許在10℃與1MHz的曲線交匯處的大約2.8A的紋波電流。
另外,從上面的頻率與ESR圖中可以讀取出條件所提出的3個(gè)頻率的ESR值??梢钥闯鎏貏e是DC/DC所使用的數(shù)百KHz到數(shù)MHz是ESR最低的范圍,是有助于抑制發(fā)熱的特征。對(duì)此,可以讀取出在ESR稍微變高的10kHz條件下,容許紋波電流變小。不言而喻容許紋波電流與ESR有著密切的關(guān)系,可以說ESR較小的疊層陶瓷電容器在發(fā)熱方面也極具優(yōu)勢(shì)。
電源電路的輸入紋波電流是可以通過公式求得的。以降壓型轉(zhuǎn)換器為例,技術(shù)規(guī)格中應(yīng)該提出了如下的公式。
如果通過該公式獲得的計(jì)算值在圖表所示的容許值內(nèi),則判斷為可行。
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