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使用雙極性結型晶體管和NMOS晶體管的穩(wěn)定電流源

發(fā)布時間:2021-03-05 來源:Doug Mercer 和 Antoniu Miclaus 責任編輯:wenwei

【導讀】本實驗旨在研究如何利用零增益概念來產(chǎn)生穩(wěn)定(對輸入電流電平的變化較不敏感)的輸出電流。本文將重點討論使用雙極性結型晶體管(BJT)和NMOS晶體管的穩(wěn)定電流源。
 
穩(wěn)定電流源(BJT)
 
目標
 
本實驗旨在研究如何利用零增益概念來產(chǎn)生穩(wěn)定(對輸入電流電平的變化較不敏感)的輸出電流。
 
材料
 
●     ADALM2000主動學習模塊
●     無焊面包板
●     一個2.2 kΩ電阻(或其他類似值)
●     一個100 Ω電阻
●     一個4.7 kΩ電阻
●     兩個小信號NPN晶體管(2N3904或SSM2212)
 
說明
 
BJT穩(wěn)定電流源對應的電路如圖1所示。
 
使用雙極性結型晶體管和NMOS晶體管的穩(wěn)定電流源
圖1.穩(wěn)定電流源
 
硬件設置
 
面包板連接如圖2所示。W1的輸出驅(qū)動電阻R1的一端。電阻R1和R2以及晶體管Q1按照 2020年11月StudentZone文章所示進行連接。由于Q2的VBE始終小于Q1的VBE,因此可能的話,從器件庫存中選擇Q1和Q2滿足條件——在相同集電極電流下,Q2的VBE小于Q1的VBE。晶體管Q2的基極連接到Q1集電極的零增益輸出。R3連接在Vp電源和Q2的集電極之間,與2+示波器輸入一起用來測量集電極電流。
 
使用雙極性結型晶體管和NMOS晶體管的穩(wěn)定電流源
圖2.NMOS零增益放大器面包板電路
 
程序步驟
 
零增益放大器可用于創(chuàng)建穩(wěn)定的電流源?,F(xiàn)在,當W1所表示的輸入電源電壓變化時,晶體管Q1的集電極所看到的電壓更為穩(wěn)定,因此可以將其用作Q2的基極電壓,以在晶體管Q2中產(chǎn)生更穩(wěn)定的電流。
 
波形發(fā)生器配置為1 kHz三角波,峰峰值幅度為3 V,偏置為1.5 V。示波器通道2的輸入(2+)用于測量Q2集電極上的穩(wěn)定輸出電流。
 
配置示波器以捕獲所測量的兩個信號的多個周期。確保啟用XY功能。
 
使用示波器的波形圖示例如圖3和圖4所示。
 
使用雙極性結型晶體管和NMOS晶體管的穩(wěn)定電流源
圖3.Q2集電極電壓與W1電壓的關系
 
使用雙極性結型晶體管和NMOS晶體管的穩(wěn)定電流源
圖4.Q2集電極電流與W1電壓關系的示波器圖
 
穩(wěn)定電流源(NMOS)
 
材料
 
●     ADALM2000主動學習模塊
●     無焊面包板
●     一個2.2 kΩ電阻(或其他類似值)
●     一個168 Ω電阻(將100 Ω和68 Ω電阻串聯(lián))
●     一個4.7 kΩ電阻
●     兩個小信號NMOS晶體管(CD4007或ZVN2110A)
 
說明
 
MOS穩(wěn)定電流源對應的電路如圖5所示。
 
使用雙極性結型晶體管和NMOS晶體管的穩(wěn)定電流源
圖5.穩(wěn)定電流源
 
硬件設置
 
面包板連接如圖6所示。波形發(fā)生器W1的輸出驅(qū)動電阻R1的一端。電阻R1和R2以及晶體管M1按照 2020年11月StudentZone文章所示進行連接。由于M2的VGS始終小于M1的VGS,因此可能的話,從器件庫存中選擇M1和M2滿足——在相同漏極電流下,M2的VGS小于M1的VGS。晶體管M2的柵極連接到M1漏極的零增益輸出。R3連接在Vp電源和M2的漏極之間,與2+示波器輸入一起用來測量漏極電流。
 
使用雙極性結型晶體管和NMOS晶體管的穩(wěn)定電流源
圖6.穩(wěn)定電流源面包板電路
 
程序步驟
 
波形發(fā)生器配置為1 kHz三角波,峰峰值幅度為4 V,偏置為2 V。示波器通道2的輸入(2+)用于測量M2漏極上的穩(wěn)定輸出電流。
 
配置示波器以捕獲測量的兩個信號的多個周期。確保啟用XY功能。
 
圖7提供了示波器顯示的圖像示例。
 
使用雙極性結型晶體管和NMOS晶體管的穩(wěn)定電流源
圖7.M2漏極電壓與W1電壓的關系
 
關于BJT和NMOS的問題
 
此類電路有時稱為峰化電流源。您認為為什么會使用此命名規(guī)則?
輸出電流的峰值很窄。如何調(diào)整電路以產(chǎn)生更寬、更平坦的峰值?
 
您可以在 學子專區(qū)博客上找到問題答案。
 
 
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