【導(dǎo)讀】基本拓?fù)潆娐飞弦话銢]有吸收緩沖電路,實(shí)際電路上一般有吸收緩沖電路,吸收與緩沖是工程需要,不是拓?fù)湫枰?/strong>
基本拓?fù)潆娐飞弦话銢]有吸收緩沖電路,實(shí)際電路上一般有吸收緩沖電路,吸收與緩沖是工程需要,不是拓?fù)湫枰?/div>
吸收與緩沖的功效:
● 防止器件損壞,吸收防止電壓擊穿,緩沖防止電流擊穿
● 使功率器件遠(yuǎn)離危險工作區(qū),從而提高可靠性
● 降低(開關(guān))器件損耗,或者實(shí)現(xiàn)某種程度的關(guān)軟開
● 降低di/dt和dv/dt,降低振鈴,改善EMI品質(zhì)
● 提高效率(提高效率是可能的,但弄不好也可能降低效率)
也就是說,防止器件損壞只是吸收與緩沖的功效之一,其他功效也是很有價值的。
吸收
吸收是對電壓尖峰而言。
電壓尖峰的成因:
● 電壓尖峰是電感續(xù)流引起的。
● 引起電壓尖峰的電感可能是:變壓器漏感、線路分布電感、器件等效模型中的感性成分等。
● 引起電壓尖峰的電流可能是:拓?fù)潆娏?、二極管反向恢復(fù)電流、不恰當(dāng)?shù)闹C振電流等。
減少電壓尖峰的主要措施是:
● 減少可能引起電壓尖峰的電感,比如漏感、布線電感等
● 減少可能引起電壓尖峰的電流,比如二極管反向恢復(fù)電流等
● 如果可能的話,將上述電感能量轉(zhuǎn)移到別處。
● 采取上述措施后電壓尖峰仍然不能接受,最后才考慮吸收。吸收是不得已的技術(shù)措施
拓?fù)湮?/div>
將開關(guān)管Q1、拓?fù)淅m(xù)流二極管D1和一個無損的拓?fù)潆娙軨2組成一個在布線上盡可能簡短的吸收回路。
拓?fù)湮盏奶攸c(diǎn):
● 同時將Q1、D1的電壓尖峰、振鈴減少到最低程度。
● 拓?fù)湮帐菬o損吸收,效率較高。
● 吸收電容C2可以在大范圍內(nèi)取值。
● 拓?fù)湮帐怯查_關(guān),因?yàn)橥負(fù)涫怯查_關(guān)。
體二極管反向恢復(fù)吸收
開關(guān)器件的體二極管的反向恢復(fù)特性,在關(guān)斷電壓的上升沿發(fā)揮作用,有降低電壓尖峰的吸收效應(yīng)。
RC 吸收
● RC吸收的本質(zhì)是阻尼吸收。
● 有人認(rèn)為R 是限流作用,C是吸收。實(shí)際情況剛好相反。
● 電阻R 的最重要作用是產(chǎn)生阻尼,吸收電壓尖峰的諧振能量,是功率器件。
● 電容C的作用也并不是電壓吸收,而是為R阻尼提供能量通道。
● RC吸收并聯(lián)于諧振回路上,C提供諧振能量通道,C 的大小決定吸收程度,最終目的是使R形成功率吸收。
● 對應(yīng)一個特定的吸收環(huán)境和一個特定大小的電容C,有一個最合適大小的電阻R,形成最大的阻尼、獲得最低的電壓尖峰。
● RC吸收是無方向吸收,因此RC吸收既可以用于單向電路的吸收,也可用于雙向或者對稱電路的吸收。
RC 吸收設(shè)計
● RC吸收的設(shè)計方法的難點(diǎn)在于:吸收與太多因素有關(guān),比如漏感、繞組結(jié)構(gòu)、分布電感電容、器件等效電感電容、電流、電壓、功率等級、di/dt、dv/dt、頻率、二極管反向恢復(fù)特性等等。而且其中某些因素是很難獲得準(zhǔn)確的設(shè)計參數(shù)的。
● 比如對二極管反壓的吸收,即使其他情況完全相同,使用不同的二極管型號需要的RC吸收參數(shù)就可能有很大差距。很難推導(dǎo)出一個通用的計算公式出來。
● R 的損耗功率可大致按下式估算:
Ps = FCU2
其中U為吸收回路拓?fù)浞瓷潆妷骸?/div>
● 工程上一般應(yīng)該在通過計算或者仿真獲得初步參數(shù)后,還必須根據(jù)實(shí)際布線在板調(diào)試,才能獲得最終設(shè)計參數(shù)。
RCD 吸收
特點(diǎn)
● RCD吸收不是阻尼吸收,而是靠非線性開關(guān)D 直接破壞形成電壓尖峰的諧振條件,把電壓尖峰控制在任何需要的水平。
● C 的大小決定吸收效果(電壓尖峰),同時決定了吸收功率(即R的熱功率)。
● R 的作用只是把吸收能量以熱的形式消耗掉。其電阻的最小值應(yīng)該滿足開關(guān)管的電流限制,最大值應(yīng)該滿足PWM逆程RC放電周期需要,在此范圍內(nèi)取值對吸收效果影響甚微。
● RCD吸收會在被保護(hù)的開關(guān)器件上實(shí)現(xiàn)某種程度的軟關(guān)斷,這是因?yàn)殛P(guān)斷瞬間開關(guān)器件上的電壓即吸收電容C上的電壓等于0,關(guān)斷動作會在C 上形成一個充電過程,延緩電壓恢復(fù),降低dv/dt,實(shí)現(xiàn)軟關(guān)斷。
不適應(yīng)性
● RCD吸收一般不適合反激拓?fù)涞奈眨@是因?yàn)镽CD吸收可能與反激拓?fù)湎鄾_突。
● RCD吸收一般不適合對二極管反壓尖峰的吸收,因?yàn)镽CD吸收動作有可能加劇二極管反向恢復(fù)電流。
鉗位吸收
RCD 鉗位
● 盡管RCD鉗位與RCD吸收電路可以完全相同,但元件參數(shù)和工況完全不同。RCD吸收RC時間常數(shù)遠(yuǎn)小于PWM周期,而RCD鉗位的RC時間常數(shù)遠(yuǎn)大于PWM周期。
● 與RCD吸收電容的全充全放工況不同,RCD鉗位的電容可以看成是電壓源,其RC充放電幅度的谷值應(yīng)不小于拓?fù)浞瓷潆妷海逯导淬Q位電壓。
● 由于RCD鉗位在PWM電壓的上升沿和下降沿都不會動作,只在電壓尖峰出現(xiàn)時動作,因此RCD鉗位是高效率的吸收。
齊納鉗位
● 齊納鉗位的幾種形式。
● 齊納鉗位也是在電壓尖峰才起作用,也是高效率吸收。
● 某些場合,齊納鉗位需要考慮齊納二極管的反向恢復(fù)特性對電路的影響。
● 齊納吸收需注意吸收功率匹配,必要時可用有源功率器件組成大功率等效電路
無損吸收
無損吸收的條件
● 吸收網(wǎng)絡(luò)不得使用電阻。
● 不得形成LD電流回路。
● 吸收回路不得成為拓?fù)潆娏髀窂健?/div>
● 吸收能量必須轉(zhuǎn)移到輸入側(cè)或者輸出側(cè)。
● 盡量減少吸收回路二極管反向恢復(fù)電流的影響。
無損吸收是強(qiáng)力吸收,不僅能夠吸收電壓尖峰,甚至能夠吸收拓?fù)浞瓷潆妷海热纾?/div>
緩沖
緩沖是對沖擊尖峰電流而言
● 引起電流尖峰第一種情況是二極管(包括體二極管)反向恢復(fù)電流。
● 引起電流尖峰第二種情況是對電容的充放電電流。這些電容可能是:電路分布電容、變壓器繞組等效分布電容、設(shè)計不恰當(dāng)?shù)奈针娙?、設(shè)計不恰當(dāng)?shù)闹C振電容、器件的等效模型中的電容成分等等。
緩沖的基本方法:
在沖擊電流尖峰的路徑上串入某種類型的電感,可以是以下類型:
緩沖的特性:
● 由于緩沖電感的串入會顯著增加吸收的工作量,因此緩沖電路一般需要與吸收電路配合使用。
● 緩沖電路延緩了導(dǎo)通電流沖擊,可實(shí)現(xiàn)某種程度的軟開通(ZIS)。
● 變壓器漏感也可以充當(dāng)緩沖電感。
LD 緩沖
特點(diǎn):
● 可不需要吸收電路配合。
● 緩沖釋能二極管與拓?fù)淅m(xù)流二極管電流應(yīng)力相當(dāng)甚至更大。
● 緩沖釋能二極管的損耗可以簡單理解為開關(guān)管減少的損耗。
● 適當(dāng)?shù)木彌_電感(L3)參數(shù)可以大幅度減少開關(guān)管損耗,實(shí)現(xiàn)高效率。
LR 緩沖
特點(diǎn):
● 需要吸收電路配合以轉(zhuǎn)移電感剩余能量。
● 緩沖釋能電阻R的損耗較大,可簡單理解為是從開關(guān)管轉(zhuǎn)移出來的損耗。
● R、L參數(shù)必須實(shí)現(xiàn)最佳配合,參數(shù)設(shè)計調(diào)試比較難以掌握。
● 只要參數(shù)適當(dāng)仍然能夠?qū)崿F(xiàn)高效率。
飽和電感緩沖
● 飽和電感的電氣性能表現(xiàn)為對di/dt敏感。
● 在一個沖擊電流的上升沿,開始呈現(xiàn)較大的阻抗,隨著電流的升高逐漸進(jìn)入飽和,從而延緩和削弱了沖擊電流尖峰,即實(shí)現(xiàn)軟開通。
● 在電流達(dá)到一定程度后,飽和電感因?yàn)轱柡投尸F(xiàn)很低的阻抗,這有利于高效率地傳輸功率。
● 在電流關(guān)斷時,電感逐漸退出飽和狀態(tài),一方面,由于之前的飽和狀態(tài)的飽和電感量非常小,即儲能和需要的釋能較小。另一方面,退出時電感量的恢復(fù)可以減緩電壓的上升速度,有利于實(shí)現(xiàn)軟關(guān)斷。
● 以Ls2為例,5u表示磁路截面積5mm2,大致相當(dāng)于1顆PC40材質(zhì)4*4*2的小磁芯。
飽和電感特性
● 熱特性
飽和電感是功率器件,通過進(jìn)入和退出飽和過程的磁滯損耗(而不是渦流損耗或者銅損)吸收電流尖峰能量,主要熱功率來自于磁芯。
這一方面要求磁芯應(yīng)該是高頻材料,另一方面要求磁芯溫度在任何情況下不得超過居里溫度。這意味著飽和電感的磁芯應(yīng)該具有最有利的散熱特性和結(jié)構(gòu),即:更高的居里溫度、更高的導(dǎo)熱系數(shù)、更大的散熱面積、更短的熱傳導(dǎo)路徑。
● 飽和特性
顯然飽和電感一般不必考慮使用氣隙或者不易飽和的低導(dǎo)磁率材料。
● 初始電感等效特性
在其他條件相同情況下,較低導(dǎo)磁率的磁芯配合較多匝數(shù)、與較高導(dǎo)磁率的磁芯配合較少匝數(shù)的飽和電感初始電感相當(dāng),緩沖效果大致相當(dāng)。
這意味著直接采用1 匝的穿心電感總是可能的,因?yàn)槿魏味嘣训碾姼锌偪梢哉业礁邔?dǎo)磁率的磁芯配合1 匝等效之。這還意味著磁芯最高導(dǎo)磁率受到限制,如果一個適合的磁芯配合1 匝的飽和電感,將沒有使用更高導(dǎo)磁率的磁芯配合更少匝數(shù)的可能。
● 磁芯體積等效特性
在其他條件相同情況下,相同體積的磁芯的飽和電感緩沖效果大致相當(dāng)。既然如此,磁芯可以按照最有利于散熱的磁路進(jìn)行設(shè)計。比如細(xì)長的管狀磁芯比環(huán)狀磁芯、多個小磁芯比集中一個大磁芯、穿心電感比多匝電感顯然具有更大的散熱表面積。
● 組合特性
有時候,單一材質(zhì)的磁芯并不能達(dá)到工程上需要的緩沖效果,采用多種材質(zhì)的磁芯相互配合或許才能能夠滿足工程需要。
無源無損緩沖吸收
● 如果緩沖電感本身是無損的(非飽和電感),而其電感儲能又是經(jīng)過無損吸收的方式處理的,即構(gòu)成無源無損緩沖吸收電路,實(shí)際上這也是無源軟開關(guān)電路。
● 緩沖電感的存在延遲和削弱的開通沖擊電流,實(shí)現(xiàn)了一定程度的軟開通。
● 無損吸收電路的存在延遲和降低了關(guān)斷電壓的dv/dt,實(shí)現(xiàn)了一定程度的軟關(guān)斷。
● 實(shí)現(xiàn)無源軟開關(guān)的條件與無損吸收大致相同。并不是所有拓?fù)涠寄軌虼罱ǔ鲆粋€無源軟開關(guān)電路。因此除了經(jīng)典的電路外,很多無源軟開關(guān)電路都是被專利的熱門。
● 無源無損軟開關(guān)電路效率明顯高于其他緩沖吸收方式,與有源軟開關(guān)電路效率相差無幾。因此只要能夠?qū)崿F(xiàn)無源軟開關(guān)的電路,可不必采用有源軟開關(guān)。
吸收緩沖電路性能對
濾波緩
● 電路中的電解電容一般具有較大的ESR(典型值是百毫歐姆數(shù)量級),這引起兩方面問題:一是濾波效果大打折扣;二是紋波電流在ESR上產(chǎn)生較大損耗,這不僅降低效率,而且由于電解電容發(fā)熱直接導(dǎo)致的可靠性和壽命問題。
● 一般方法是在電解電容上并聯(lián)高頻無損電容,而事實(shí)上,這一方法并不能使上述問題獲得根本的改變,這是由于高頻無損電容在開關(guān)電源常用頻率范圍內(nèi)仍然存在較大的阻抗的緣故。
● 提出的辦法是:用電感將電解和CBB分開,CBB位于高頻紋波電流側(cè),電解位于直流(工頻)側(cè),各自承擔(dān)對應(yīng)的濾波任務(wù)。
● 設(shè)計原則:Π形濾波網(wǎng)絡(luò)的諧振頻率Fn應(yīng)該錯開PWM頻率Fp??扇p=(1.5~2)Fn 。
● 這一設(shè)計思想可以延伸到直流母線濾波的雙向緩沖,或者其他有較大濾波應(yīng)力的電路結(jié)構(gòu)。
振鈴
振鈴的危害:
● MEI測試在振鈴頻率容易超標(biāo)。
● 振鈴將引起振鈴回路的損耗,造成器件發(fā)熱和降低效率。
● 振鈴電壓幅度超過臨界值將引起振鈴電流,破環(huán)電路正常工況,效率大幅度降低。
振鈴的成因:
● 振鈴多半是由結(jié)電容和某個等效電感的諧振產(chǎn)生的。對于一個特定頻率的振鈴,總可以找到原因。電容和電感可以確定一個頻率,而頻率可以觀察獲得。電容多半是某個器件的結(jié)電容,電感則可能是漏感。
● 振鈴最容易在無損(無電阻的)回路發(fā)生。比如:副邊二極管結(jié)電容與副邊漏感的諧振、雜散電感與器件結(jié)電容的諧振、吸收回路電感與器件結(jié)電容的諧振等等。
振鈴的抑制:
● 磁珠吸收,只要磁珠在振鈴頻率表現(xiàn)為電阻,即可大幅度吸收振鈴能量,但是不恰當(dāng)?shù)拇胖橐部赡茉黾诱疋彙?/div>
● RC 吸收,其中C可與振鈴(結(jié))電容大致相當(dāng),R 按RC吸收原則選取。
● 改變諧振頻率,比如:只要將振鈴頻率降低到PWM頻率相近,即可消除PWM上的振鈴。
● 特別地,輸入輸出濾波回路設(shè)計不當(dāng)也可能產(chǎn)生諧振,也需要調(diào)整諧振頻率或者其他措施予以規(guī)避。
吸收緩沖能量再利用
RCD吸收能量回收電路
只要將吸收電路的正程和逆程回路分開,形成相對0 電位的正負(fù)電流通道,就能夠獲得正負(fù)電壓輸出。其設(shè)計要點(diǎn)為:
RCD吸收電路參數(shù)應(yīng)主要滿足主電路吸收需要,不建議采用增加吸收功率的方式增加直流輸出功率。
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