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東芝使用應(yīng)變硅技術(shù)將納米線晶體管驅(qū)動力提高58%

發(fā)布時間:2010-12-16 來源:日經(jīng)BP社

新聞事件:
  • 東芝使用應(yīng)變硅技術(shù)將納米線晶體管驅(qū)動力提高58%
  • 東芝將綜合6月開發(fā)的技術(shù)和此次的技術(shù)來增加導(dǎo)通電流
事件影響:
  • 研究20nm以后的微細(xì)化
  • 推進(jìn)絕緣膜的薄膜化

東芝證實,通過在納米線晶體管中使用應(yīng)變硅(Si)技術(shù),可將納米線晶體管的驅(qū)動力提高58%。該成果已在“2010 IEEE InternatiONal Electron Devices Meeting(IEDM 2010)”(2010年12月6~8日,美國舊金山)上發(fā)布。

為了實現(xiàn)20nm以后的微細(xì)化,業(yè)內(nèi)對多種三維(3D)晶體管構(gòu)造展開了研究。納米線晶體管就是其中之一。該晶體管采用MOS FET的溝道部分由納米級細(xì)線形狀的硅構(gòu)造。由于柵極包圍著細(xì)溝道,因此提高了柵極的控制性,能夠抑制成為微細(xì)化課題之一的、短溝道效應(yīng)導(dǎo)致的泄漏電流增大現(xiàn)象。不過,納米線晶體管的驅(qū)動力較低,也就是說存在導(dǎo)通電流小的問題。

此次東芝在納米線晶體管中使用了應(yīng)變記憶技術(shù)(SMT)。通過由柵電極向溝道施加應(yīng)力使溝道的硅結(jié)晶發(fā)生應(yīng)發(fā),由此來提高載流子遷移率。此次試制的晶體管中,n型晶體管的導(dǎo)通電流增加58%(截止電流為 1000nA/nm時)。今后東芝將通過綜合運用2010年6月開發(fā)的技術(shù)和此次的技術(shù),來增加導(dǎo)通電流。2010年6月開發(fā)的技術(shù)可通過優(yōu)化柵極側(cè)壁的加工以及旋轉(zhuǎn)結(jié)晶方向,來增加導(dǎo)通電流。東芝的目標(biāo)是在進(jìn)行此類技術(shù)開發(fā)的同時,推進(jìn)絕緣膜的薄膜化,使導(dǎo)通電流增加2倍以上。
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