你的位置:首頁 > 測試測量 > 正文

V850E2/Fx4-L:瑞薩電子推出低功耗高性能V850微控制器系列

發(fā)布時間:2012-03-30

產(chǎn)品特性:

  • 采用從48MHz到最高64MHz的最大的CPU模塊
  • 其性能為1.81 Dhrystone MIPS (DMIPS)/MHz
  • 提供從256KB到高達1.5MB的閃存
  • 采用64引腳至176引腳的封裝

適用范圍:

  • 用于車身控制


全球領先的高級半導體和解決方案的供應商瑞薩電子株式會社(TSE:6723,以下簡稱“瑞薩電子”)日前宣布推出19款新型低功耗V850E2/Fx4-L系列32位微控制器MCU。 新系列產(chǎn)品主要應用于車身控制,與先進的外設功能相結(jié)合,具有可升級性和兼容性,從而為車頂或車窗升降器、車門、座椅和照明模塊、HVAC(加熱、通風和空調(diào))及車身控制模塊等應用提供了最佳的解決方案。

基于V850的新款MCU系列實現(xiàn)了極低的功耗,在有源模式下的功耗為:0.35mA/1MHz。

V850E2/Fx4-L MCU具備獨有的節(jié)能特性,稱為定序器(SEQ)SEQ支持在省電模式下對于數(shù)字輸入端口的輸入水平變化進行監(jiān)控,無需占用任何的CPU或存儲器。當SEQ在數(shù)字輸入時檢測到了變化時,器件開關(guān)將從省電模式切換到工作模式。還有一個獨有的特性是LIN主線控制器(LMA),可不通過CPU的相互作用,支持自動的LIN框架檢測。

新款低功耗V850E2/Fx4-L MCU整合并擴展了NEC電子和瑞薩科技的原有技術(shù),即V850 32位RISC CPU和節(jié)能型MONOS (metal oxide nitride oxide silicon)閃存技術(shù),采用了RX和SH™ MCU 系列的90納米(nm)工藝技術(shù)。

V850E2/Fx4-L MCU采用了從48MHz到最高64MHz的最大的CPU模塊,其性能為1.81 Dhrystone MIPS (DMIPS)/MHz。通過采用AUTOSAR和增強型的系統(tǒng)功能,對于更大的存儲性能的要求日益增多。V850E2/Fx4-L MCU通過提供從256KB到高達1.5MB的閃存滿足了這種需要,這些存儲器采用64引腳至176引腳的封裝。配置了增強型的外設,包括PWM生成,多達兩個CAN接口及8個DMA(直接存儲器存?。┩ǖ馈?br />
經(jīng)過完全驗證的AUTOSAR MCAL(微控制器抽象層)軟件驅(qū)動包計劃推出。瑞薩MCAL軟件驅(qū)動包可采用獨立的軟件封裝或集成在一個與其它合作伙伴合作開發(fā)的完整的基本軟件棧中。為了符合AUTOSAR的要求,已經(jīng)在所有V850E2/Fx4-L器件中增加了新的系統(tǒng)保護功能(SPF)。SPF包括存儲器保護單元(MPU)和系統(tǒng)寄存器保護(SRF)。

要采購微控制器么,點這里了解一下價格!
特別推薦
技術(shù)文章更多>>
技術(shù)白皮書下載更多>>
熱門搜索
?

關(guān)閉

?

關(guān)閉