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電源變換器中電流/電壓模式相互轉(zhuǎn)化分析
本文先簡單的介紹了電流模式和電壓模式的工作原理和這兩種工作模式它們各自的優(yōu)缺點(diǎn);然后探討了理想的電壓模式利用輸出電容ESR取樣加入平均電流模式和通過輸入電壓前饋加入電流模式的工作過程。也討論了電流模式在輸出輕載或無負(fù)載時,在使用大的電感或在占比大于0.5加入斜坡補(bǔ)償后,系統(tǒng)會從電流...
2009-10-26
變換器 電流/電壓模式轉(zhuǎn)化
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基于漏極導(dǎo)通區(qū)特性理解MOSFET開關(guān)過程
本文先介紹了基于功率MOSFET的柵極電荷特性的開關(guān)過程;然后介紹了一種更直觀明析的理解功率MOSFET開關(guān)過程的方法:基于功率MOSFET的導(dǎo)通區(qū)特性的開關(guān)過程,并詳細(xì)闡述了其開關(guān)過程。開關(guān)過程中,功率MOSFET動態(tài)的經(jīng)過是關(guān)斷區(qū)、恒流區(qū)和可變電阻區(qū)的過程。在跨越恒流區(qū)時,功率MOSFET漏極的電流和...
2009-10-26
MOSFET 關(guān)斷區(qū) 恒流區(qū) 可變電阻區(qū)
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理解功率MOSFET的開關(guān)損耗
本文先分別介紹了功率MOSFET的Ciss,Coss,Crss及相對應(yīng)的Qg,Qds和Qgs在開關(guān)過程中對開關(guān)損耗的影響?;谠诶硐霠顟B(tài)下,用工程簡化方式計算出MOSFET在開關(guān)過程中不同階段的開關(guān)損耗,并分析出Crss及相對應(yīng)的Qgd對于MOSFET管的開關(guān)損耗起主導(dǎo)作用。然后,論述了在實(shí)際狀態(tài)下,Coss對開通和關(guān)斷過程...
2009-10-26
米勒電容 開關(guān)損耗 零電壓開關(guān)
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基于MOSFET內(nèi)部結(jié)構(gòu)設(shè)計優(yōu)化的驅(qū)動電路
功率MOSFET具有開關(guān)速度快,導(dǎo)通電阻小等優(yōu)點(diǎn),因此在開關(guān)電源,馬達(dá)控制等電子系統(tǒng)中的應(yīng)用越來越廣。通常在實(shí)際的設(shè)計過程中,電子工程師對其的驅(qū)動電路以及驅(qū)動電路的參數(shù)調(diào)整并不是十分關(guān)注,尤其是從來沒有基于MOSFET內(nèi)部的微觀結(jié)構(gòu)去考慮驅(qū)動電路的設(shè)計,導(dǎo)致在實(shí)際的應(yīng)用中,MOSFET產(chǎn)生一定...
2009-10-26
MOSFET 驅(qū)動電路
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帶有內(nèi)置ESD保護(hù)的MOSFET
CMLDM7003是一種雙通道N溝道的增強(qiáng)模式MOSFET,帶有內(nèi)置的2kV ESD保護(hù)。它帶有兩個獨(dú)立的50V,280mA的MOSFET,在每個器件的源極和柵極之間帶有瞬變電壓抑制柵。該器件的導(dǎo)通電阻RDS(on)在50mA,1.8V時是3.0歐姆
2009-10-26
CMLDM7003 MOSFET ESD保護(hù)
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3390:HIOKI最新功率分析儀
從地球環(huán)境保護(hù)的角度來看的話,和功率測量相關(guān)的需求及期待越來越大。太陽能發(fā)電和電動車(EV)的推廣、以及智慧型電網(wǎng)的構(gòu)想等措施都將促進(jìn)功率計的性能和功能的發(fā)展。本文特別將EV用馬達(dá)和變頻器的功率測量為例,通過日置電機(jī)針對支持高效控制系統(tǒng)的研發(fā)而開發(fā)的“功率分析儀3390”,來介紹近期功...
2009-10-26
HIOKI 功率分析儀 3390
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2010中國(深圳)消費(fèi)電子展(CCEF)
2010中國(深圳)消費(fèi)電子展(CCEF)
2009-10-23
2010中國(深圳)消費(fèi)電子展(CCEF)
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電路板維修的注意事項(xiàng)
在無任何電路原理圖的情況下,要對一塊陌生的且較復(fù)雜的故障電路板進(jìn)行維修,以往的所謂“檢修經(jīng)驗(yàn)”就難以應(yīng)付了.盡管電子技術(shù)的硬件功底深厚的維修人員,并對維修工作充滿了信心.但如果方法不當(dāng),工作起來照樣事倍功半.那么,怎樣做才能更好地提高維修效率呢? 這就是下面要討論的幾個原則,供同行參...
2009-10-23
PCB 電路板維修 檢修經(jīng)驗(yàn)
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B3293*系列:Epcos推出MKT薄膜電容器
愛普科斯(Epcos)目前已經(jīng)研制出系列MKT(金屬化聚乙烯對苯二甲酸酯)薄膜電容器,其特點(diǎn)是結(jié)構(gòu)牢固,電容值漂移極低。在85℃、空氣相對濕度在85%和電源|穩(wěn)壓器為240VAC的環(huán)境下經(jīng)受1000小時的測試后,其最大電容變化仍低于10%。
2009-10-23
愛普科斯 薄膜電容器 MKT
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