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松下電器試制出降低導(dǎo)通電阻的GaN二極管

發(fā)布時間:2008-12-22 來源:日經(jīng)BP社

產(chǎn)品特性:

  • 導(dǎo)通電阻降低至52mΩcm2
  • 采用了名為“Natural Super Junction”的新半導(dǎo)體連接技術(shù)
  • 通過控制電極間隔便成功地提高耐壓為9.4kV
  • 良好的電氣連接性能

應(yīng)用范圍:

  • 消費類電器
  • 電氣設(shè)備等廣泛領(lǐng)域 

松下電器試制出使用GaN半導(dǎo)體、耐壓為9.4kV,導(dǎo)通電阻降低至52mΩcm2的二極管。而此前產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻為1000mΩcm2。設(shè)想用于工作電壓從數(shù)百伏消費類電器和數(shù)kV產(chǎn)業(yè)電氣設(shè)備等廣泛領(lǐng)域。

新產(chǎn)品之所以同時實現(xiàn)了高耐壓和低導(dǎo)通電阻,是因為采用了名為“Natural Super Junction”的新半導(dǎo)體連接技術(shù)。通過連接多個成分不同的GaN半導(dǎo)體,收到了與硅MOSFET上使用的“超級結(jié)構(gòu)造”相同的效果。而以往GaN半導(dǎo)體的p型層和n型層的雜質(zhì)濃度以及膜厚的控制需要較高的精度,因此難以使用超級結(jié)構(gòu)造。

該二極管采用新結(jié)構(gòu),僅通過控制電極間隔便成功地提高了耐壓。為降低導(dǎo)通電阻,增加了作為溝道的二維電子氣體層數(shù)。并且利用凹陷結(jié)構(gòu)使溝道暴露,在暴露的區(qū)域形成電極,使全部溝道層獲得良好的電氣連接性能。由此而實現(xiàn)了耐壓9.4kV,導(dǎo)通電阻52mΩcm2。

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